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公开(公告)号：CN108365344B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810331489.9
申请日：2018-04-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种基于有源超表面的功能可重构极化转换器，由介质基底层、有源超表面层和金属地板层组成；有源超表面层由多个相同的蝶形结构单元组成，这些蝶形结构单元在介质基底层的上表面呈规则矩阵式间隔排列；金属地板层由多条相同的条状金属片组成，这些条状金属片在介质基底的下表面呈并行式间隔排列；上述介质基底层上开设有多个金属过孔，金属贴片均通过对应的金属过孔与其正下方的条状金属片相连。本发明通过控制变容二极管的偏置电压实现器件功能的切换，使其具有线极化偏转、椭圆极化转换和圆极化转换等多重功能，解决了极化器功能单一的问题。
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公开(公告)号：CN107942220B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths‑Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
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公开(公告)号：CN105390819B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510921965.9
申请日：2015-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种超宽带电磁超表面圆极化器，由介质基板、印制在介质基板顶面的金属谐振阵列和印制在介质基板背面的金属接地板组成。金属谐振阵列由多个呈周期性矩阵排列的微缝耶路撒冷十字单元组成；每个微缝耶路撒冷十字单元的结构参数相同，并由2个正交的I形金属臂构成，即介质表面水平方向即X轴延伸的水平I形金属臂和介质表面垂直方向即Y轴延伸的垂直I形金属臂；水平I形金属臂的中部水平金属线的中心和垂直平I形金属臂的中部垂直金属线的中心相交；水平I形金属臂的中部水平金属线上刻蚀有2条贯穿该中部水平金属线的微型缝隙；这2条微型缝隙对称位于垂直I形金属臂的中部垂直金属线的左右两侧。本发明具有工作频率宽的特点。
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公开(公告)号：CN107240781A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710576122.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
CPC classification number: H01Q15/244
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的频率可调谐的宽带圆极化转换器，由介质基底层、设置在介质基底层上表面的石墨烯超表面层、以及设置在介质基底层下表面的石墨烯地板层组成；石墨烯超表面层为单层镂空的石墨烯片；即在该层石墨烯片上开设有多个呈矩阵排列的蝶形孔，每个蝶形孔均是由2个大小一致的等腰三角形孔通过顶角相对或相叠设置所形成的轴对称图形；石墨烯地板层由多层具有相同的性能参数的石墨烯片堆叠而成。本发明能够在很宽的频带实现线极化波到圆极化波的转换，并且具有很好的圆极化性能，较大程度拓展了基于石墨烯反射型极化器的调谐带宽，解决了由于干涉条件限制调谐带宽的问题。
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公开(公告)号：CN106876441A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087046.5
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上。场氧层内设有至少1个固定界面电荷区，该固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。本发明能够克服现有功率器件的FLR区中的杂质扩散而导致的击穿电压下降和器件失效的问题，并有效提高了器件的击穿电压和改善了有源层表面的电场分布，使得电场分布更加均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105390819A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510921965.9
申请日：2015-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
CPC classification number: H01Q15/244
Abstract: 本发明公开一种超宽带电磁超表面圆极化器，由介质基板、印制在介质基板顶面的金属谐振阵列和印制在介质基板背面的金属接地板组成。金属谐振阵列由多个呈周期性矩阵排列的微缝耶路撒冷十字单元组成；每个微缝耶路撒冷十字单元的结构参数相同，并由2个正交的I形金属臂构成，即介质表面水平方向即X轴延伸的水平I形金属臂和介质表面垂直方向即Y轴延伸的垂直I形金属臂；水平I形金属臂的中部水平金属线的中心和垂直平I形金属臂的中部垂直金属线的中心相交；水平I形金属臂的中部水平金属线上刻蚀有2条贯穿该中部水平金属线的微型缝隙；这2条微型缝隙对称位于垂直I形金属臂的中部垂直金属线的左右两侧。本发明具有工作频率宽的特点。
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公开(公告)号：CN105070681A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/7605 , H01L21/2654 , H01L21/30612 , H01L21/762 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN102522633A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210013702.4
申请日：2012-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种超宽带小型化分形天线，主要由接地板、双鞭天线和阻抗变换传输线构成；其中双鞭天线包括直立设置在接地板上的2根金属柱；阻抗变换传输线水平设置在接地板的上表面、且嵌在构成双鞭天线的2条金属柱之间；上述阻抗变换传输线包括2个或2个以上、并具有不同宽度的金属条，这些金属条随其自身宽度自小而大排列、并在金属条的长度方向上进行迭代连接，其中宽度最小的金属条与双鞭天线的1根金属柱连接、宽度最大的金属条与双鞭天线的另1根金属柱连接。本发明能够在有效降低天线尺寸的同时，保持较宽的频带、较高的辐射效率、较好的方向图特性。
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公开(公告)号：CN107742606B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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公开(公告)号：CN111327277A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010120589.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。
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