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    晶体振子
    2.
    发明公开
    晶体振子 无效

    公开(公告)号：CN107231139A

    公开(公告)日：2017-10-03

    申请号：CN201710167655.1

    申请日：2017-03-20

    申请人： 日本电波工业株式会社

    发明人： 小原茂 ,  佐藤彻弥 ,  中原正阳 ,  芝崎友则 ,  大井友贵 ,  西村裕也

    IPC分类号： H03H9/19

    CPC分类号： H03H9/17 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/132 ,  H03H2003/0407 ,  H03H9/19

    摘要： 本发明提供一种晶体振子，抑制副振动与主振动的耦合且CI值被抑制得低。晶体振子(100)包括：平板状的晶体片(110)，具有与X′轴及Z′轴平行的主面，所述X′轴是以作为晶体的结晶轴的Z轴为中心而使作为晶体的结晶轴的X轴在15度至25度的范围内旋转所得，所述Z′轴是以X′轴为中心而使Z轴在33度至35度的范围内旋转所得；以及激振电极(129)，形成于晶体片的各主面。激振电极包括：外形为圆形形状的第一区域(120a)，及形成于第一区域的周围且外形为椭圆形形状并且厚度比第一区域薄的第二区域(120b)，椭圆形形状的长轴相对于X′轴延伸的方向而在‑5度至+15度的范围的方向上延伸。

    压电薄膜谐振器、滤波器和双工器
    4.
    发明公开
    压电薄膜谐振器、滤波器和双工器 有权

    公开(公告)号：CN104811157A

    公开(公告)日：2015-07-29

    申请号：CN201510034277.0

    申请日：2015-01-23

    申请人： 太阳诱电株式会社

    发明人： 谷口真司 ,  西原时弘 ,  横山刚 ,  坂下武

    IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/54

    CPC分类号： H03H9/173 ,  H03H9/175 ,  H03H9/568 ,  H03H9/706 ,  H03H2003/0407

    摘要： 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。压电薄膜谐振器(100、200、400、500)包括：基板(10)；压电膜(14)，其设置在所述基板上；下电极(12)和上电极(16)，其彼此相对，以在所述下电极(12)和所述上电极(16)之间设置所述压电膜的至少部分；以及插入膜(28)，其被插入到谐振区(50)中的所述压电膜内，在所述谐振区(50)中，所述压电膜的至少所述部分被设置在所述下电极和所述上电极之间，所述插入膜的与所述谐振区中的外围区(52)对应的至少部分(28b)比所述插入膜的与所述谐振区中的中心区(54)对应的部分(28a)厚。

    压电薄膜谐振器、滤波器和双工器
    6.
    发明授权
    压电薄膜谐振器、滤波器和双工器 有权

    公开(公告)号：CN104811157B

    公开(公告)日：2017-12-08

    申请号：CN201510034277.0

    申请日：2015-01-23

    申请人： 太阳诱电株式会社

    发明人： 谷口真司 ,  西原时弘 ,  横山刚 ,  坂下武

    IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/54

    CPC分类号： H03H9/173 ,  H03H9/175 ,  H03H9/568 ,  H03H9/706 ,  H03H2003/0407

    摘要： 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。压电薄膜谐振器(100、200、400、500)包括：基板(10)；压电膜(14)，其设置在所述基板上；下电极(12)和上电极(16)，其彼此相对，以在所述下电极(12)和所述上电极(16)之间设置所述压电膜的至少部分；以及插入膜(28)，其被插入到谐振区(50)中的所述压电膜内，在所述谐振区(50)中，所述压电膜的至少所述部分被设置在所述下电极和所述上电极之间，所述插入膜的与所述谐振区中的外围区(52)对应的至少部分(28b)比所述插入膜的与所述谐振区中的中心区(54)对应的部分(28a)厚。

    压电谐振器及其制造方法
    7.
    发明公开
    压电谐振器及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105659495A

    公开(公告)日：2016-06-08

    申请号：CN201480041241.9

    申请日：2014-08-06

    申请人： 株式会社村田制作所

    发明人： 梅田圭一

    IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02

    CPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/0504 ,  H03H9/13 ,  H03H9/174 ,  H03H9/21 ,  H03H2003/0407

    摘要： 本发明涉及压电谐振器及其制造方法。提供一种抑制了基于Si的厚度偏差的谐振频率的偏差的压电谐振器。压电谐振器(1)具备单晶Si(5)、设置在上述单晶Si(5)上的由氮化铝构成的压电膜(8)、以及被设置成夹着上述压电膜(8)的第一电极和第二电极(6、7)，在由上述氮化铝构成的压电膜(8)掺杂有除了氮以及铝的元素，除了上述单晶Si(5)的部分的音速的合成音速实质上与上述单晶Si(5)的音速一致。

    振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体
    8.
    发明公开
    振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体 无效

    公开(公告)号：CN104660208A

    公开(公告)日：2015-05-27

    申请号：CN201410647372.3

    申请日：2014-11-14

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 山田明法

    IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/19

    CPC分类号： H03H9/215 ,  H03H9/02023 ,  H03H9/02157 ,  H03H2003/0407

    摘要： 提供具有优异的振动特性的振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体。在振动元件的振动臂的主面侧，设置有朝该主面敞开的有底的一个槽，在另一个主面侧，设置有朝该主面敞开的有底的另一个槽。在设所述振动臂的厚度为T，俯视时所述振动臂的外缘与所述槽之间的沿着与所述主面的所述延伸方向垂直的方向的宽度为W、所述槽的合计为ta、ta/T为η时，在所述振动臂的所述延伸方向的至少一部分中，存在满足4.236×10×η2-8.473×10×η+4.414×10[μm]≤W[μm]≤-3.367×10×η2+7.112×10×η-2.352×10[μm]且0.75≤η＜1.00的关系的区域，在设所述振动臂的所述延伸方向上的长度为L、锤部的所述延伸方向上的长度为H时，满足0.012＜H/L＜0.30的关系。

    振动元件、振子、振荡器、电子设备及移动体
    9.
    发明公开
    振动元件、振子、振荡器、电子设备及移动体 有权

    公开(公告)号：CN104660169A

    公开(公告)日：2015-05-27

    申请号：CN201410648703.5

    申请日：2014-11-14

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 山田明法

    IPC分类号： H03B5/32

    CPC分类号： H03H9/215 ,  H01L41/053 ,  H03B5/32 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/0547 ,  H03H2003/0407

    摘要： 本发明为振动元件、振子、振荡器、电子设备及移动体。本发明的课题是提供振动特性和耐冲击性这两方面都优异的振动元件，并且提供具备该振动元件的可靠性高的振子、振荡器、电子设备及移动体。振动元件(2)包括石英振动片(3)，所述石英振动片(3)具有：基部(31)；振动臂(32、33)，其从基部的一端侧延伸；连接部(34)，其配置在基部(31)的另一端侧；以及连结部(35)，其位于基部(31)和连接部(35)之间，并将它们连结起来，当设石英振动片(3)的厚度为T，基部(31)的宽度为W1，连结部(35)的宽度为W2时，满足110μm≤T≤210μm的关系，同时满足0.469≤W2/W1≤0.871。