一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备

    公开(公告)号:CN114078692B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202210013373.7

    申请日:2022-01-07

    Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备,所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗,然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态,使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面,实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质,将其引入晶圆清洗流程,替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物,突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。

    一种硅基长波红外光波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN102096149A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110020954.5

    申请日:2011-01-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅基长波红外光波导及其制备方法,本发明是在普通硅片上制备出波导结构,再通过热氧化法制备出二氧化硅掩膜,然后进行二次光刻,在波导的两侧开出窗口,KOH溶液进行湿法腐蚀,通过选择合适的浓度及温度实现不同晶面的刻蚀速率,通过侧向腐蚀达到开槽的目的。利用这种方式制备的长波红外下的光波导结构简单,工艺难度小,只需要普通硅片,不用价格昂贵的SOI片,亦无须自停止腐蚀工艺实现背向深刻蚀。针对不同的波长,可以通过对结构参数的优化,可以实现低的传输损耗。

    基于SOI的外脊布拉格波导光栅

    公开(公告)号:CN101859002A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010210261.8

    申请日:2010-06-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的外脊布拉格波导光栅,在衬底氧化硅的一个侧面上设置硅基脊波导,硅基脊波导的一端为输入端口,另一端为输出端口。外脊布拉格波导光栅设置在硅基脊波导的一侧或两侧外脊平板区。它利用光栅区与脊的距离的不同,达到对光栅反射峰带宽的控制,并通过改变光栅齿的长度,方便地抑制光栅侧峰。通过对结构参数的优化,可满足各种带宽及低侧峰光栅的需求。本发明具有结构通俗,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,在光开光、光波分复用网络等方面有广泛的应用前景和应用价值。

    基于微碟结构的微波接收和转换装置

    公开(公告)号:CN101030830B

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200710066897.8

    申请日:2007-01-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了应用于ROF系统中的一种基于微碟结构的微波接收和转换装置。利用电光效应来调制接收到的微波信号。由激光器发出的光进入光波导,光波导在基片上形成对称M—Z干涉结构,这种结构的存在能够将相位调制转化成强度调制,在M—Z干涉结构的两臂上分别耦合微碟光波谐振腔,在其中一个微碟光波谐振腔上加电极,形成单臂调制结构;若在两个微碟光波谐振腔上都加电场,则以推挽方式工作。另外,微波信号通过微带线耦合进入金属微波谐振腔,形成电场作用于微碟光波谐振腔。由于微碟的超高Q值以及同时谐振的原理,这个微波接收装置具有非常高的灵敏度和频率选择性,选择波导作为耦合器又可以减小整个装置的尺寸,方便以后的集成工作。

    基于狭缝波导的光微环谐振传感器的制作方法

    公开(公告)号:CN101261223B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200810060649.7

    申请日:2008-04-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝波导的光微环谐振传感器的制作方法。利用光刻,氧化,干法腐蚀,SOI技术等半导体制造工艺,在同一衬底上制作一根基于狭缝结构的直波导和一个基于狭缝结构的微环波导,其中微环波导位于直波导的一侧,狭缝位于两波导平面的垂直方向,并制成空腔,微环内环里侧也刻蚀成空腔,且与狭缝相通。将生物/化学微流体注入微环内壁里侧空腔,改变了波导包层和狭缝的折射率,利用微环对不同折射率分布响应的谐振点不同的特性,结合狭缝波导结构,获得光能量集中,利于传感检测的谐振效果,从而有效地实现对不同生物/化学微流体的传感检测。在信息传感领域具有重要的实际应用价值。

    基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器

    公开(公告)号:CN101806824A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN201010127829.X

    申请日:2010-03-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器。它基于MZ干涉结构,由两个干涉臂分别连接分束器和合束器而成;在两根弯绕的光纤干涉臂中分别植入磁光材料覆盖层,两片磁光材料覆盖层植入的位置要保证光的传输方向平行相反。把非互易相移引入MZ结构,光在两光纤干涉臂传播产生的相位差是非互易、推挽方式工作的,受周围环境等因素(如温度、应力等)产生的互易相移量通过MZ干涉结构抵消。利用磁光材料的非互易特性,结合MZ结构的干涉特性,通过对结构参数的优化,可以实现高稳定性、高灵敏度的电流探测。本发明具有结构通俗,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,在对复杂环境下电流传感有广泛的应用前景和应用价值。

