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公开(公告)号：CN1746708A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510061050.1
申请日：2005-10-11
Applicant: 浙江南方通信集团股份有限公司 , 浙江大学
IPC: G02B6/13 , G02B1/10 , C03C21/00 , C03C15/00 , C03C17/245
CPC classification number: C03C15/00
Abstract: 本发明公开了一种掩埋型玻璃光波导器件的制作方法。该方法是在玻璃表面采用真空蒸发或溅射方法淀积一层金属薄膜，利用光刻工艺刻出光波导图形，形成离子交换掩膜；将刻好的玻璃片放入交换源中，利用离子交换技术在玻璃衬底表面形成光波导；放入硝酸钠融盐中在电场下进行电场辅助离子交换；交换后的玻璃表面用射频溅射或者等离子增强化学气相淀积方法淀积一层二氧化硅层，形成掩埋型波导。本发明用玻璃作为衬底材料利用离子交换技术制作光波导器件不仅材料价格低，而且具有制作技术简单、制作工艺简单成熟、器件损耗低、与光的偏振无关、容易集成，并且由于玻璃的折射率与光纤折射率相近，易于与光纤耦合等优点。
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公开(公告)号：CN1243286C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200410053794.4
申请日：2004-08-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的聚合物光波导器件的制作方法。1)利用氧化工艺在Si衬底表面上生长一层SiO2薄层作为Si腐蚀的掩膜；2)以SiO2为掩膜腐蚀Si衬底；3)生长较厚的SiO2作为下限制层；4)制作聚合物芯层，并研磨多余部分；5)制作聚合物上限制层。本发明制作工艺简单，只用到一些常规的半导体设备和常规工艺，不需要复杂昂贵的设备和复杂高难的技术，生产成本低、效率高。本方法与IC工艺相容，有利于实现光电器件的集成。
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公开(公告)号：CN1715972A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510049795.6
申请日：2005-05-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种2×3光波导开关。在2×2光波导开关上再设置一个输出波导，工作电极由均分的两段电极组成。再设置的一个输出波导位于光波导开关器件的中轴线上，并通过过渡区和结区域相连。由两段电极组成的工作电极位于光波导开关器件的中轴线上，工作电极的两端和中点分别引出导电电极。本发明由于设置了均分的可分段工作的电极，故能方便的实现高性能的2×3光波导开关，增加了一个输出波导，提高了集成度和芯片的利用率。这为构造大规模光波导开关阵列提供了一种新的单元器件。
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公开(公告)号：CN1588143A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053160.9
申请日：2004-07-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种采用弯曲形状定向耦合器耦合的光波导微环器件。在输入/输出光波导一定距离上，采用与具有闭环谐振结构的光波导微环相同的弯曲形状，并且与光微环并行设置，构成弯曲形状的定向耦合器，通过波导中光波模式消逝场实现输入/输出光波导与光波导微环间的光功率耦合，并行的一定距离是根据应用中耦合量大小需要确定的。本发明采用弯曲形状的定向耦合器，可以在相当长的距离上设置光微环与输入/输出光波导间的耦合，从而可以容易地实现不同大小的光微环输入/输出功率耦合，进一步地利用定向耦合器的特性以及电光效应等，还可以容易地实现功率耦合大小的可调控制。
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公开(公告)号：CN1160894C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN01113309.0
申请日：2001-07-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 基于SOI材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法，包含输入输出波导、输入输出平板波导，特点是在输入输出平板波导之间依次是弧形过渡连接波导、阵列直波导、全内反射波导、阵列直波导、弧形过渡连接波导，输入输出波导的轴线相垂直。制法是根据确定的参数，以TE、TM模相位差的2π整数倍来确定阵列波导所需长度和全内反射角，采用基本硅器件制作工艺制作。本器件结构紧凑、尺寸小、对TE、TM模偏振不敏感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1321900A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN01113453.4
申请日：2001-06-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种零空隙定向耦合型光开关的制作工艺,对外延片、光刻板的清洗吹干,在真空镀膜机内对外延片衬底的下表面制作下电极,在外延片上表面涂胶光刻出上电极图形,在真空镀膜机内对其蒸金属,在金属膜上涂胶光刻出上电极以外的金属膜,用酸腐蚀掉露出的金属膜,以光刻胶作掩膜制作脊波导,去除光刻胶、冲洗烘干。本工艺对脊波导脊背和上电极位置是一次定位,因而电极对称性好,消除了电极套刻引起的对准误差,大大提高了光开关的消光比和成品率,降低了光开关的制作成本,对光刻设备的要求低。
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公开(公告)号：CN2711757Y
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200420081104.1
申请日：2004-07-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开一种双节反向电极定向耦合器控制的可调光波导色散补偿器。在光波导微环沿其构成闭环的波导局部，设置并行的输入/输出光波导，构成定向耦合器，定向耦合器的有效长度，为其耦合长度的1倍至3倍长度之间，有效长度为计入渐变分离处的耦合影响的长度，在定向耦合器上设置两段相同长度的驱动电极，两段电极反向设置于构成定向耦合器的两根波导上，构成具有双节反向电极结构的2×2输入可控定向耦合器。这种结构的可调耦合机制可以实现全范围耦合可调，而且可以具有弯曲形状，即使是对圆形光微环，也不需要采用特别的结构处理，不会增大光微环的周长。这给器件的设计带来了极大的灵活性。此外，对多级级连的设计与实现也具有极大的灵活性。
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公开(公告)号：CN2429842Y
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00242653.6
申请日：2000-07-26
Applicant: 浙江大学半导体光电子技术与系统研究所
Abstract: 光波导正交集成光开关列阵,2组光波导间的交角90±10度,每个光开关单元的输入光波导与输出光波导的夹角间都连接一段偏转光波导,在输入光波导与偏转光波导的相交处分别布置可控反射区能使输入光射入偏转光波导。本列阵结构紧凑,集成度高,相邻输入和输出光波导的距离小;各个光开关单元重复性强;能够方便的调整相邻光波导的距离以配合与不同光纤的耦合;光开关单元在晶片上分布均匀,有利于辅助结构展开和散热,制作方便。
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公开(公告)号：CN201035265Y
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200720106952.7
申请日：2007-03-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种铌酸锂基1×2非对称电极Y分叉数字光开关。包括制作在衬底内的Y分叉波导，波导上方覆盖上SiO2缓冲层，一Y分支波导段SiO2缓冲层上装有第一和第二信号电极，分别延伸至Y分叉处的前端，第二信号电极的一边和过渡区波导的中线对齐，另一Y分支波导段SiO2缓冲层上装有第三和第四信号电极。一Y波导分支段的S弯曲区装有第五和第六信号电极，另一Y波导分支段的S弯曲区装有第七和第八信号电极，第一、五、七和三信号电极依次相连，第五信号电极上有输入电压信号的焊点；第六、二、四和八信号电极依次相连，第四信号电极上有输入电压信号的焊点。本实用新型在Y分叉后端引入S弯曲波导及其相应电极，有效地降低了串扰。
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