光纤振动传感器
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102654418A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210054047.7

    申请日:2012-03-02

    CPC classification number: G01H9/004 G08B13/186

    Abstract: 本发明提供一种光纤振动传感器,其在长度方向整个长度上都具有良好的检测灵敏度,并且能够更细致地确定侵入者侵入的位置。两个光纤环(2a、2b),长度方向的至少一部分互相沿着对方配置,并且使一个光纤环(2a)的检测振动的灵敏度从一端侧向另一端侧减小,并且使另一个光纤环(2b)的检测振动的灵敏度从一端侧向另一端侧增加,还具有振动发生判定部(18b),其根据经由两个光纤环(2a、2b)获得的输出的和,判定是否在构造体中发生了振动;以及振动位置判定部(18c),其根据用经由两个光纤环(2a、2b)获得的输出的和除经由两个光纤环(2a、2b)获得的输出的差而得的输出比,判定在构造体中振动发生的位置。

    三芯集束电缆
    72.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102629506A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210008330.6

    申请日:2012-01-12

    CPC classification number: H01B7/423

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种三芯集束电缆,即使附加冷却功能,其整体也紧凑,且布线性优异。本发明的解决方法为如下的三芯集束电缆,其具有:从截面观察配置为三角状的三根电缆(2),和在三根电缆(2)所夹持的电缆中心部,沿着三根电缆(2)的长度方向而形成,流通冷却各电缆(2)的致冷剂的第1致冷剂通路(3);第1致冷剂通路(3)的截面形状形成为沿着各电缆(2)的一部分的形状。

    差动信号传送用电缆及其制造方法

    公开(公告)号:CN102623090A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210020446.1

    申请日:2012-01-29

    CPC classification number: H01B11/20 H01B11/183

    Abstract: 本发明提供差动信号传送用电缆及其制造方法。实施方式的差动信号传送用电缆具备:利用绝缘体包覆导体而形成的绝缘电线;在具有绝缘性的第一基体的至少一个表面上形成第一导电膜,并在平行地配置的一对绝缘电线的周围以第一导电膜成为外侧的方式卷绕为螺旋状而配置的第一带;以及在具有绝缘性的第二基体的至少一个表面形成第二导电膜,并以第二导电膜与第一导电膜接触的方式在第一带上卷绕为螺旋状而配置的第二带,第一带在侧视中,在由绝缘电线的上侧的边缘和第一带的边缘形成的角度中,绝缘电线的一端部侧的第一角度是锐角,第二带在侧视中由绝缘电线的上侧的边缘和第二带的边缘形成的角度中,绝缘电线的一端部侧的第二角度是钝角。

    太阳能电池模块的盗窃监视装置及使用该装置的盗窃监视系统

    公开(公告)号:CN102622842A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201110309803.1

    申请日:2011-10-10

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供太阳能电池模块的盗窃监视装置及使用该装置的盗窃监视系统,即使多个太阳能电池模块被盗时也能够确定该被盗的多个太阳能电池模块。其具备:盗窃监视装置主体(3);信号线(4),其将盗窃监视装置主体和成为监视对象的多个太阳能电池模块(M)连接,并且将从盗窃监视装置主体到各太阳能电池模块的配线长度形成为各不相同;应答元件(5c),设置在信号线和各太阳能电池模块的连接部(5)中,当经由信号线接收到监视信号时向信号线返回应答信号。盗窃监视装置主体具备盗窃检测部(10),其从信号线的一端发送监视信号,依次接收从各应答元件返回的应答信号,从而检测出与未返回应答信号的应答元件对应的太阳能电池模块被盗。

    电线
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102610312A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110129911.0

    申请日:2011-05-13

    Abstract: 本发明提供一种电线,在不大幅改变包覆导体的包覆材料自身的性能的情况下提高耐磨性及低摩擦性。该电线,在最外层包覆有在由卤素系聚合物形成的弹性体中分散有芳香族高分子纤维或芳香族高分子粉末的组合物。

    电气电子部件用铜合金材料

    公开(公告)号:CN102560181A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110391753.6

