分布式流数据存储系统的存储资源调度模型的建模方法

    公开(公告)号:CN105007330A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510469350.7

    申请日:2015-08-04

    CPC classification number: Y02D50/30 H04L67/1097 H04L67/32

    Abstract: 一种分布式流数据存储系统的存储资源调度模型的建模方法,所述分布式流数据存储系统包括元服务器和X台数据服务器,每台数据服务器包括Y个磁盘,X和Y为不小于2的整数。所述建模方法包括:将所有磁盘条带化;将同一台数据服务器中的N条条带集合成条带捆,所述条带捆中的任意两条条带不在同一磁盘上,N为不大于M/D的正整数;将所有条带捆集合成存储资源带,所述存储资源带中的任意两个相邻条带捆不在同一数据服务器中;将在同一条带中执行的写任务集合成任务集束,所有任务集束构成任务总窗口,使所述任务总窗口在所述存储资源带中滚动。本发明提供的建模方法,能降低分布式流数据存储系统的功耗、减小设备损耗、减少产生的碎片。

    一种基于多层技术的0-dB定向耦合器

    公开(公告)号:CN103414004B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201310362908.2

    申请日:2013-08-20

    Abstract: 本发明公开一种基于多层技术的0-dB定向耦合器,其涉及微波技术领域。该定向耦合器为三端口器件,所述端口分别为第一端口、第二端口和第三端口;所述上层耦合线的一端与第一端口相连形成第一耦合端口、另一端与第三端口相连形成直通端口,该直通端口上加载四分之一波长开路枝节,下层耦合线的一端经一连接孔与第二端口相连形成第二耦合端口,下层耦合线的另一端为开路。本发明基于耦合线滤波器原理,采用多层立体结构以宽边耦合方式实现,有效地减小了电路尺寸,同时也降低了紧耦合带来的加工难度,提高了电路稳定性,并使电路结构简化。本发明可用于射频通信系统中次谐波混频器的信号馈入网络以及其他功能电路模块中,实现信号间的高隔离。

    废旧电池及饮料瓶分类回收装置

    公开(公告)号:CN104794811A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510041863.8

    申请日:2015-01-27

    CPC classification number: Y02W30/628

    Abstract: 本发明公开了一种废旧电池及饮料瓶分类回收装置。本发明包括一箱体,在箱体上开有饮料瓶罐投入口、电池投入口以及异物退出口,当垃圾进入箱体后通过相应识别分类装置,如果成功识别是电池,则直接进入相应存储区;如果成功识别是饮料瓶罐,则分类存储在对应存储箱中;如果识别失败,则从异物退出口推出;同时识别成功后,中央处理模块将会发出指令在箱体显示模块上显示二维码,使用者拿出手机通过微信公共账号扫码并获取积分,当积分积累到一定值时将会有实物奖励,并且积分可以去周边指定商家换取折扣优惠。本发明通过积分形式鼓励市民积极参与废旧电池及饮料瓶分类回收,使用简单方便,具有较高的生态价值和社会价值。

    一种具有多种输出电压的逆变电路

    公开(公告)号:CN104270028A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410500365.0

    申请日:2014-09-26

    CPC classification number: H02M7/537

    Abstract: 本发明属于电子电路技术,具体的说是涉及一种具有多种输出电压的逆变电路。具有多种输出电压的逆变电路,包括由逆导型IGBT管S1、S2、S3、S4、S5、S6构成的逆变电路和多个负载;其中,S1的漏极接电源E的正极,其源极接S2的漏极;S2的漏极接电源E的负极;S3的漏极接电源E的正极,其源极接S4的漏极;S4的漏极接电源E的负极;S5的漏极接电源E的正极,其源极接S6的漏极;S6的漏极接电源E的负极;多个负载连接在IGBT管之间构成桥式电路。本发明的有益效果为,一个逆变电路可以输出多个回路,且每个输出的功率都可调,可以用于需要多输出的逆变场合,从而节省成本。本发明尤其适用于逆变电路。

    一种用于文字压痕的三维显现方法

    公开(公告)号:CN104101310A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201410349840.9

    申请日:2014-07-22

    Abstract: 本发明提供了一种用于文字压痕的三维显现方法,该方法将相位测量轮廓术用于文件隐藏印压痕迹的显现测量中。基于相位测量轮廓术的物体表面三维面形测量方法是一种高精度、快速、非接触、非相干的光学全场测量技术,并且实验装置简单,主要包括计算机、数码相机和投影仪。将相位测量轮廓术用于文字压痕显现测量中可以直接得到待测表面的高度分布,从而定量的获得待测表面的文字痕迹,利用得到的高度数据可以识别待测表面的潜在文字,同时也可以根据字体的形状以及字体不同位置的深浅进行字迹比对检测,从而判定文字的写作者,在司法鉴定上有重要应用。本发明的主要增益:提供了一种高精度、快速、全场的文字压痕的测量方法。

