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公开(公告)号：CN102636878A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210070242.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种串扰率低的裸眼立体显示系统，包括：LED背光模组、显示屏和综合处理器，LED背光模组包括LED左眼子元和LED右眼子元，显示屏包括LCD屏幕和光学屏幕，综合处理器接收立体图像信号后通过向LED驱动和LCD驱动分别发送LED亮灭信号及LCD刷新信号控制LED左眼子元和LED右眼子元的亮灭并同步驱动LCD屏幕刷新，使LCD屏幕在LED左眼子元打开的时间内只刷新出左眼图像，在LED右眼子元打开的时间内只刷新出右眼图像。该系统避免了图像的左右串扰，大大降低了串扰率。
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公开(公告)号：CN102243974A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110137365.5
申请日：2011-05-25
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构。该结构包括阴极基板，栅极基板和阳极基板。本发明的场发射显示器的像素单元的开关状态由第一栅极电极和第二栅极电极控制，驱动电压低，结构中不需制作薄膜绝缘层，利于降低成本。本发明中的电极结构能确保阴极电极、第一栅极电极和第二栅极电极三者之间具有高强度的电绝缘特性，利于提高场发射显示器结构的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN101580267A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910004552.9
申请日：2009-03-04
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供了一种低温加热锌和催化剂生长氧化锌纳米结构的方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，除去衬底上的杂质；(2)在衬底上沉积锌层；如果需要定位生长，则通过用丝网印刷或旋涂光刻或其他定位沉积的方法，在衬底表面上定域制作锌层；(3)在锌层上制作催化剂层；(4)在含氧气氛中加热至250℃以上，升温速率为2～50℃/分钟，并在设定温度下保温10分钟～5小时，最后降温。由于锌和催化剂可以预先精准地定位安放，因此该方法便于应用在氧化锌纳米线和纳米尖针阵列的精准定位制备。由于温度可以低于650℃，因此可以在玻璃等衬底上制备，实现低成本制备大尺寸精准定位的氧化锌纳米线和纳米尖针阵列。
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公开(公告)号：CN100548871C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610035748.0
申请日：2006-06-01
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种具有二阶阵列的三维半导体纳米结构阵列及其制备方法。该三维半导体纳米结构阵列为在规则排列的一维纳米棒组成的一阶阵列基础上，再在每一根纳米棒表面生长有许多更细小的二阶纳米线阵列，其材料为半导体晶体。制备方法采用两步法，首先制备金属纳米线一阶阵列，再对一阶纳米阵列结构进行硫化或氧化气-固反应，最终获得具有二阶阵列的三维半导体纳米结构阵列。采用本方法制备的三维纳米阵列结构排列有序，周期性好，材料晶体结构完整，高度可控、可制备大面积三维纳米阵列结构。其制备过程和设备简单，工艺可控，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100498901C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710029287.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 中山大学
CPC classification number: Y02B20/343
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示器件(Field Emission Display，简称FED)显示驱动的γ校正方法。发明内容及特征是：采用较大位宽量化图像信号，引入γ校正处理，输出固定位数的图像数据信号驱动场致电子发射显示器件，实现显示器件的发光亮度随输入图像灰度信号的大小呈线性变化。本发明能够在不增加驱动电路复杂性的情况下，提高图像的灰度层次，改善图像的显示质量。
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公开(公告)号：CN101353816A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810029310.0
申请日：2008-07-08
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法。以金属钨粉末和氧化钨粉末为蒸发源，以耐高温的材料为衬底，氧化钨铅笔状纳米结构合成在加热装置里进行。在真空环境中，在保护气氛环境下，通入小量的氧气，采用多步加热方法控制蒸发源和衬底的温度，在衬底上依次生长形成氧化钨纳米核、纳米棒阵列、低密度纳米棒阵列和铅笔状纳米结构阵列。本方法可以推广应用到基于热蒸发沉积法的、其它材料铅笔状纳米结构的制备。铅笔状纳米结构具有高的电场增强因子，可以在低电场下获得场致电子发射的性能，它可以作为冷阴极材料应用在冷阴极电子源、场发射平板显示器和冷阴极发光器件上。
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公开(公告)号：CN101241101A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810026650.8
申请日：2008-03-06
Applicant: 中山大学
IPC: G01N27/407
Abstract: 本发明涉及一种微加工气敏元件及其制备方法，包括管座、基片部件以及连接两者的连接部件，其中基片部件自下而上依次由基片、制作在基片上的微电极，覆盖在基片及微电极上的低电阻率气敏材料层构成，通过微加工工艺，在基片上制作间隔微电极条，随后将低阻气敏材料层覆盖在基片及微电极上形成基片部件，并使基片部件隔热通电工作。本发明气敏元件利用通电后微电极和气敏材料的串联电阻产生的焦耳热即可达到所需的工作温度，从而无需附加加热电极或加热装置，简化了器件的封装工艺和后续电路的复杂性，减少了制作成本和提高了生产效率，适合批量生产，而且本发明使元件面积得以缩小从而实现气敏元件小型化，降低元件功耗。
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公开(公告)号：CN101136296A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710028903.0
申请日：2007-06-29
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示器隔离体制作方法。采用丝网印刷技术，在基板上需要制作隔离体的位置印制粘接浆料，通过自组装或钢板模板辅助，将隔离体定位安装于粘接浆料上。通过烧结固化粘接浆料，使隔离体牢固地安装在基板上。该方法在场发射显示器件和其他平板显示器件制作中均有应用前景。
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公开(公告)号：CN101013648A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710026835.4
申请日：2007-02-08
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种基于分立可插式电子源阵列的场发射显示模块，包括母板、若干个电子枪、荧光屏，其特征在于：若干个电子枪插入母板中排列成矩阵状的电子源阵列，同行的电子枪栅极连通而具有相同的电位，同列的电子枪阴极连通而具有相同的电位；荧光屏固定于电子源阵列的电子发射方向的前方。本发明电子枪插接于母板上形成电子源阵列，荧光屏不分区，电子源阵列中的各个电子枪共用整块荧光屏，彼此之间无封装玻璃间隔，通过调节荧光屏与电子源阵列之间的电子光学系统，可控制像素直径的大小，当像素直径恰好等于像素间距时，像素连续，从而提高了显示屏的分辨率。
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