    申请日:2011-11-23

    Abstract: 本发明提供一种能够稳定地抑制金属间化合物的生长、提高焊料接合的可靠性的电气电子部件用铜合金材料。所述电气电子部件用铜合金材料含有0.05~0.5质量%的Fe、0.05~0.5质量%的Ni、0.02~0.2质量%的P、0.1~3质量%的Zn、0.02~0.3质量%的Sn,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。这些成分的质量比具有(Fe+Ni)/P=3~10、Fe/Ni=0.8~1.2、Zn/(Fe+Ni)≥0.5、Sn/(Fe+Ni)≤0.5的关系。

    电气、电子部件用铜合金及其制造方法

    公开(公告)号:CN102534292A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110263651.6

    申请日:2011-09-01

    Inventor: 久慈智也

    Abstract: 本发明提供一种电气、电子部件用铜合金及其制造方法,使用更简化的铜合金的制造方法,提供具有高强度、高导电性,并且耐热性优越的电气、电子部件用铜合金。本发明的电气、电子部件用铜合金含有Fe为2.1~2.6重量%、P为0.015~0.15重量%、Zn为0.05~0.20重量%,且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成,在分散于Cu母相中的Fe析出物中,单个面积为20nm2以上并低于200nm2的Fe析出物的合计面积相对于Cu母相整体的面积率S1为0.4%以上,单个面积为200nm2以上的Fe析出物的合计面积相对于Cu母相整体的面积率S2满足0.4≤S1/S2≤1.4的关系。

    宽带天线
    78.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1925224B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200610106436.4

    申请日:2006-07-24

    Inventor: 福地圭介

    CPC classification number: H01Q1/22 H01Q13/10 H01Q21/30

    Abstract: 本发明的目的是提供小而薄、覆盖2.3~6GHz这样的高频带、而且相对带宽大于等于50%的宽带天线。一种宽带天线,用于收发宽频带的频带,其在矩形导体板(10)上形成蝶形领结状切口(11),在该蝶形领结状切口(11)的中央部对置的一方顶角部(12a)的两侧,形成沿蝶形领结状切口(11)延伸的辅助天线元件(14),在该辅助天线元件(14)侧的顶角部(12a)形成供电部(15),在另一方顶角部(12b)形成接地部(16)。

    光电转换模块
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101581815B

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN200910139193.8

    申请日:2009-05-13

    Abstract: 本发明提供一种可实现小型化、低成本化的连接器一体型的光电转换模块。该光电转换模块具备:基板(7);设置于基板(7)上并与光纤(2)光结合的光路转换机构(8);设置于光路转换机构(8)上并与电线(3)电连接的挠性基板(9);设置于基板(7)上并用于支撑挠性基板(9)的支撑板;通过光路转换机构(8)与光纤(2)的芯光结合的光元件(10);以及与挠性基板(9)电连接,并与外部电气设备(5)的插座(6)电连接的电连接器(11),挠性基板(9)向基板(7)和支撑板的前端部端面方向延伸并以包入前端部的方式形成,并与基板(7)的背面接合,基板(7)、支撑板和挠性基板(9)插入连接于电连接器(11)。

    GaAs晶片及GaAs晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN102465344A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110375181.2

    申请日:2011-11-17

    Inventor: 木村健

    CPC classification number: C30B29/42 C30B15/22 C30B27/02 Y10T428/21

    Abstract: 本发明的课题在于提供即使大口径化也可抑制滑移不良的发生的GaAs晶片及其制造方法。本发明的解决课题的方法为GaAs晶片的制造方法,其具有以下工序:通过LEC法生长GaAs单晶的生长工序、和将生长工序中得到的GaAs单晶进行切片来制作GaAs晶片的晶片制作工序;在生长工序中,GaAs单晶与原料熔液之间的固液界面的形状在上述原料熔液侧成为凸状,由原料熔液与液体密封材之间的界面到原料熔液中的GaAs单晶的顶端部的长度T1、与GaAs单晶的外径T2之比T1/T2为0.25≤T1/T2≤0.45,在晶片制作工序中得到的GaAs晶片的通用硬度在晶片面内一样为4000N/mm2以上4850N/mm2以下。

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