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公开(公告)号：CN103149571A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310052234.6
申请日：2013-02-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01S19/07
Abstract: 本发明公开了一种基于GNSS信号辅助的时频差综合修正方法，具体步骤如下：（1）利用低轨卫星星载导航接收机与GEO卫星的位置坐标算出2颗低轨卫星在当前历元的轨道坐标与运动速度，以及2颗低轨卫星分别至GEO卫星的距离及2颗低轨卫星间的距离。（2）根据GEO卫星坐标以及算出的2颗低轨卫星当前历元轨道坐标与速度参数，计算出低轨卫星的到达时差修正量和到达频差修正量，并据此修正量对低轨卫星导航接收机得到的辐射源的修正前到达时差和到达频差进行修正，得到修正后的到达时差和到达频差。采用本方法能够对辐射源到达时频差的固定偏差进行很好的修正，从而显著提高空天无源定位系统的辐射源定位精度。
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公开(公告)号：CN207977954U
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201820160361.6
申请日：2018-01-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于方向回溯阵列的姿态不稳定小卫星通信装置，包括正六面体小卫星，还包括设在小卫星外表面上的天线部分、设置在小卫星内部的射频前端电路部分和软件无线电部分，天线部分通过同轴线与射频前端电路部分连接，射频前端电路部分还与软件无线电部分连接。该装置省去了控制力矩装置、姿态测量和控制装置部分，体积小、质量轻，解决了现有卫星在需要携带姿态调整系统和传统卫星系统功能单一、技术体制固定、应对突发事件能力差、难以适应变化的电磁环境的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422040U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720041157.8
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本实用新型具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN203118954U
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201320030306.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本实用新型相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN207977907U
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201820205519.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种利用运输托盘的发电装置，该装置包括托盘本体，以及设在托盘本体内的压电转换模块和充电模块，压电转换模块的输出端与充电模块连接，还包括与充电模块输出端连接的储能电池；所述的托盘本体，包括托盘底板和设置在托盘底板四周的挡板；所述的托盘底板，包括第一层底板、第二层底板、第三层底板；所述的压电转换模块，设置在第一层底板和第二层底板之间。利用该装置进行发电，可以进行自充电、储电，为托盘内的电子元件提供电能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206992300U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720859794.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种剖面低、波束宽、馈电方式简单、具有良好辐射特性能够满足海岸通信中对海岸铁塔扇区天线的要求的UHF频段超宽带±45°双极化印刷偶极子天线。该UHF频段超宽带±45°双极化印刷偶极子天线，包括绝缘介质基板、金属贴片偶极子辐射体、馈电结构以及渐变反射板；所述金属贴片偶极子辐射体上设置有中心线十字正交槽、对角线槽、圆形槽以及对数线槽；采用该UHF频段超宽带±45°双极化印刷偶极子天线剖面低、波束宽、馈电方式简单、具有良好辐射特性，其阻抗带宽达51％，实现了±45°双极化，能够满足海岸通信中对海岸铁塔扇区天线的要求。
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公开(公告)号：CN206023770U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201620955463.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B1/713 , H04B1/7136
Abstract: 本实用新型提供的跳频装置，在发射信号时，外部基带输入信号输入至控制器模块，由控制器模块直接控制各模块实现频谱搬移，并由外部天线发射出去，在接收信号时，外部天线接收跳频信号，在控制器模块的控制下，跳频信号直接进行滤波、放大、下变频，实现跳频信号至基带信号的频谱搬移，可以满足小频率步进和宽频带输出，较之于现有跳频装置，性能更优良、更稳定；设置的控制器模块、上变频模块、功率放大器、下变频模块、低噪声放大器、滤波器、频率综合器以及电子开关模块，各模块均为集成化处理电路，再将各模块集成在一个装置中，结构简单、体积小、成本低。
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公开(公告)号：CN204999607U
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201520510415.3
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81B7/04
Abstract: 本实用新型公开一种周期性碗状结构模板，包括基底1和位于基底1上方的二氧化硅2，二氧化硅2上部形成多个碗状的金属孔3，且这些金属孔3在二氧化硅2上部呈周期性排布。上述金属孔3呈十字排布、六方排布及其他周期性排布，其周期范围为10纳米～10微米。本实用新型制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。
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公开(公告)号：CN202034481U
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201120053425.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种超介质智能加载天线，其主要由接地板以及从接地板上延伸出的天线阵列组成，所述天线阵列包括一单极子和一圆柱形的超介质层，超介质层围绕单极子设置并与单极子相耦合；上述超介质层是由圆周方向上的N列以及铅垂方向上的M层的细圆柱形的金属棒围绕而成的立体均匀圆阵列，其中N介于6～20之间，M介于5～20之间；上述每2层金属棒之间设有绝缘介质使金属棒的层与层之间绝缘隔离。本实用新型不仅能提供高增益的定向波束，而且能实现高质量的全向辐射。
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公开(公告)号：CN206643500U
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201720224867.4
申请日：2017-03-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K26/064 , B23K26/364 , H01L21/78
Abstract: 本实用新型公开一种含低介电常数介质晶圆片的激光划片系统，包括激光器、扩束镜、光阑、反射镜、分束元件、可变焦距系统和移动平台；激光器出射的激光光束经扩束镜扩束后垂直进入光阑，经过光阑滤掉边缘杂光后的激光光束入射到反射镜，经过反射镜反射后的激光光束入射到激光光束分束元件，激光光束分束元件输出性质完全一致的两束激光光束，两束激光光束进入可变焦距系统，经可变焦距系统调节后的两束激光光束聚焦于位移平台上的晶圆片，两束激光光束共同作用于晶圆片上实现同步化片。本实用新型采用分束元件和可变焦距系统进行组合调节光束间距，设备简便、通用型强，加工质量高、效率好，尤其适用于含low-k介质晶圆片的划片加工。
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