公开(公告)号：CN102513695A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110399149.8

申请日：2007-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: B23K26/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/12 ,  B23K26/354 ,  B23K26/359 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222

Abstract: 本发明涉及一种激光加工方法。沿着切断预定线(5)，在硅晶圆(11)的内部形成作为切断的起点的6列熔融处理区域(131、132)，但是，在形成最接近加工对象物(1)的背面(21)的熔融处理区域(131)时，沿着切断预定线(5)在背面(21)形成弱化区域(18)。如此，由于熔融处理区域(131、132)形成于硅晶圆(11)的内部，因而能够防止从熔融处理区域(131、132)产生粒子。并且，由于具有规定的深度的弱化区域(18)沿着切断预定线(5)形成于加工对象物(1)的背面(21)，因而能够用较小的外力沿着切断预定线(5)切断加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN102307699A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080007011.2

申请日：2010-01-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  中川爱湖

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222 ,  H01L21/67092

Abstract: 在非改质区域(2)介于中间的状态下，使龟裂(17a)从改质区域(7a)朝加工对象物(1)的表面(12a)产生，并且使龟裂(17b)从改质区域(7b)朝加工对象物(1)的背面(12b)产生。由此，在形成多列改质区域(7)时，能够防止龟裂在硅基板(12)的厚度方向上连续地进行。然后，在加工对象物(1)上使应力产生，从而在非改质区域(2)中使龟裂(17a)与龟裂(17b)连接，并且切断加工对象物(1)。由此，防止在加工对象物(1)的背面(12b)上的龟裂的蛇行等，从而能够沿着切断预定线(5)精度良好地切断加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN101681822A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017270.6

申请日：2008-05-23

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  下井英树 ,  内山直己

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78

Abstract: 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN100487868C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580038894.2

申请日：2005-11-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，将形成有包含多个功能元件的层压部的衬底加以切断的时，特别地能够进行层压部的高精度的切断。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)后的状态下，将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面来照射激光(L)，由此使改质区域(7)沿着切断预定线而形成于衬底(4)的内部，并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。然后，在产生这样的龟裂(24)的状态下，将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时，不仅可将衬底(4)而且可将切断预定线上的层压部(16)，即层间绝缘膜(17a，17b)，沿着切断预定线精度良好地切断。

公开(公告)号：CN101409256A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810005548.X

申请日：2008-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  B23K26/16 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/16 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种加工对象物的切断方法，该方法能够可靠地除去残留在芯片的切断面上的微粒。将板状的加工对象物沿切断预定线切断，使由此得到的多个半导体芯片(25)的每一个在扩张带(23)上相互分开，在该状态下，使扩张带(23)带静电。由于该电的作用，即使在半导体芯片(25)的切断面上形成有熔融处理区域，残留在半导体芯片(25)的切断面上的微粒也将从半导体芯片(25)的切断面射出。因此，可以可靠地除去残留在半导体芯片(25)的切断面上的微粒。

公开(公告)号：CN101317250A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044101.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 村松宪一 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K101/40 ,  B23K26/10

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0094 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，在将吸附平台和保持部件分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台(52)上，隔着多孔薄片(53)对展开设置在框架(51)并且保持有加工对象物(1)的扩张带(23)进行吸附固定。此时，因薄片(53)的杨氏模数比平台(52)的杨氏模数低，所以能够抑制扩张带(23)陷入薄片(53)的微孔。由此，在形成改质区域(7)后即使解除吸附固定，将平台(52)和扩张带(23)分开，也不会有大的弯曲应力作用在加工对象物(1)上。因此，在将平台(52)和扩张带(23)分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。

公开(公告)号：CN101057318A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038895.7

申请日：2005-11-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0052 ,  C03B33/074 ,  C03B33/091

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，在将具备有衬底和含功能元件且形成在衬底表面的层压部的加工对象物切断时，可以特别高精度地切断层压部。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)上的状态下，将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面而照射激光(L)，由此沿着切断预定线而在衬底(4)的内部形成改质区域(7)，并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。并且，在产生这样的龟裂(24)的状态下，将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时，不仅可将衬底(4)，而且可将切断预定线上的层压部(16)，即层间绝缘膜(17a，17b)，沿着切断预定线精度良好地切断。

公开(公告)号：CN1993200A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580025793.1

申请日：2005-07-14

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明能够提供一种可高精度地切断加工对象物的激光加工方法。在本发明的激光加工方法中，使聚焦点(P)对准板状加工对象物(1)的内部以照射激光(L)。首先，沿着加工对象物(1)的第一切断预定线(5a)，形成作为切断起点的第一改性区域(71)。其次，以沿着与切断预定线(5a)交叉的第二切断预定线(5b)、与改性区域(71)的至少一部分交叉的方式，形成作为切断起点的第二改性区域(72)。其次，沿着切断预定线(5b)而形成作为切断起点的第四改性区域(73)。其次，在改性区域(71)与激光(L)所入射的加工对象物(1)的入射面(1a)之间，以沿着切断预定线(5a)、与改性区域(73)的至少一部分交叉的方式，形成作为切断起点的第三改性区域(74)。

公开(公告)号：CN115279542B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202180020638.X

申请日：2021-03-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  佐野育

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/00 ,  B23K26/064 ,  H01L21/301

Abstract: 一种激光加工装置，具备：照射部，其用以对于对象物照射激光；摄像部，其用以对所述对象物进行摄像；以及控制部，至少控制所述照射部及所述摄像部，其中，所述控制部执行下述处理：第一处理，通过控制所述照射部，对于所述对象物照射所述激光，以不会到达所述对象物的外表面的方式，在对象物中形成改质点及从所述改质点延伸的龟裂；第二处理，在所述第一处理之后，通过控制所述摄像部，通过对于所述对象物具有透过性的光对所述对象物进行摄像，从而对于所述多个线分别取得表示所述改质点及/或所述龟裂的形成状态的信息；以及，第三处理，在所述第二处理之后，根据由所述第二处理取得的表示所述形成状态的信息，进行所述第一处理的所述激光的照射条件的合格与否判断。

公开(公告)号：CN112789707B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201980065075.9

申请日：2019-10-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  铃木康孝 ,  佐野育

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  B24B7/00 ,  B24B49/12

Abstract: 本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端位置，物镜从背面侧对焦到检查区域内。光检测部是检测在半导体衬底中从半导体衬底的正面侧传播到背面侧的光。