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公开(公告)号：CN101101451A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710043931.X
申请日：2007-07-18
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法，该薄膜结构包括无机相变薄膜层和缓冲层，所述的无机相变薄膜层由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层由热导率高的金属或半导体材料构成。该薄膜结构采用直流磁控溅射法制备，本发明薄膜结构具有膜层结构简单、工艺易控制和基片要求低等优点。试验证明可以明显减小激光直写光刻点和线宽的尺寸。
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公开(公告)号：CN1313879C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03150502.3
申请日：2003-08-22
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种可调式摄像照明装置，包括主机、摄像照明头和终端显示三部分，其特征在于摄像照明同光轴，照明光强、景深和放大率可调，本发明可满足医学手术、实验、商场超市、煤矿井下、隧道、住宅及车辆行人通道等情况的照明的同时进行摄像，照明均匀，结构紧凑，重量轻，携带方便。
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公开(公告)号：CN1270310C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200410017812.3
申请日：2004-04-15
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 一种用于只读式光盘的含非线性掩膜层的超分辨结构，依次是保护层、非线性反射膜和保护层，其特点是所述的保护层均由配比为硫化锌∶二氧化硅＝80∶20复合材料组成；所述的非线性掩膜层由银铟锑碲(Ag11In12Sb51Te26)复合材料组成。本发明制作成本低廉，工艺简单，不仅可以实现小于超分辨信息记录点的读出，而且所获得的信噪比很高，大于40dB，读出循环性好。
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公开(公告)号：CN1249040C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN03150824.3
申请日：2003-09-05
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： C07D277/82
摘要： 一种高溶解性偶氮金属螯合物及其合成方法，即，该金属螯合物的分子结构式如下：其合成方法是在乙酸钠的催化下，用溶于四氢呋喃中的2-(6-取代基-2-苯并噻唑基偶氮)-5-(N，N-二乙基)三氟甲基磺酰苯胺与乙酸镍(或乙酸锌、或乙酸铜、或乙酸钴)反应，生成二[2-(6-取代基-2-苯并噻唑基偶氮)-5-(N，N-二乙基)三氟甲基磺酰苯胺根]合镍(或锌、或铜、或钴)。本发明物质适合作为记录/读出波长为630～650nm一次记录型数字光盘的记录层材料。本发明的物质适合于采用旋涂法制造光盘。本发明方法具有反应条件易于控制，产率高，对反应体系无特殊要求等优点。
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公开(公告)号：CN1752084A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510029052.2
申请日：2005-08-24
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： C07D333/36 , C07D333/20 , C07D307/22 , C07D307/14 , C07D207/09 , C07D207/14 , C07D409/04 , C07D413/04
摘要： 一种含杂环的芴类衍生物及其制备方法，该芴类衍生物具有通式(I)，其中：R代表C2～C12直链或支链的烷基；X代表S，O或NH；D代表胺化合物的氨基基团。
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公开(公告)号：CN1632870A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410093315.1
申请日：2004-12-21
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 一种高密度增强型只读式数字光盘，其特征在于该光盘的结构依次是第一介电层、非线性掩膜层、第二介电层、金属氧化物信号增强层、第三介电层和盘基；所述的第一介电层、第二介电层和第三介电层均用氮化硅或ZnS－SiO2构成；所述的非线性掩膜层由Sb或Sb2Te3或AgInSbTe或Ge2Sb2Te5组成，所述的金属氧化物信号增强层由PtOx或AgOx组成，其中参数x的取值范围为0.1和2之间的任意值。盘基的最小坑点尺寸在200nm。本发明光盘结构，通过使用激光波长为650nm红光，数值孔径为0.60的光学头，实现坑点尺寸在200nm及其以上的读出。该只读式光盘的单面单层容量达到11.5GB，双面单层的容量达到23GB。
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公开(公告)号：CN1632869A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410093314.7
申请日：2004-12-21
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 一种高密度增强型可录式多用数字光盘，包括第一介电层、金属氧化物信息记录层、第三介电层和盘基，其特征是在所述的第一介电层和金属氧化物信息记录层之间还有第一非线性光学掩膜层和第二介电层，在第三介电层和盘基之间还有第二非线性光学掩膜层和第四介电层，所述的介电层均用氮化硅或ZnS－SiO2构成；所述的非线性光学掩膜层由AgInSbTe或Ge2Sb2Te5组成，金属氧化物信息记录层由PtOx或AgOx组成，所述的盘基为聚碳酸酯或K9玻璃。本发明光盘通过使用激光波长为650nm红光，数值孔径为0.60的光学头，实现信息点尺寸在200nm及其以上的记录和读出。使直径为5英寸的可录式光盘的单面单层容量达到11.5GB，双面单层的容量达到23GB。
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公开(公告)号：CN1614461A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410084636.5
申请日：2004-11-26
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种光束的通用扩束系统，包括扩束负镜和扩束正镜，其特征在于还有一镜筒，在该镜筒内，沿光轴O1O2依次设有调节手轮、扩束负镜、负镜镜框、弹簧、正镜镜框、扩束正镜和压圈，所述的负镜镜框和正镜镜框与镜筒之间紧密配合，所述的弹簧顶推负镜镜框和正镜镜框，所述的负镜调节手轮与镜筒之间依靠螺纹连接。本发明具有通用性强、同轴度高、调节范围大、加工成本低、装配简单和使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN1588543A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410052781.5
申请日：2004-07-13
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G11B7/24
摘要： 一种超分辨近场结构光盘，包括锗锑碲记录层和聚碳酸酯光盘基片，特征在于其构成是在光盘基片上依次溅射：第一保护层、非线性掩膜层、第二保护层、记录层和第三保护层构成的，所述的非线性掩膜层为锑；所述的第一保护层、第二保护层和第三保护层都是氮化硅和二氧化硅的复合材料构成的；本发明综合了传统超分辨光盘和近场记录的优点，聚焦光束作用在非线性掩膜层上形成一个动态开关小孔(尺寸小于衍射极限)，聚焦光束通过小孔后，光斑大小在近场范是由小孔大小决定而不是由衍射极限决定，所以可以不受衍射极限的限制，大大缩小记录点尺寸，提高光盘的存储密度，具有很高的实用化前景。
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公开(公告)号：CN1587252A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053305.5
申请日：2004-07-30
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： C07C211/45 , C07C211/49 , C07C211/54 , C07C311/26 , C07C217/84 , C07C229/58 , C07D207/04 , C07D207/12 , C07D209/82 , C07D265/34
摘要： 一种多光子吸收苯基芴类衍生物及其制备方法，该苯基芴类衍生物具有通式(I)，其中：R代表C2～C12直链或支链的烷基；D代表胺基基团。该类化合物具有较大的多光子吸收截面。
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