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公开(公告)号：CN117539079A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311427743.2
申请日：2023-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN110098120B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L21/308 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN106847887A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710026314.2
申请日：2017-01-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/20 , H01L29/42376 , H01L29/66477
摘要： 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。
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公开(公告)号：CN104637941B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510057805.4
申请日：2015-02-04
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造T型栅，两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽，蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触，退火处理形成埋Pt技术，生长氮化硅钝化层，完成器件的制备。该发明工艺简单，器件可靠性强，便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能，最大输出饱和电流达到920mA/mm，非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz，最大振荡频率为301GHz。
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公开(公告)号：CN104617019A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510058652.5
申请日：2015-02-04
申请人： 桂林电子科技大学
CPC分类号： H01L22/12 , H01L29/778
摘要： 本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。
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公开(公告)号：CN117518354A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480597.X
申请日：2023-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及铌酸锂光子芯片技术领域，具体涉及一种三叉戟结构薄膜铌酸锂模斑转换器，包括衬底、氧化物层、氮氧化硅波导和铌酸锂波导，铌酸锂波导在氮氧化硅波导内为三叉戟结构，传输部分为锥形结构。通过铌酸锂波导宽度的逐渐增大，波导对于光的限制作用增强，当波导宽度增大到一定程度时，光被限制在波导中，光斑尺寸随之减小，实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合，经过优化设计模斑转换器传输过程的透过率为0.99，三叉戟结构的铌酸锂波导和引用氮氧化硅波导更方便的与光纤连接，提高了耦合效率。
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公开(公告)号：CN106783613A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710026316.1
申请日：2017-01-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/66431 , H01L29/0684 , H01L29/20 , H01L29/7786
摘要： 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN117615579A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429465.4
申请日：2023-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
IPC分类号： H10B53/30
摘要： 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。
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公开(公告)号：CN108306622B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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