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公开(公告)号：CN108597985A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810342637.7
申请日：2018-04-17
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种能够获得ε相氧化镓半导体结晶膜的叠层结构，及相应的制备方法。该叠层结构主要由蓝宝石衬底和ε相氧化镓半导体结晶膜构成，该叠层结构的制备方式是利用化学气相沉积，在蓝宝石衬底上沉积ε相氧化镓半导体结晶膜。所述蓝宝石衬底厚度为100～1000μm，所述蓝宝石衬底的实际表面与蓝宝石c晶面呈0°～10°的偏离角；所述氧化镓半导体结晶膜是具有六方晶系的ε相氧化镓，厚度为0.1～100μm。本发明解决了纯相ε-Ga2O3结晶膜难于制备的问题，为氧化镓半导体材料的制备提供了一条新技术路线。
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公开(公告)号：CN118590025A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410625865.0
申请日：2024-05-20
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种高次谐波体声波谐振器及其在高能射线探测中的应用，涉及半导体技术，针对现有技术中高能辐照与压电层吸收很难匹配的问题提出本方案。技术核心在于所述衬底用于吸收入射的高能射线以改变声波传播速度。优点在于，克服了本领域的技术偏见，不再利用压电层来吸收高能射线的能量。相反地，利用厚度更大的衬底进行能量吸收，既不会因为能量吸收层厚度增大的因素影响了器件的工作频率，同时避免因为对压电层的吸收依赖而降低压电层寿命。由于能量吸收完全不再依赖于压电层，因此压电层的厚度也能采用更薄的方案，提高器件谐振频率。
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公开(公告)号：CN118052188A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410110189.3
申请日：2024-01-25
申请人： 中山大学
IPC分类号： G06F30/392 , H10N30/85 , H10N30/00 , H10N30/20 , H03H9/64
摘要： 本发明公开了一种配置氧化镓SAW滤波器的芯片及其设计优化方法，涉及芯片设计工艺，针对现有技术中谐振器方向固定的问题提出本方案。至少两个谐振器的长轴之间形成非零夹角；所有谐振器均设有ε相氧化镓压电薄膜，且每一ε相氧化镓压电薄膜的晶面均为(001)。优点在于，充分利用了ε‑Ga2O3压电薄膜给器件设计带来的灵活性，将滤波器的并联谐振器作适度旋转，规避了所有器件平行摆放时，由于排布方式制约所带来的版图面积优化幅度有限的问题。相比普通设计，芯片面积大大减小，可以进一步节约材料成本。解决了方向性限制，可以降低版图设计的难度，方便简化设计流程，实用性高，适合大多数的电路拓扑结构，能减少产品开发在版图设计这一环节占用的时间。
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公开(公告)号：CN117318647A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311239318.0
申请日：2023-09-25
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种温度补偿型氧化镓声表面波谐振器及其制备方法。一种温度补偿型氧化镓声表面波谐振器，包括由下至上依次设置的：基底、补偿介质层、氧化镓压电层和叉指电极；所述补偿介质层的温度漂移系数与所述氧化镓压电层的温度漂移系数符号相反；所述补偿介质层分布有开孔，开孔穿过补偿介质层向下贯通至暴露出基底；所述氧化镓压电层从暴露的基底开始生长，经开孔向上生长，然后横向生长覆盖整个补偿介质层。本发明通过采用薄膜横向生长的方法，顺利实现了ε‑Ga2O3薄膜在温度补偿介质层上的生长，最终构造出具有高温度稳定性的ε‑Ga2O3声表面波谐振器结构。
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公开(公告)号：CN113594252A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110858315.X
申请日：2021-07-28
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法，针对现有技术中如何解决器件反向耐压和导通电阻之间的矛盾提出本方案。主要特点在氧化镓漂移层上端面铺设超结P型掺杂层，使得超结P型掺杂层与氧化镓漂移层构成超结结构。优点在于，通过在氧化镓功率晶体管引入p型氧化物半导体形成异质pn结的超结结构，利用超结的耗尽作用改善关态时器件漂移区的电场分布，从而实现漂移区的全耗尽，大幅度提升器件反向耐压；另一方面，可以通过比例的增加氧化镓漂移层和超结P型掺杂层的掺杂浓度，在保持高反向耐压的同时显著降低器件导通电阻。此外，该方法巧妙的规避了氧化镓材料难以实现p型掺杂的局限，制备工艺简单可靠。