    用于光伏发电设备的太阳跟踪方法及装置

    公开(公告)号:CN103840757A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201410116203.7

    申请日:2014-03-26

    Abstract: 本发明涉及太阳能技术领域,具体的说是涉及一种基于视频流处理的用于光伏发电设备的太阳跟踪方法及装置。本发明的太阳跟踪方法,主要步骤为:通过图像采集装置1实时采集太阳光图像信息,并将采集到的图像信息发送到处理器2;处理器2根据接收到的图像信息获取太阳实时位置坐标,并根据太阳实时位置坐标判断是否需要进行跟踪控制,处理器控制跟踪模块3进行转动,带动太阳能电池组件4,使太阳能电池组件4中的太阳能电池板与太阳光线垂直。本发明的有益效果为,能够精确的对太阳进行实时跟踪,有效提高了太阳能装置对太阳的利用率,促进太阳能装置的发展。本发明尤其适用于光伏发电设备。

    一种晶体硅背结太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:CN103618025A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201310544541.6

    申请日:2013-11-06

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/1804 H01L21/2225 H01L31/022441

    Abstract: 本发明的目的是针对现有背结太阳能电池制备工艺流程复杂、成本高、周期长的缺陷提供一种晶体硅背结太阳能电池制备方法。主要工艺流程为,首先在硅片衬底背面重掺杂直接形成发射区,再进行表面介质层钝化,然后进行激光掺杂工艺形成集电区,制作电极、电极栅线、母线,最后在硅片衬底正面纳米颗粒陷光结构,即制备得晶体硅背结太阳能电池。该方法采用激光掺杂工艺,在激光打孔的同时完成与发射区极性相反的掺杂源在集电极接触孔内的扩散,形成与发射区极性相反,与硅片衬底极性相同的掺杂集电区;简化了工艺流程,有效缩短工艺周期、降低了工艺成本、提高效率;采用纳米颗粒陷光结构陷光效果好、有效提升太阳能电池性能。

    一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件

    公开(公告)号:CN103018688A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210518181.8

    申请日:2012-12-06

    Abstract: 一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件,属于磁传感器技术领域。包括位于同一衬底基片上的GMI结构单元和GMR结构单元,GMI结构单元和GMR结构单元之间采用金属连接电极实现串联。本发明在确凿的理论分析和实验验证的基础上,将GMR磁敏传感器的工作模式由直流驱动变为交流驱动,同时兼顾GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器的灵敏度选择合适的驱动频率。本发明提供的GMI和GMR相结合的磁敏传感器件,采用同一低频交流驱动信号,在弱磁场和强磁场下分别通过GMI结构单元和GMR结构单元实现对磁场的测量。克服了现有GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器固有的缺点,能够实现0~2000Gauss全量程范围的高精度测量。

    一种铜锌锡硫微纳纤维材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102978746A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210516506.9

    申请日:2012-12-06

    Abstract: 一种铜锌锡硫微纳纤维及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。所述微纳纤维材料是一种包括Cu、Zn、Sn和S四种元素的微纳纤维材料,纤维直径在300~800纳米之间,具有锌黄锡矿晶体结构,四种元素的摩尔比为Cu:Zn:Sn:S=2:1:1:4。制备时使用Cu、Zn和Sn无机盐和PVP为原料,先配制纺丝前驱体溶液,然后通过高压静电纺丝工艺将纺丝前驱体溶液喷射于衬底基片上形成前驱体纤维,最后经过一定的热处理和硫化处理得到目标产物。本发明制备设备简单,成本低廉,操作简便,工艺过程容易控制;所制备的目标产物具有准确的化学计量比、良好的结晶形态和单一的相结构,在高效太阳光伏电池领域具有潜在应用。

    一种钙钛矿单晶材料制备及表面处理工艺

    公开(公告)号:CN119843364A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510084773.0

    申请日:2025-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶材料制备及表面处理工艺,涉及钙钛矿单晶材料制备技术领域。提供的制备工艺为,混合甲基溴化胺粉末、溴化铅粉末溶解于N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中得到预设浓度的MAPbBr3前驱体溶液;对MAPbBr3前驱体溶液进行过滤后溶剂挥发、烘烤得到块状钙钛矿单晶材料;对块状钙钛矿单晶材料进行打磨、抛光得到镜面型钙钛矿单晶材料;S4、提供溴丁醇粉末、异丙醇溶剂,将溴丁醇粉末溶解于异丙醇溶剂中得到形成nBABr溶液;将镜面型钙钛矿单晶材料浸泡于nBABr溶液预设时间后干燥得到成品。还提供由上述制备工艺制备而成的材料及其在制备高能射线探测器中的应用。

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