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公开(公告)号：CN119254175A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299344.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的叉指电容，所述叉指电容结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极；位于所述压电薄膜下方的二氧化硅功能层；位于所述二氧化硅功能层下方的支撑衬底；其中，所述二氧化硅功能层为可选结构。本发明的叉指电容对比片外集成的IPD电容，在集成化和微型化方面有着明显的优势。
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公开(公告)号：CN115425945A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211034733.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波滤波器，包括：支撑衬底、压电层、谐振器构件和杂模抑制构件；压电层设置在支撑衬底上；谐振器构件设置在支撑衬底上；杂模抑制构件的一端与谐振器构件的输出端连接，杂模抑制构件的另一端接地；杂模抑制构件的谐振峰所在频率与谐振器构件高频杂散模式的中心频率一致，且当杂模抑制构件的最低频率激发模式为零阶水平剪切波模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的第一预设数值倍数，当杂模抑制构件的最低频率激发模式为高频杂散模式时，杂模抑制构件的波长不超过谐振器构件的波长的第二预设数值倍数。本发明能够有效抑制声表面波谐振器材料本身特性产生的高频杂模，提高声表面波滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN119093899A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411261043.5
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器、滤波器及通信设备。该声表面波谐振器包括压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上的叉指换能器；所述叉指换能器包括两个汇流条和多个电极指；每个所述汇流条连接有多个所述电极指，且不同汇流条上的多个电极指沿第一方向交错排布；所述第一方向为所述汇流条的长度延伸方向；其中，所述两个汇流条中的至少一个汇流条为螺旋结构。从而可以提高该声表面波谐振器的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN119420314A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411316587.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器的结构包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上方的复合压电薄膜；位于所述复合压电薄膜上方的电极层；其中，所述复合压电薄膜包括上层压电薄膜和下层压电薄膜；所述上层压电薄膜和下层压电薄膜的切向相反，上层压电薄膜和下层压电薄膜的晶圆切边方向之间存在夹角。本发明在保持主模式机电耦合系数基本不变的情况，大幅度的抑制其他杂散模式，使得滤波器具有较好的带外抑制，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117782179A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311799977.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D5/48
Abstract: 本发明涉及一种声表面波传感器，包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；输入端换能器和输出端换能器，均设置在所述压电薄膜上；所述输入端换能器和输出端换能器之间形成检测区域；第一反射端，设置在所述电薄膜上，并位于所述输入端换能器形成检测区域的相对侧；第二反射端，设置在所述电薄膜上，并位于所述输出端换能器形成检测区域的相对侧。本发明能够提高传感器的检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119519641A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411531432.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种声表面波带通滤波器以及其设计方法、电子设备，其中，该方法包括：确定谐振器的第一结构参数以及确定第二结构参数，第二结构参数包括压电薄膜的压电材料及厚度；提取构建的各谐振器的面内传输方向相关的第一关系和第二关系；基于第一关系和第二关系，搭建目标滤波器；目标滤波器包括基本谐振器组和补偿谐振器组，基本谐振器组在滤波器的中心频率处的频率温度系数为零，补偿谐振器组在传输零点处的频率温度系数为零；若检测目标滤波器的频率温度系数不为零，返回确定第二结构参数的步骤，直至检测目标滤波器的频率温度系数为零。本申请通过让谐振器互相作用保证滤波器的通带范围不随温度变化而变化，实现了频率温度系数为零的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN115412052A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211034736.1
申请日：2022-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种声表面波谐振器，包括：由下至上层叠设置的支撑衬底、压电薄膜和电极结构；电极结构的两侧分别设置有一个反射栅阵列；电极结构包括输入区叉指电极阵列、切换区叉指电极阵列和输出区叉指电极阵列；输入区叉指电极阵列、切换区叉指电极阵列和输出区叉指电极阵列并列且串联连接；输入区叉指电极阵列的输入端为声表面波谐振器的输入端，输入区叉指电极阵列的输出端与切换区叉指电极阵列的输入端连接；切换区叉指电极阵列的输出端与输出区叉指电极阵列的输入端连接，输出区叉指电极阵列的输出端为声表面波谐振器的输出端。本发明能够在保证声表面波谐振器性能的同时，有效降低其静态电容，满足设计需求。
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公开(公告)号：CN119420313A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411557180.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可重构的声学谐振器及其制备方法，所述声学谐振器包括支撑衬底；位于支撑衬底上的具有凹槽的压电膜；凹槽中设置有发热金属层；位于发热金属层上的第二绝缘介质层；位于压电膜上的第一汇流条、第二汇流条、叉指电极以及相变开关；其中，第一汇流条、第二汇流条相对设置于压电膜的边缘表面；叉指电极设置于第一汇流条与第二汇流条之间，叉指电极包括固定电极以及调谐电极；相变开关的两端均与调谐电极连接。本发明压电膜上的叉指电极通过相变开关与汇流条连接，可以通过控制单元对相变开关进行状态控制，以实现调谐电极的电位可控，从而使得压电膜上的电学条件发生变化，进而实现声学谐振器的频带移动。
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公开(公告)号：CN118209628A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410186256.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种复合衬底的电声换能结构及其制备方法和应用，所述结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的压电薄膜(2)；位于所述压电薄膜(2)上方的金属电极；所述金属电极由第一汇流条(3)和第二汇流条(4)组成；所述第一汇流条(3)位于所述第二汇流条(4)内部。本发明既可以通过输入电学信号激发弹性波，也可以对物体中的弹性波进行探测，使得激励和检测都可通过本发明的结构实现。
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公开(公告)号：CN118017963A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410104774.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬空型的兰姆波器件，通过使用非极化a面氮化铝(AlN的C轴位于器件平面)，基于声表面波的电极结构激发S0模式即可达到与传统FBAR结构相近的机电耦合系数，可实现由光刻尺寸定义的谐振频率，且由于AlN的高声速能够形成高频器件。并通过在悬空的AlN两侧沉积介质层，可以有效抑制其他的杂散模式。
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