公开(公告)号：CN113646900B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080024703.1

申请日：2020-03-06

申请人： 东丽株式会社

发明人： 小林康宏 ,  矶贝和生 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的课题是以简便的工艺提供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件，本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层含有(a)真空中的电离电位为7.0eV以下的化合物和(b)高分子。

公开(公告)号：CN114303238A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080059950.5

申请日：2020-09-03

申请人： 东丽株式会社

发明人： 河井翔太 ,  田中龙一 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/16 ,  H01L23/66 ,  H01L29/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明的一个实施方式的半导体装置用基板具有树脂基材、在该树脂基材上具备的多个半导体装置和以包围这些多个半导体装置的方式被设置的增强线。上述增强线由与构成这些多个半导体装置中包含的电极层中的至少一者的材料相同的材料构成。这些多个半导体装置中的一个以上被上述增强线包围着的区域在该树脂基材上存在多个。由这样的半导体装置用基板能够获得无线通信装置等多种半导体装置。

公开(公告)号：CN113557212A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080019266.4

申请日：2020-02-06

申请人： 东丽株式会社

发明人： 平井孝佳 ,  西野秀和 ,  村濑清一郎

IPC分类号： C01B32/174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/158 ,  C01B32/168 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明提供能够制造迁移率提高了的FET的碳纳米管组合物。本发明的碳纳米管组合物是包含具有(1)～(2)的特征的碳纳米管，且不含有卤素的碳纳米管组合物。(1)使上述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光分析测得的波长300nm～1100nm的范围内的吸收光谱中，在波长600nm～700nm的范围显示最低的吸光度，并且在波长900nm～1050nm的范围显示最高的吸光度，上述最高的吸光度与上述最低的吸光度的比为2.5以上4.5以下。(2)使用拉曼分光分析，以波长532nm的光作为激发光测得的D谱带与G谱带的高度比((D/G)D/G×100的值)为3.33以下。

公开(公告)号：CN111758223A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980015172.7

申请日：2019-03-04

申请人： 东丽株式会社

发明人： 假家义裕 ,  野口健太 ,  清水浩二 ,  村濑清一郎 ,  西川久

IPC分类号： H04B5/02 ,  H04B1/59

摘要： 无线通信装置具备：天线，其收发电波；整流电路，其连接于所述天线，将所述天线接收到的电波进行整流而生成电压；内部电路，其通过由所述整流电路生成的电压而动作；及开关电路，其以不与所述天线接触的方式配置，基于所述内部电路的输出信号而动作，所述开关电路包括耦合布线和开关元件，通过所述开关元件的动作，使所述天线的阻抗变化，由此进行通信。

公开(公告)号：CN111295755A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880071069.X

申请日：2018-10-25

申请人： 东丽株式会社

发明人： 清水浩二 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L51/40 ,  C01B32/158 ,  C01B32/168 ,  G06K19/02 ,  G06K19/07 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的目的在于通过简便的工艺提供优异的集成电路。本发明是一种集成电路，至少具有：存储阵列，其存储数据；整流电路，其对交流电流进行整流而生成直流电压；逻辑电路，其读出上述存储阵列所存储的数据，上述存储阵列具有第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一半导体层，上述整流电路具有第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二半导体层，上述逻辑电路具有第三半导体元件，该第三半导体元件具有第三半导体层，上述第一半导体元件是存储元件，上述第二半导体元件是整流元件，上述第三半导体元件是逻辑元件，上述第二半导体层是具有整流作用的功能层，上述第三半导体层是逻辑元件的沟道层，上述第一半导体层、上述第二半导体层和上述第三半导体层全部由同一材料形成，上述具有整流作用的功能层和上述沟道层全部由同一材料形成，该同一材料包含选自有机半导体、碳纳米管、石墨烯、富勒烯中的至少一种。

公开(公告)号：CN109964327B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201780070725.X

