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    湿蚀刻装置和湿蚀刻方法
    71.
    发明公开
    湿蚀刻装置和湿蚀刻方法 失效

    公开(公告)号：CN102473627A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080032902.3

    申请日：2010-07-14

    Applicant: 夏普株式会社 ,  住友精密工业株式会社

    Inventor： 绪方正一 ,  菅长大辅

    IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/6776 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

    Abstract: 湿蚀刻装置(1)具备：蚀刻处理槽(5)，其使蚀刻药液附着于基板(10)而进行蚀刻处理；和水洗处理槽(6)及干燥处理槽(7)，其与蚀刻处理槽(5)连接而连续地处理基板(10)，设有除去基板(10)上的液滴的空气刀(14、15)。另外，湿蚀刻装置(1)具备：管道(9)，其至少与蚀刻处理槽(5)连接，内部保持负压；和排气管(21、24)，其将水洗处理槽(6)及干燥处理槽(7)连接到管道(27)。在排气管(21、24)中，设有进行排气管(21、24)的开闭的自动档板(23、26)和取入外部气体(29)的取入口(22、25)。根据该构成，当空气刀动作时，也可以将湿蚀刻装置的内部的压力保持为比外部的压力低。

    运送式基板处理装置中的节水型清洗系统
    72.
    发明公开
    运送式基板处理装置中的节水型清洗系统 无效

    公开(公告)号：CN102199007A

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：CN201010506663.2

    申请日：2010-09-27

    Applicant: 住友精密工业株式会社

    Inventor： 小泉晴彦 ,  松元俊二

    IPC: C03C23/00

    Abstract: 本发明涉及一种运送式基板处理装置中的节水型清洗系统。可在维持高度的清洗性能的同时，大幅度地减少清洗水的使用量。在化学液处理区的下游侧，沿基板运送方向，排列多个清洗区。在最上游侧的清洗区中，设置桨处理用的清洗机构。在第2级以后的清洗区设置喷淋处理用的清洗机构，以及回收使用后的清洗水的箱。将由未使用的纯水形成的清洗水供向最下游侧的清洗区中的清洗机构。将使用后的清洗水按照阶梯方式依次送给上游侧的清洗区中的清洗机构。废弃最上游侧的清洗区的使用完的清洗水。在基板前端进入到最上游侧的清洗区之前，该清洗区中的清洗机构的清洗水开始排出，即使基板后端与该清洗区脱离之后，仍按照规定时间继续排出清洗水。

    升降式基板处理装置及具有该装置的基板处理系统
    74.
    发明授权
    升降式基板处理装置及具有该装置的基板处理系统 失效

    公开(公告)号：CN100479092C

    公开(公告)日：2009-04-15

    申请号：CN03153713.8

    申请日：2003-08-18

    Applicant: 住友精密工业株式会社

    Inventor： 水川茂 ,  中田胜利

    IPC: H01L21/00 ,  G02F1/13

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其具有从处理线其中一处朝另一处传送基板的功能，且可在传送中有效地处理基板。基板处理装置(10)由外壳体(11)、处理机构(20)和升降机构(40)构成。外壳体(11)具有在上下处并设的基板投入口(11a)和基板排出口(11b)，呈框体状。处理机构(20)内置于外壳体(11)内，包括：容纳并支持从基板投入口(11a)送入的基板、从基板排出口(11b)排出基板的传送-支持机构；支持传送-支持机构的支持架台(21)；使传送-支持机构支持的基板倾斜的基板倾斜机构；设于传送-支持机构上方、将处理流体喷到由基板倾斜机构倾斜的基板上的处理流体喷出机构。升降机构(40)支持处理机构(20)并使其沿上下方向升降，使处理机构(20)经过基板投入口(11a)和基板排出口(11b)。

    处理液再生方法及含于处理液的金属的回收方法
    76.
    发明公开
    处理液再生方法及含于处理液的金属的回收方法 无效

    公开(公告)号：CN101302581A

    公开(公告)日：2008-11-12

    申请号：CN200810096747.6

    申请日：2008-05-09

    Applicant: 住友精密工业株式会社

    Inventor： 中田胜利 ,  田中幸雄 ,  柏井俊彦

    IPC: C22B3/00

    CPC classification number: Y02P10/234

    Abstract: 本发明提供能够以低成本有效地除去基板处理用处理液中含有的金属成分，再生该处理液的处理液再生方法等。包括：在进行基板处理的处理区域中，使处理液通过内部填充有吸附金属离子的吸附材料的可移式容器(1)内，将该处理液中的金属成分吸附于吸附材料而分离、除去的处理液再生工序；将使处理液通过的可移式容器(1)输送至从处理区域隔离的区域即再生吸附材料的吸附材料再生区域的第一输送工序；在吸附材料再生区域中，使洗提液通过从处理区域输送的可移式容器(1)内，洗提吸附于吸附材料的金属，再生该吸附材料的吸附材料再生工序；将再生了吸附材料的可移式容器(1)从吸附材料再生区域回送至处理区域的第二输送工序，在处理液再生工序中，使用吸附材料再生后的可移式容器(1)。

    臭氧处理装置
    77.
    发明授权
    臭氧处理装置 失效

    公开(公告)号：CN100362634C

    公开(公告)日：2008-01-16

    申请号：CN02826680.3

    申请日：2002-11-28

    Applicant: 住友精密工业株式会社

    Inventor： 菊池辰男 ,  山中健夫 ,  山口征隆 ,  金山登纪子

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/302 ,  C23C16/455

    CPC classification number: H01L21/6708

    Abstract: 本发明是关于一种臭氧处理装置，是对半导体基板或液晶基板等的基板表面吹送臭氧气体，来进行氧化膜的形成或改性、抗蚀膜的去除等处理。臭氧处理装置1，是由用以载置基板K的载置台20，用以将载置台20上的基板K加热的加热装置，与载置台20上的基板K呈对向配置、且具有开口于与基板K对向的面并将臭氧气体朝基板K喷出的喷出口的多个对向板40，以及对各对向板40的喷出口供给臭氧气体而使得气体喷出气体供给装置60所构成。各对向板40是以邻接的对向板40间形成间隙的方式配置在同一平面内。对向板40的体积小，即使对向板40与基板K之间发生热移动，由于对向板40与基板K可在短时间达成热平衡状态，所以基板K的温度管理变得容易。

    臭氧处理方法及臭氧处理装置
    79.
    发明公开
    臭氧处理方法及臭氧处理装置 失效

    公开(公告)号：CN1481581A

    公开(公告)日：2004-03-10

    申请号：CN02800549.X

    申请日：2002-03-18

    Applicant: 住友精密工业株式会社

    Inventor： 菊池辰男 ,  山中健夫 ,  山口征隆 ,  金山登纪子

    IPC: H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67017

    Abstract: 本发明公开了一种向半导体基板或液晶基板等的基板表面吹送臭氧气体而形成氧化膜或改善形成于该基板表面的氧化膜或者去除形成于该基板表面的保护层的臭氧处理方法及臭氧处理装置，该臭氧处理装置(1)，具有用于载置基板K的载置台(20)；用于加热载置台(20)上的基板K的加热机构；与基板K相对而置，从形成于基板K的相对面上的排出孔(44)排出臭氧气体的对向板(40)；向排出孔(44)供给臭氧气体的气体供给机构(43)；升降载置台(20)的升降机构(30)及控制升降机构(30)的动作的控制机构(35)。控制机构(35)在臭氧气体排出过程中驱动升降机构(30)而使载置台(20)上的基板K和对向板(40)之间的间距g发生变化。

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