曲面显示面板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN115469485B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211359354.6

    申请日:2022-11-02

    IPC分类号: G02F1/1337

    摘要: 本申请提供一种曲面显示面板及其制备方法、显示装置,曲面显示面板包括第一基板、第二基板、液晶层、第一配向层和第二配向层,所述第一基板与所述第二基板相对设置。所述第一配向层设于所述第一基板朝向所述第二基板的表面,所述第二配向层设于所述第二基板朝向所述第一基板的表面,所述液晶层位于所述第一配向层和所述第二配向层之间;所述第一配向层包括多孔结构层和配向材料,所述多孔结构层设有多个填充孔,所述多孔结构层连接于所述第一基板朝向所述第二基板的表面,且多个填充孔垂直于所述第一基板的表面,所述配向材料填充于多个所述填充孔。本申请提供的技术方案能够减少曲面显示面板的显示影像中的暗团现象,提升显示效果。

    显示面板及其制作方法
    74.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113867057A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111141938.1

    申请日:2021-09-28

    摘要: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法,所述显示面板的制作方法,包括步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成有机材料层;在所述有机材料层上形成透明导电层;对所述透明导电层进行氧化处理;形成显示面板。通过上述方案,以提高透明导电层的抗干扰能力。

    薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板

    公开(公告)号:CN113380896A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110554362.5

    申请日:2021-05-20

    摘要: 本申请公开一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板,其中薄膜晶体管包括衬底、栅极层、栅介质层、有源层、欧姆接触层和极性层;栅极层设置在衬底上;栅介质层覆盖在衬底和栅极层上;有源层设置在栅介质层上;欧姆接触层的数量为两个,两个欧姆接触层间隔设置于有源层上;极性层的数量为两个,两个极性层一一对应的设置于欧姆接触层背离有源层的一侧面,极性层至少包括与欧姆接触层接触的缓冲层。本申请中,缓冲层起到均化应力的作用,在后续加工时,作用应力先经缓冲层然后传递至欧姆接触层和有源层,并且使作用在欧姆接触层和有源层的挤压力更均衡,避免应力集中,从而降低对欧姆接触层和有源层上造成的损伤,有效改善显示残影问题。

    薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板、显示器件

    公开(公告)号:CN113314424A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110584006.8

    申请日:2021-05-27

    摘要: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板、显示器件。薄膜晶体管包括栅极绝缘层,且栅极绝缘层的材料含有硅元素,且所述栅极绝缘层的表面上含有Si‑N或/和Si‑O化学键。薄膜晶体管的制备方法包括步骤有:在形成有栅极的基板表面上形成含硅元素的栅极绝缘膜;对栅极绝缘膜进行热改性处理在栅极绝缘膜表面生成Si‑N或/和Si‑O化学键。薄膜晶体管阵列基板、显示器件均含有薄膜晶体管。薄膜晶体管在栅极绝缘层表面上含有Si‑N或/和Si‑O化学键,薄膜晶体管器件如阈值电压等性能稳定。薄膜晶体管的制备方法工艺易控,制备的薄膜晶体管性能稳定,薄膜晶体管阵列基板性能和显示器件的显示质量均得以提高。

    量子点层及其制备方法和电致发光二极管

    公开(公告)号:CN113066950A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110309397.2

    申请日:2021-03-23

    摘要: 本申请公开了一种量子点层及其制备方法和电致发光二极管。所述量子点层的制备方法,包括的步骤有:将分级多孔材料制备成分级多孔模板层;在惰性环境中,向所述分级多孔模板层所含孔洞中脉冲交替通入量子点反应源气体和还原性气体,在所述孔洞中原位生长量子点,获得形成量子点层。所述电致发光二极管含有本申请量子点层。本申请量子点层制备方法制备的量子点层能够实现发光颜色均匀性的调控,且发光亮度高,并扩宽色域,而且具有更好的发光颜色显示效果更高的发光稳定性优点。另外,量子点层的制备方法制备工艺易控,制备效率高,能够有效保证制备的量子点层性能稳定,而且可实现大规模生产。

    一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板

    公开(公告)号:CN112242298A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202010960576.8

    申请日:2020-09-14

    摘要: 本申请公开了一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板,包括通入硅烷前驱体的步骤:在原子层沉积装置中持续通入预设时间的硅烷前驱体,完成通入后停留预设时间;第一次通入惰性气体的步骤:通入惰性气体,持续吹扫预设时间;通入供氮前驱体的步骤:持续通入预设时间的供氮前驱体,完成通入后停留预设的时间;第二次通入惰性气体的步骤:通入惰性气体,持续吹扫预设时间;以及重复预设次数的通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤,以形成氮化硅薄膜。解决液晶面板显示出现暗点现象。