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公开(公告)号：CN109659411B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811511210.1
申请日：2018-12-11
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种氧化镓半导体叠层结构。所述氧化镓半导体叠层结构包括图形化蓝宝石衬底和生长在图形化蓝宝石衬底上的氧化镓结晶膜；所述氧化镓为纯ε相或纯α相氧化镓；所述图形化蓝宝石衬底的实际表面和c晶面存在0°‑10°的偏离角，所述图形化蓝宝石衬底厚度为400微米至2毫米；所述图形化蓝宝石衬底的图形形状为沟槽形、六边形、三边形、半球形、圆锥形、金字塔形、圆台形、六棱锥、三棱锥或三棱台形中的一种或多种，图形结构高度为100纳米至2微米。本发明解决了异质衬底上生长ε相或α相氧化镓过程中易产生混相的问题，能够在异质衬底上获得纯ε相氧化镓或纯α相氧化镓。
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公开(公告)号：CN110487739A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810999668.X
申请日：2018-08-30
申请人： 中山大学
IPC分类号： G01N21/3504
摘要： 本发明公开了一种MOCVD实时在线红外检测系统，包括：反应釜、反应池控制主机、气体池、主机控制软件和主机定量软件；所述反应釜中安装有多个气体管道，所述反应池控制主机上设有探头，所述探头从侧面插入所述气体池内；所述反应釜中的气体组分通过所述气体管道进入所述气体池；所述探头连续对流过所述气体池的气体成分进行跟踪检测，所述主机控制软件实时计算出精确的反应组分数目、生成反应组分浓度变化曲线，以及纯组分三维红外光谱图；所述主机定量软件实时定量的测得反应体系中各种组分的含量和浓度的变化。本发明有效地解决MOCVD反应过程复杂、高温及压力条件下难以取样分析反应的问题，方便科研人员了解关键过程参数，提高过程稳定性和效率。
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公开(公告)号：CN110480292A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810994014.8
申请日：2018-08-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： B23P19/00
摘要： 本发明提供了一种自动化工艺线的金属料盘视觉定位系统，包括机械手臂、机台和金属料盘放料位，所述机械手臂上设置有抓取工具和手臂相机，所述机台设置有料盒和机台相机，所述视觉定位系统还包括控制系统，所述机械手臂与控制系统通过通信连接形成无间隙上下料的高自动化单元，其特征在于：所述控制系统包括，视觉定位程序，晶片模板，金属料盘模板，相机坐标系，机械手臂坐标系和金属料盘放料位，所述金属料盘放料位的坐标与所述金属料盘模板坐标一致。用以解决现有技术中机械手臂抓取不够灵活、准确的缺陷。
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公开(公告)号：CN110429170A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910542874.2
申请日：2019-06-21
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种用紫外光固化的芯片器件封装工艺，包括如下步骤：S1.将紫外固化胶在室温下搅拌混合均匀后进行抽真空除气泡，形成均匀稳定的紫外固化胶；S2.将紫外固化胶均匀涂敷在封装基板和芯片表面，紫外固化胶对芯片形成包覆结构且与封装基板和芯片接触良好；S3.将所需波长的近紫外光均匀的照射在紫外固化胶表面，待紫外固化胶反应完全固化后移除近紫外光，完成紫外光固化封装工艺。本发明采用MTQ硅树脂、含有巯基的MTQ硅树脂、含有苯基的MTQ硅树脂和光引发剂制备紫外固化胶，极大地提高了紫外固化胶对芯片封装的密封性以及透明稳定性。本发明所述封装工艺成本低廉且高效快速，具有显著的经济效益。
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公开(公告)号：CN110085661A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910328191.7
申请日：2019-04-23
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种氧化镓半导体的叠层结构及其制备方法，包括硅衬底和生长在所述硅衬底上的氧化镓半导体层，所述硅衬底和氧化镓半导体层之间设置有金属插入层；所述硅衬底表面与硅(111)晶面存在0°～10°的偏离角；所述金属插入层是立方相的钨、钼、铱、铑、钒、铬、铂、钯、铁、镍、铜、金、银、铝中的一种或多种，或者是六方相的铼、钌、铪、锆、钛、钴中的一种或多种；所述氧化镓半导体层为具有六方对称性的ε相或α相氧化镓，厚度不超过50μm。本发明通过引入金属插入层，解决了高质量Ga2O3结晶膜难于在Si衬底上制备的问题，该结构同时还可以用于制备具有垂直结构的半导体器件。
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