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公开(公告)号：CN106209003A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610527875.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极-单晶氧化物-金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
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公开(公告)号：CN116781033B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN116599481B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119254176A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299391.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的声表面波单向发射结构，所述结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的支撑衬底；其中，所述支撑衬底的慢剪切波的相速度大于激发的声表面波的相速度。对比传统的单向发射装置，本发明在相同的线宽制程下，可以覆盖的频率是传统单向发射器的两倍；更大的叉指换能器线宽意味着在相同的工作频率下，本发明可以承受更高的功率。
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公开(公告)号：CN119227383A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411351418.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开了一种声表面波谐振器的热仿真方法、装置及存储介质，所述方法包括：构建热仿真传热模型；获取热仿真传热模型中两个相邻的第一结构层以及第二结构层；计算建模厚度与实际厚度之间的比值；根据比值确定第一结构层与第二结构层之间的热流差异系数；根据热流差异系数以及第二结构层的第二热导率，确定第二结构层沿横坐标方向的横轴热导率公式以及第二结构层沿纵坐标方向的纵轴热导率公式；根据横轴热导率公式以及纵轴热导率公式，确定声表面波谐振器的稳态温度仿真结果。本申请得到的仿真结果可以随不同支撑衬底的建模厚度收敛，从而提高了热仿真结果的准确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119093899A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411261043.5
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器、滤波器及通信设备。该声表面波谐振器包括压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上的叉指换能器；所述叉指换能器包括两个汇流条和多个电极指；每个所述汇流条连接有多个所述电极指，且不同汇流条上的多个电极指沿第一方向交错排布；所述第一方向为所述汇流条的长度延伸方向；其中，所述两个汇流条中的至少一个汇流条为螺旋结构。从而可以提高该声表面波谐振器的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN112688657B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
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公开(公告)号：CN118249770A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410151067.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用，所述声学谐振器的结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的SiO2中间层(2)；位于所述SiO2中间层(2)上方的压电薄膜(3)；位于所述压电薄膜(3)上方的金属电极；所述金属电极由相同厚度或不同厚度的接地电极(4)和信号电极(5)组成或者由相同厚度或不同厚度的叉指电极(6)和反射栅(7)组成。本发明通过改变金属电极的厚度可实现谐振器对不同机电耦合系数、谐振频率以及声速的需求。
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公开(公告)号：CN113381724B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
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公开(公告)号：CN117997301A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410004876.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器和双工器，其中，声表面波谐振器包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；叉指换能器，形成在所述压电薄膜上；还包括：电场施加装置，用于对所述压电薄膜的晶体施加电场，在所述叉指换能器的孔径边界处形成能够对压电声波强反射的铁电畴壁，所述铁电畴壁使得朝向孔径边界正向传播的行波和朝向孔径边界反向传播的行波的相位相等。本发明在实现横向模抑制的同时，没有影响主模的谐振特性，并且也没有改变原有的IDT的工艺以及参数空间。
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