    一种集成铜离子发光功能的玻璃基离子交换光波导芯片

    公开(公告)号:CN101776782A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010100228.X

    申请日:2010-01-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种集成铜离子发光功能的玻璃基离子交换光波导芯片。在玻璃基片表面的局部区域具有铜离子扩散区;用离子交换法在玻璃基片中形成条形掺杂区,在条形掺杂区与铜离子扩散区重叠区中形成具有发光功能的条形掺杂区;条形掺杂区的折射率高于玻璃基片的折射率,具有发光功能的条形掺杂区的折射率高于铜离子扩散区的折射率,条形掺杂区和具有发光功能的条形掺杂区以端面耦合的方式共同形成条形光波导的芯部。本发明在光波导芯片上的所需区域实现光波导的发光功能,实现玻璃基片上发光功能的集成,并且具有制作工艺简单,耦合效率高等显著特点,为实现玻璃基集成光学芯片的发光功能的集成提供了新的结构,使玻璃基集成光学芯片的设计更加灵活。

    基于长周期光栅的玻璃基光传感器

    公开(公告)号:CN101706429A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200910154475.5

    申请日:2009-11-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于长周期光栅的玻璃基光传感器。在玻璃基掩埋波导层从下至上依次为玻璃基掩埋波导衬底、玻璃基掩埋波导芯层和上包层。长周期金属光栅膜层覆盖在上包层上形成周期性光栅,其中长周期金属光栅膜层的周期T应满足的条件为β1-β2=2π/T。当在掩埋波导传输的光波经过金属光栅膜层时,在金属光栅膜层发生全反射,而一部分的能量传递给在金属与被测物质交界面的表面等离子波,当表面等离子波的相位与光波导模式的相位相同时,就会激发表面等离子波。通过检测波导的输出端,得到表面等离子波的峰值曲线,继而获得被测样品的特性。本发明不仅保持易于小型化和稳定,还降低了成本。它可用于医学诊断、环境监测、生物技术和食品安全等领域。

    一种偏振无关磁光波导光隔离器

    公开(公告)号:CN100557483C

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200810060349.9

    申请日:2008-04-16

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种偏振无关磁光波导光隔离器。输入Y分叉波导分别接两个干涉臂的一端,在两个干涉臂之间填充第一层磁光薄膜,第一层磁光薄膜的上表面覆盖第二层磁光薄膜和第三层磁光薄膜,第二层磁光薄膜还覆盖在一个干涉臂的上表面,第三层磁光薄膜还覆盖在另一个干涉臂的上表面,两个干涉臂的另一端再与输出Y分叉波导连接,第一、二层磁光薄膜是回转矢量γ<0的磁光薄膜,第三层磁光薄膜是回转矢量γ>0的磁光薄膜,外加磁场方向与光传播方向垂直且与基片平面成(30°~60°)的角度。它利用了磁光非互易特性和所设计波导结构的偏振无关特性。本发明结构紧凑,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,可在光网络、光信息处理等方面应用。

    离子交换玻璃光波导器件的制作方法

    公开(公告)号:CN100489579C

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200510061049.9

    申请日:2005-10-11

    CPC classification number: C03C15/00

    Abstract: 本发明公开了一种离子交换玻璃光波导器件的制作方法。该方法是将玻璃片浸没在熔融的交换源中进行离子交换形成平面波导层;在清洁的玻璃离子交换层表面上采用光刻工艺刻出光波导图形;用光刻胶膜作干法刻蚀的掩膜,干法刻蚀玻璃离子交换层;湿法腐蚀以光滑波导侧面;在波导刻蚀后的玻璃表面用射频溅射或等离子增强化学气相淀积技术工艺,淀积一层二氧化硅层,形成掩埋型波导。本发明与背景技术的离子交换波导相比,它需要进行多次离子交换,而且需要用电场辅助离子交换技术,在本技术中不需要进行多次离子交换,也没有电场辅助扩散过程,而且波导的截面完全由光刻来控制。

Patent Agency Ranking