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公开(公告)号：CN111758223A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980015172.7
申请日：2019-03-04
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 无线通信装置具备：天线，其收发电波；整流电路，其连接于所述天线，将所述天线接收到的电波进行整流而生成电压；内部电路，其通过由所述整流电路生成的电压而动作；及开关电路，其以不与所述天线接触的方式配置，基于所述内部电路的输出信号而动作，所述开关电路包括耦合布线和开关元件，通过所述开关元件的动作，使所述天线的阻抗变化，由此进行通信。
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公开(公告)号：CN111295755A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880071069.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L51/40 , C01B32/158 , C01B32/168 , G06K19/02 , G06K19/07 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L51/30
Abstract: 本发明的目的在于通过简便的工艺提供优异的集成电路。本发明是一种集成电路，至少具有：存储阵列，其存储数据；整流电路，其对交流电流进行整流而生成直流电压；逻辑电路，其读出上述存储阵列所存储的数据，上述存储阵列具有第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一半导体层，上述整流电路具有第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二半导体层，上述逻辑电路具有第三半导体元件，该第三半导体元件具有第三半导体层，上述第一半导体元件是存储元件，上述第二半导体元件是整流元件，上述第三半导体元件是逻辑元件，上述第二半导体层是具有整流作用的功能层，上述第三半导体层是逻辑元件的沟道层，上述第一半导体层、上述第二半导体层和上述第三半导体层全部由同一材料形成，上述具有整流作用的功能层和上述沟道层全部由同一材料形成，该同一材料包含选自有机半导体、碳纳米管、石墨烯、富勒烯中的至少一种。
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公开(公告)号：CN109196636A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032299.0
申请日：2017-05-29
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/112 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的一个方式的存储器阵列在基板上具备多条第一布线、与上述多条第一布线交叉的至少一条第二布线、对应于上述多条第一布线与第二布线的交点而设置的多个存储器元件。上述多个存储器元件能够分别记录不同的信息。另外，本发明的一个方式的存储器阵列片材在片材上具有多个上述存储器阵列。这样的存储器阵列或从存储器阵列片材切分而形成的存储器阵列可用于无线通信装置。
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公开(公告)号：CN105378895A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480037504.9
申请日：2014-06-30
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225
CPC classification number: H01L31/1876 , C08G77/08 , C08G77/80 , C08K3/32 , C08K3/36 , C08K2003/329 , C09D11/03 , C09D11/102 , C09D11/52 , C09D183/04 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/0682 , H01L31/103 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供一种杂质扩散组合物，其含有(A)通式(1)表示的聚硅氧烷、和(B)杂质扩散成分。(式中，R1表示碳原子数为6～15的芳基，多个R1可以分别相同或不同。R2表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为2～6的酰基、碳原子数为6～15的芳基中的任一种，多个R2可以分别相同或不同。R3及R4表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的链烯基、碳原子数为2～6的酰基中的任一种，多个R3及R4可以分别相同或不同。n:m＝95:5～25:75。)。所述杂质扩散组合物对半导体衬底具有优异的印刷性、杂质扩散性，且烧成、扩散工序中不易产生裂纹，烧成后形成对于其他杂质扩散剂具有充分的掩蔽性的烧成膜。
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公开(公告)号：CN112868091B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980068099.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , C01B32/159 , C01B32/174 , H01L29/786 , H10K10/46 , H10K71/60 , H10K85/20 , H10K85/00
Abstract: 本发明的目的在于特性偏差被抑制的FET、及以简单制备该FET的制造方法制备该FET，主旨在于，关于设置在基板上的栅电极、栅极绝缘层、源电极及漏电极中的一种或多种进行物理量的测定，在进行半导体层的形成中以基于所述物理量所确定的半导体材料的涂布量进行涂布，进行半导体层的形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107925147B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201680048331.X
申请日：2016-08-10
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01P11/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G06K19/077 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H05K1/09 , H05K1/16
Abstract: 本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板或带有布线和电极的天线基板的方法。本发明的方式之一为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2‑A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2‑B)将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2‑C)将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3‑A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3‑B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3‑C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
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公开(公告)号：CN105190901B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480014315.X
申请日：2014-03-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , C08G79/00 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 一种场效应晶体管，具有栅极绝缘层、栅电极、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，上述栅极绝缘层包含含有硅‑碳键的有机化合物、和含有金属原子‑氧原子键的金属化合物，在上述栅极绝缘层中，相对于碳原子和硅原子的总量100重量份而言，上述金属原子的含量为10～180重量份。根据所述场效应晶体管，提供迁移率高、阈值电压低且漏电流被抑制的FET。
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公开(公告)号：CN107431096A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017448.1
申请日：2016-03-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/861 , C08G61/12 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 整流元件，所述整流元件具有：绝缘性基材；(a)由第一电极和第二电极形成的一对电极；和(b)设置在所述一对电极之间的半导体层，所述(a)一对电极、和所述(b)半导体层被设置在所述绝缘性基材的第1表面上，所述(b)半导体层包含共轭系聚合物附着于碳纳米管表面的至少一部分而得到的碳纳米管复合体。本发明以简便的工艺提供显示出优异的整流作用的整流元件。
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公开(公告)号：CN111295755B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880071069.X
申请日：2018-10-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L27/10 , H10K71/00 , C01B32/158 , C01B32/168 , G06K19/02 , G06K19/07 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10K85/00
Abstract: 本发明的目的在于通过简便的工艺提供优异的集成电路。本发明是一种集成电路，至少具有：存储阵列，其存储数据；整流电路，其对交流电流进行整流而生成直流电压；逻辑电路，其读出上述存储阵列所存储的数据，上述存储阵列具有第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一半导体层，上述整流电路具有第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二半导体层，上述逻辑电路具有第三半导体元件，该第三半导体元件具有第三半导体层，上述第一半导体元件是存储元件，上述第二半导体元件是整流元件，上述第三半导体元件是逻辑元件，上述第二半导体层是具有整流作用的功能层，上述第三半导体层是逻辑元件的沟道层，上述第一半导体层、上述第二半导体层和上述第三半导体层全部由同一材料形成，上述具有整流作用的功能层和上述沟道层全部由同一材料形成，该同一材料包含选自有机半导体、碳纳米管、石墨烯、富勒烯中的至少一种。
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公开(公告)号：CN108292630B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201680068078.4
申请日：2016-11-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H10B53/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01B1/22 , H01B5/16 , H01L21/288 , H01L27/105 , H10K19/00 , H01L29/786 , H10K10/00
Abstract: 提供驱动电压低、可通过涂布而形成的铁电体存储元件。至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件，其中，所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分，并且，所述铁电体粒子的平均粒径为30～500nm。
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