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公开(公告)号：CN102931057A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210461745.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；覆盖于所述Al2O3介电薄膜层和衬底表面的BN薄膜层；形成于所述BN薄膜层上方的石墨烯；设置在所述石墨烯上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与石墨烯电性连接。本发明制备的BN薄膜层与Al2O3介电薄膜层共同构成新型的栅介质结构，有效保持了石墨烯中固有载流子的高迁移率，增强栅极的场效应作用，适用于石墨烯基高射频器件及碳基大规模集成电路制造领域。
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公开(公告)号：CN102633258A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210144356.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底进行高温退火，在所述催化金属层与衬底界面析出碳原子层即为石墨烯薄膜，最后去除所述催化金属层，从而在所述衬底上的制备出石墨烯薄膜。该方法简化了制备石墨烯的工艺步骤，可以无需转移的直接在任何衬底上制备石墨烯，从而不会造成石墨烯结构的破坏和污染，实现了高质量石墨烯直接在所需衬底上的应用，因此该制备方法将能更快地推动石墨烯在不同领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN102433544A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201210007583.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN101999895A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010544329.6
申请日：2010-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/04
Abstract: 本发明公开了一种用于心磁图仪的多点扫描定位系统和方法。所述的系统包括：(1)可调定位杆，其末端装有反光探头，可映射出无磁床在水平方向的移动；(2)反射式红外检测模块，与定位杆反光探头联系，利用反射机理来检测探头是否位于模块正上方；(3)扫描点阵基板，按特定分布排列固定红外发射接收模块；(4)微处理器模块(MCU)，检测红外发射接收模块上接收管状态，识别并发送电平信号给心磁处理软件。定位方法是首先调节无磁床与定位杆，根据已知基准点来基准心脏位置，然后利用红外发射接收对管和利用单片机，移动无磁床，定位若干阵点，完全对应上述需要测试的心脏上方的位置点，通过磁传感器来采集这些位置点的信号，从而得到完整心磁信号。
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公开(公告)号：CN101907693A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010220629.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00 , G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种SQUID平面三轴磁强计串扰定量标定及消除方法，其特征在于平面三轴磁强计的串扰存在于反馈线圈与相邻SQUID之间，测试反馈线圈与SQUID间的互感可对串扰进行定量标定，在此基础上消除串扰。本方法包括以下步骤：(1)SQUID平面三轴磁强计准备；(2)三轴串扰定量标定；(3)串扰分析与消除。其特征是：采用平面裸SQUID组成的三轴磁强计代替传统线绕磁强计，以互感为指标标定串扰大小并进行消除。本发明的优点是：平面SQUID磁强计集成度高，避免了线路传输带来的磁通干扰，串扰的标定和消除保证了平面SQUID磁强计的优化使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894906A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010202118.4
申请日：2010-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种超导台阶结的制备方法，其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜，将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶，再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上；利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力，使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上，使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构，最后再利用微加工工艺构造微桥结构，成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤：1)台阶衬底制备；2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底；3)保护和选择；4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺，采用非常少量的超导单晶即可实现；单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。
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公开(公告)号：CN119890183A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510022215.1
申请日：2025-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种传输线结构、制备方法及其应用，该传输线结构包括衬底、绝缘介质层及导电布线层，其中，衬底中设有多个贯穿衬底的通孔，且通孔的内壁倾斜设置，绝缘介质层覆盖衬底的第一表面、第二表面及通孔的内壁，导电布线层位于绝缘介质层表面，导电布线层包括中心导线，中心导线作为信号线。本发明通过在通孔内壁上直接形成中心导线(即孔内传输线)，实现了与第一表面和第二表面上的中心导线(平面传输线)结构设计的一致性，从而保证了阻抗匹配，避免了信号在孔内传输线与平面传输线之间传递时因阻抗不匹配而导致的信号损耗，从而显著提升信号传输的完整性和效率，有助于实现更高频信号的稳定传输。
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公开(公告)号：CN112946761B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110145543.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/08
Abstract: 本发明提供一种低温系统及超导量子干涉系统，所述低温系统包括：无磁杜瓦，包括：杜瓦瓶底及与所述杜瓦瓶底连接并向上延伸的杜瓦瓶身，所述杜瓦瓶底与所述杜瓦瓶身共同围成一瓶内空间；超导量子干涉器件，置于所述瓶内空间中，并安装于所述杜瓦瓶底；低温引线，置于所述瓶内空间中，其一端与所述超导量子干涉器件的引线端子连接，并沿所述杜瓦瓶身的内壁向上延伸以使其另一端与引线接口连接，其中所述引线接口安装于所述杜瓦瓶身的顶端面上；低温插入件，插设安装于所述杜瓦瓶身的顶端面。通过本发明提供的低温系统及超导量子干涉系统，解决了现有低温系统中超导量子干涉器件因悬臂结构极易受到外界振动干扰，从而产生额外的磁场噪声响应的问题。
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公开(公告)号：CN109712777B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910142222.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种滤波器、测试系统及滤波器的制备方法，滤波器包括：螺旋线圈，包括若干条双绞线，半数双绞线的绕线方向为顺时针方向，其余双绞线的绕线方向为逆时针方向；屏蔽盒，屏蔽盒包括盒体及盖体；盒体内形成有容纳槽，盒体的侧壁上形成有与容纳槽相连通的通孔；螺旋线圈位于容纳槽内；盖体封盖于盒体上；转接头，包括第一转接头及第二转接头；第一转接头位于盒体外侧，且经由通孔与螺旋线圈的一端电连接；第二转接头位于盒体外侧，且经由通孔与螺旋线圈的另一端电连接；屏蔽粉，屏蔽粉覆盖螺旋线圈并填满容纳槽。本发明滤波器可以过滤去除测试系统中的高频信号；屏蔽盒可以屏蔽外界磁信号对螺旋线圈的磁干扰，从而避免对测试信号造成影响。
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公开(公告)号：CN115835767A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211493020.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二超导条带线的刻蚀，同时对第二超导层即第一超导条带线进行第二次过刻，以通过双过刻工艺，提供一种亚微米乃至深亚微米尺度的约瑟夫森结的制备方法，可以解决现有工艺设备的精度限制，从而降低工艺设备成本，适用于高性能实用化超导量子干涉器件和其他基于约瑟夫森结的超导电子器件的可靠制备。
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