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公开(公告)号：CN102593232B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210073222.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
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公开(公告)号：CN102544184B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210073365.8
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层，p型(或n型)半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层，在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率，并有效降低其材料成本。
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公开(公告)号：CN103149521A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310031364.1
申请日：2013-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种太阳能电池热阻测试装置及其测试方法，涉及太阳能电池的测试。所述装置设白光LED光源、被测太阳能电池、恒温夹具、直流电源和瞬态热阻测试仪；直流电源与白光LED光源连接；被测太阳能电池固定在恒温夹具表面并与负载电阻串联，瞬态热阻测试仪正负极与被测太阳能电池正负极相接。将装置放在黑暗环境中，调节直流电源输出电流以调节白光LED的辐射照度；结温测试；热功率计算；将结温和热功率代入公式即得电池热阻。利用白光LED作为电池的激发光源，排除红外光对电池结温的影响，在不同辐射照度下用瞬态热阻测试仪测量得到电池的结温，而且在考虑光子吸收和电池电能消耗两方面基础上，正确计算电池的热功率，得热阻。
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公开(公告)号：CN102969419A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210568649.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，涉及一种发光二极管。弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片设有蓝宝石衬底、未掺杂的GaN缓冲层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层；所述未掺杂的GaN层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱、P型AlGaN层和P型GaN层从下至上依次设在蓝宝石衬底上；所述介质层为SiO2层或SiN层。晶体质量较好，可提高LED的内量子效率，在弱极性面上实现非平面的有源层结构。
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公开(公告)号：CN102593232A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073222.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118937944A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411158132.7
申请日：2024-08-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种微型LED芯片多路非接触光电特性检测装置及方法。装置包括：激光输入模块，用于向显微镜输入多束激光；显微镜，用于将多束激光进行聚焦，并同步照射至晶圆上当前区域对应的多组待测芯片；承载模块，设置于所述显微镜上，用于将晶圆承载于显微镜的物镜成像平面上，并可移动晶圆的位置，以使得激光照射在晶圆不同区域的多组待测芯片；数据采集模块，通过导电薄膜与晶圆上的待测芯片连接，用于对导电薄膜中各薄膜阵列对应的待测芯片的光电流信号进行数据采集；光谱信息分析模块，用于对待测芯片的荧光信号进行采集，输出光谱分析数据。本方案能实现多路微型LED芯片光电信号同步激发、检测，实现对批量LED芯片非接触式光电特性检测。
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公开(公告)号：CN118281125A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410425843.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于通孔电极的垂直堆叠式全彩化Micro‑LED器件及其制备方法，采用垂直堆叠的芯片结构，垂直堆叠的芯片结构按序包括第一发光单元、第一隧道结、第二发光单元、第二隧道结和第三发光单元，第一发光单元、第二发光单元的第一电极分别通过导电通孔引出至第三发光单元一侧表面并与第三发光单元的第一电极形成共电极，第二发光单元、第三发光单元的第二电极分别通过导电通孔引出至第一发光单元一侧表面并与第一发光单元的第二电极彼此独立。本发明采用垂直堆叠结构设计三色外延片层，使正负电极分别位于上下两侧并能实现单独点亮每个发光单元的功能，缓解了电流拥挤现象，能够显著提升全彩化显示器件的性能。
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公开(公告)号：CN117804598A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311852175.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种高灵敏门控雪崩光电二极管高速检测系统，涉及光电应用领域。利用高速门控电流采样电路进行多周期累加增强APD对弱光的响应度，同时保持高灵敏度，实现对极弱光的高速检测。系统包括APD探测器、高速门控电流采样电路、示波器、信号发生器、TEC恒温控温模块、高压可调偏置电源和上位机；系统通过高速门控电流采样电路对APD产生的电流信号进行采样，实现对待测光源某一时刻强度的准确测量，实现高时间分辨率的检测能力。通过叠加待测光源多个周期中相同相位点的强度，提高输出信号的信噪比。系统按时间顺序测量待测光源发光周期内不同相位处的强度，从而得到待测光源整个周期内的强度变化。
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公开(公告)号：CN117315150A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311254364.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种计算紫外杀菌灯空间任意位置辐照度的方法，涉及紫外灯光谱辐照度测试、杀菌能力评估领域。1)灯具3D重建：判断灯具是否符合关于中轴线旋转对称，若不符合则利用SFM和MVSNet重建灯具三维模型；若符合则采用快速三维重建方法LR‑Net重建灯具三维模型；2)蒙特卡罗光线追迹：将获取的光源近场光分布分割为微面光源，为发光面建立一定的抽样规则并分配权重，采用随机抽样法来产生大量到达发光体表面的光线，以发光体表面的落点为新的起点追踪每一条光线的光谱信息到接收面上，在接收面上划分网格统计对应位置的光谱辐照度，根据光谱辐照度信息计算任意位置不同波段下，不同种类细菌的消杀时间以及人类的安全暴露时间。
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公开(公告)号：CN114280453A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111597317.4
申请日：2021-12-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种微型柔性电极阵列及测试方法，涉及芯片和芯片检测工具。微型柔性电极阵列包括：透明基板；透明基板上表面设金属线路层，金属线路层远离透明基板的一面设透明或半透明柔性缓冲层；缓冲层在金属线路层上表面，金属电极层在缓冲层上表面及侧面，金属电极层与金属线路层连接，金属电极层正对于待检测微型芯片电极，绝缘层在两层金属线路层中间。移动透明基板使金属电极层与待检测微型芯片电极对准接触，对待测微型芯片通电测试特性，筛选芯片。柔性结构避免待测微型芯片被探针损伤，利于与待测微型芯片不平整电极的可靠接触，透明基板、透明或半透明缓冲层方便与待测微型芯片电极准确对准；电极阵列有利待测微型芯片批量测试，提高芯片检测速度。
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