申请日：2017-11-16

申请人： 东丽株式会社

发明人： 崎井大辅 ,  村濑清一郎 ,  胁田润史

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

摘要： 本发明提供能够进行半导体溶液的均匀涂布、迟滞减小、栅极绝缘层的耐裂纹性提高的场效应晶体管及其生产率优异的制造方法。本发明为场效应晶体管，其特征在于，至少具备：基板；源电极、漏电极及栅电极；与上述源电极及漏电极接触的半导体层；和使上述半导体层与上述栅电极绝缘的栅极绝缘层，上述栅极绝缘层含有至少具有通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷。通式(1)中，A1表示下述有机基团：具有至少两个羧基、磺基、硫醇基、酚式羟基或它们的衍生物的有机基团；或者具有至少一个这些基团在A1内缩合为环状而成的官能团或它们的衍生物的有机基团。

公开(公告)号：CN110402483A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880019795.7

申请日：2018-02-28

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  崎井大辅

IPC分类号： H01L21/336 ,  C01B32/158 ,  H01L21/208 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的课题在于，提供不随时间劣化、稳定且具有n型半导体特性的半导体元件；主旨是半导体元件，其具有：基材；源电极、漏电极和栅电极；与前述源电极和漏电极接触的半导体层；将前述半导体层与前述栅电极绝缘的栅绝缘层；以及在前述半导体层的与前述栅绝缘层相反侧与前述半导体层接触的第2绝缘层，前述半导体层含有碳纳米管，前述第2绝缘层含有具有选自氮原子和磷原子中的任一种以上的供电子性化合物，前述第2绝缘层的透氧度为4.0cc/(m2·24h·atm)以下。

公开(公告)号：CN109844530A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780063515.8

申请日：2017-10-13

申请人： 东丽株式会社

发明人： 内藤孝二郎 ,  长尾和真 ,  村濑清一郎

IPC分类号： G01N33/543 ,  G01N27/327 ,  G01N27/414

摘要： 半导体传感器，其用于选择性且高灵敏度地检测靶标物质，所述半导体传感器具有基板、第1电极、第2电极、和设置于第1电极与第2电极之间的半导体层，半导体层包含半导体成分、和免疫球蛋白的部分结构体，免疫球蛋白的部分结构体在重链的铰链区介由连接基团L1而结合或附着于半导体成分。以及，半导体传感器的制造方法，其中，形成半导体层的工序包括在第1电极与第2电极之间涂布半导体成分的工序。

公开(公告)号：CN109196636A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780032299.0

申请日：2017-05-29

申请人： 东丽株式会社

发明人： 河井翔太 ,  村濑清一郎 ,  清水浩二

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

摘要： 本发明的一个方式的存储器阵列在基板上具备多条第一布线、与上述多条第一布线交叉的至少一条第二布线、对应于上述多条第一布线与第二布线的交点而设置的多个存储器元件。上述多个存储器元件能够分别记录不同的信息。另外，本发明的一个方式的存储器阵列片材在片材上具有多个上述存储器阵列。这样的存储器阵列或从存储器阵列片材切分而形成的存储器阵列可用于无线通信装置。

公开(公告)号：CN108780843A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018514.1

申请日：2017-04-12

申请人： 东丽株式会社

发明人： 矶贝和生 ,  村濑清一郎 ,  长尾和真

IPC分类号： H01L51/05 ,  G01N27/414 ,  H01L51/30

CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L51/05

摘要： 半导体元件，其是含有基板、第一电极、第二电极及半导体层、并且上述半导体层配置于上述第一电极与上述第二电极之间而成的半导体元件，其中，上述半导体层含有选自碳纳米管及石墨烯中的一种以上，上述半导体元件的沟道长度LC及沟道宽度WC的关系为0.01≤WC/LC≤0.8。提供开关特性优异的半导体元件、及用作传感器时具有高的检测灵敏度的半导体元件。