整流桥全自动单粒测试装置

    公开(公告)号:CN106054008B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201610671084.0

    申请日:2016-08-15

    发明人: 张清

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本发明提供了一种整流桥全自动单粒测试装置。本发明提供的整流桥全自动单粒测试装置包括:电路切换模块、处理器、测试机接口、测试插座;所述测试机接口与所述电路切换模块连接,所述电路切换模块与所述测试插座连接,所述处理器与所述电路切换模块连接;所述测试机接口用于连接测试机的测试线,所述测试插座用于连接整流桥,所述电路切换模块用于切换所述测试机接口与所述测试插座之间的连接状态,所述处理器用于控制电路切换模块进行所述连接状态的切换。本发明提供的整流桥全自动单粒测试装置,通过一种全自动的转换装置,替换了传统手动重复夹测作业,提高了失效整流桥的测试效率,并降低了测试风险。

    一种用于电镀银的铜粒的预处理方法

    公开(公告)号:CN105803463B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201610287177.3

    申请日:2016-05-03

    发明人: 王秋旭 王永凤

    IPC分类号: C23F3/06 C25D7/00

    摘要: 本发明提供了一种用于电镀银的铜粒的预处理方法,涉及金属表面处理技术领域。所述铜粒在电镀银之前需要进行抛光处理,所述抛光处理具体是将待处理的铜粒放入抛光液中,其中,所述抛光液包括硝酸4‑6重量份、除油剂8‑12重量份、水12.5‑25重量份、硫酸20‑30重量份和盐酸0.12‑0.18重量份。本发明采用化学抛光处理适时清出再生资源硫酸铜,化学抛光液可以反复利用,从而达到节能降耗的目的,同时还可以降低成本并降低对环境的污染。

    一种超薄微型桥堆整流器
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108389854A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201810414746.5

    申请日:2018-05-03

    发明人: 陆敏琴 聂磊

    IPC分类号: H01L25/07 H01L23/495

    摘要: 本发明公开一种超薄微型桥堆整流器,包括引脚、芯片和焊接面,引脚与焊接面之间通过倾斜段连接,芯片安装在焊接面上,本发明解决了现有技术中整流器芯片占用空间大、整流器电流小,焊接难度高的技术问题。

    一种功率半导体模块引线端子的加工方法

    公开(公告)号:CN105047639B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201510533216.9

    申请日:2015-08-26

    发明人: 贺东晓 尹建维

    IPC分类号: H01L23/495 H01L21/48

    摘要: 本发明提供了一种功率半导体模块引线端子的加工方法,本发明以铜复铝排或者铜镀镍排为加工原料,采用局部冲压成型功率半导体模块引线端子针;然后将将冲压成型的功率半导体模块引线端子针进行镀锡处理;然后完整冲压功率半导体模块引线端子;最后将功率半导体模块引线端子填埋注塑至功率半导体模块的绝缘外壳。本发明的功率半导体模块引线端子的加工方法与常规工艺相比具有如下优点:采用铜复铝端子,键合效果非常好;增加了二次冲压步骤,采用了先部分冲压再镀锡再冲压工艺,焊接效果非常好;模块的可靠性得到提高,工艺完全兼容;而且先镀锡后注塑,加工工艺非常简单,适合量产。

    一种CELL芯片的生产工艺
    75.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104576419B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201410240283.7

    申请日:2014-05-30

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 本发明公开了一种CELL芯片的生产工艺,包括以下步骤,(1)根据需要设定原料的厚度、直径,对原材料进行预镀,(2)根据CELL结构次序组装,运用真空焊接炉焊接,制成半成品,(3)将焊接完成材料经混酸处理,晶粒腐蚀到文件要求范围,(4)酸洗后材料经电镀,在铜粒表面形成金属保护层,设定好镀层厚度,以保证材料后续可焊性,(5)电镀后材料需经清洗烘干后,用相应治具上绝缘保护胶。再经固化工艺,促使绝缘保护胶完全固化,(6)固化好材料经人工抛光,下料,剔除外观不良品,(7)测试产品的各项电性,剔除不良品,该生产工艺制作的产品成本低,且具有良好的电热性能。

    一种提高硅片性能的方法
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106898541A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201510973553.X

    申请日:2015-12-21

    发明人: 王道强 陈宏胤

    摘要: 本发明涉及一种提高硅片性能的方法,主要由以下步骤构成:原硅片清洗、排磷纸、磷扩、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、硼扩、硼分片、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、镍烧结、二次镀镍,本发明利用中性纸在排磷纸工序中不同功能的使用以及泡沫垫在分片站的使用,本发明方法简单,且产品性能好。

    一种镀银铜粒新型后处理方法

    公开(公告)号:CN103981552B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201410178289.6

    申请日:2014-04-29

    IPC分类号: C25D5/52 B24B1/00

    摘要: 本发明涉及一种镀银铜粒新型后处理方法,包括:取电镀银后的铜粒,三道水洗,研磨,三道水洗,80~90℃纯水洗2~3min,130~180℃烘烤0.5~1.5h。本方法在银层的外面覆盖一层钝化膜,同时在研磨过程中将银层表面打平,使钝化膜充分与银层接触,起到良好的隔绝保护作用,同时能使其平滑光亮。

    一种半导体整流桥的制备方法

    公开(公告)号:CN106270880A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610673533.5

    申请日:2016-08-15

    摘要: 本发明提供了一种半导体整流桥的制备方法,涉及半导体整流桥领域。包括如下步骤:将P面焊片装填进预焊板;晶粒具有P面和N面,将晶粒通过分向筛盘进行分向以保证晶粒P面朝上,并倒扣置于P面焊片上使得晶粒P面紧贴P面焊片;将N面焊片紧贴晶粒N面并与P面焊片包夹晶粒;将预焊板进行预焊处理;将上、下框架并排置于框架盘上;将助焊溶剂涂抹到上框架和下框架上;将预焊后晶粒转换装填至下框架上;获得合片;将合片置于石墨模具中并盖好石墨;将石墨模具通过焊接炉进行焊接处理,再经过封装和分解获得半导体整流桥。本发明采用预焊工艺,提高材料冷热冲击能力,同时有益于晶粒表面锡合金层的生成,提高焊接牢度,降低焊接空洞比例。

    一种黄铜产品电镀镍前的处理方法

    公开(公告)号:CN103981551B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201410178532.4

    申请日:2014-04-29

    发明人: 方丁玉 薛明峰

    IPC分类号: C25D5/34

    摘要: 本发明涉及一种黄铜产品电镀镍前的处理方法,包括:取15~20kg的黄铜产品加入研磨机中,向研磨机中加研磨液4~6L和水15~25L,在室温条件下,50~60转/min研磨30~60min,水洗,酸洗,活化,即得。本发明使用新型机械结合化学方法对黄铜产品进行前处理,改进黄铜产品电镀镍的外观及品质。

    一种铜产品电镀镍前的处理方法

    公开(公告)号:CN103695976B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310695709.3

    申请日:2013-12-17

    摘要: 本发明涉及一种铜产品电镀镍前的处理方法,包括以下步骤:将准备电镀镍的铜产品先进行第一次抛光,随后进行水洗;再进行第二次抛光,随后进行三道水洗;然后进行酸洗,所述酸洗采用的酸洗液为体积分数为30%的硫酸;最后再进行活化即完成处理,所述活化采用的活化液为体积分数为3~5%的硫酸。本发明只对铜产品表面氧化物和油污进行处理,不腐蚀铜层,极大的保护了产品的完整性,同时进行电镀镍后,电镀出的外观一致较好,表面色泽一致,均匀性好,且亮度有提高。