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公开(公告)号：CN116412941B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310689320.1
申请日：2023-06-12
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种MEMS压电式压力传感器及其制备方法，MEMS压电式压力传感器包括第二衬底层、压力敏感薄膜和热电发电机，压力敏感薄膜设置在第二衬底层的上表面，热电发电机设置在压力敏感薄膜的上表面，热电发电机包括第三衬底层、P型热电腿、N型热电腿、热电电极、绝缘层和散热层，第三衬底层位于压力敏感薄膜的上表面，P型热电腿和N型热电腿交错排列在第三衬底层的内部上端，热电电极位于第三衬底层的上表面，并且热电电极分别连接P型热电腿和N型热电腿，绝缘层位于热电电极的上表面，散热层位于绝缘层的上表面。本发明提供的MEMS压电式压力传感器，能够实现更高效的压力检测。
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公开(公告)号：CN116337293B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310621406.0
申请日：2023-05-30
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01L1/22
摘要： 本发明提供了一种扩散硅压阻式压力传感器模块，其能减小扩散硅压阻式压力传感器模块受热膨胀带来的影响。其包括包封外壳，包封外壳内安装有基板、绝压传感器、专用集成电路，绝压传感器通过胶水固定在基板上，包封外壳上开设有介质入口，介质入口通过设于基板内的介质通道与绝压传感器正面的接触介质面相连通，包封外壳内还开设有活塞腔、石蜡腔，活塞腔内安装有活塞，活塞将活塞腔分隔形成与石蜡腔连通的连通腔一、与介质通道连通的连通腔二，绝压传感器的背面位于石蜡腔内，石蜡腔和连通腔一内填充有石蜡。
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公开(公告)号：CN116539109A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310825114.9
申请日：2023-07-06
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请提供一种MEMS热温差型气体流量传感器芯片制备方法，其可以基于较简单的工艺达到更高的灵敏度，同时可以基于较小尺寸实现芯片结构。在第一衬底的上表面设置了两组加热元件与热电堆，两个加热元件的温度场叠加，第一热电腿、互联金属区与第二热电腿共同构成的热电堆，热电堆和磁性薄膜组成了测温元件；测温元件与加热元件共同构成了MEMS热温差型气体流量传感器芯片。
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公开(公告)号：CN116222835A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211631617.4
申请日：2022-12-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司 , 东南大学
摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜压力传感器，所述柔性薄膜压力传感器包括由下而上依次叠加的下柔性基板、电极层，双面黏性垫片，复合材料敏感层和上柔性基板；所述制备方法包括如下步骤：S1，对下柔性基板、上柔性基板的表面分别进行改性处理；S2，在下柔性基板的上表面印刷银浆、金浆或铜浆，形成图案化电极，即电极层；S3，上柔性基板的下表面丝网印刷导电复合浆料，经过固化形成复合材料敏感层；S4，在电极层与复合材料敏感层之间设置双面黏性垫片，之后贴合在一起，形成所述柔性薄膜压力传感器。本发明柔性薄膜压力传感器具有高精度、高稳定性和高耐用性。
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公开(公告)号：CN115078290A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210855664.0
申请日：2022-07-21
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/01 , C23C28/04 , C30B28/12 , C30B29/06 , C30B33/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C16/34 , C23C16/40
摘要： 本发明提供了一种适于NDIR原理气体传感器芯片及其制备方法，其将微凸透镜与NDIR红外气体传感器芯片在芯片制造过程中就进行集成，使得微凸透镜能够很好的汇聚聚集红外光的能量在红外检测芯片的敏感区域，提升了芯片输出，进而提升了整个传感器的气体探测灵敏度，其特征在于：其包括芯片本体和微凸透镜，所述芯片本体和微凸透镜通过光学胶粘剂固定在一起，所述微凸透镜的圆弧面位于芯片本体的黑色吸光层上方。
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公开(公告)号：CN114577287A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210202276.2
申请日：2022-03-02
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01F1/69
摘要： 本申请公开了一种热式流量传感器及其制作方法，所述热式流量传感器包括：上游热敏元件和下游热敏元件，分立形成在基底的表面；加热电阻，形成在基底的表面并位于上游热敏元件和下游热敏元件之间，用于通电加热上游热敏元件和下游热敏元件；通孔，沿垂直于基底的表面的方向，形成在加热电阻中，以使加热电阻形成第一电阻和第二电阻，第一电阻位于加热电阻面向上游热敏元件的一端，第二电阻位于加热电阻面向下游热敏元件的一端，第一电阻和第二电阻对称且并联。本申请可以解决现有热式流量传感器因热量扩散不均匀而影响测量精度的问题，同时可以提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104931163B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510353518.8
申请日：2015-06-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片包括第一SOI结构，构成压力传感器的衬底和压力敏感膜，第二SOI结构为表层SOI结构，包括通过生长绝缘隔离介质，在绝缘介质上淀积掺杂α‑硅作为压敏电阻材料，通过刻蚀组成惠斯通电桥结构，该第二SOI结构，取代常规的PN结隔离模式，提高了传感器芯片的工作温度范围。本发明涉及的双SOI结构高温MEMS压力传感器芯片适合大批量生产，一致性好，量程精确、芯片尺寸小、耐高温、可靠性高、成本低。
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公开(公告)号：CN104931163A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510353518.8
申请日：2015-06-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片包括第一SOI结构，构成压力传感器的衬底和压力敏感膜，第二SOI结构为表层SOI结构，包括通过生长绝缘隔离介质，在绝缘介质上淀积掺杂α-硅作为压敏电阻材料，通过刻蚀组成惠斯通电桥结构，该第二SOI结构，取代常规的PN结隔离模式，提高了传感器芯片的工作温度范围。本发明涉及的双SOI结构高温MEMS压力传感器芯片适合大批量生产，一致性好，量程精确、芯片尺寸小、耐高温、可靠性高、成本低。
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公开(公告)号：CN102445301A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110375349.X
申请日：2011-11-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN101854578A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010196722.0
申请日：2010-06-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明涉及一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其包括如下步骤：a、提供连接板与背极板；b、将背极板与连接板键合固定；c、对背极板进行减薄；d、减薄后的背极板上生长绝缘键合层；e、提供基板；f、在基板上生长有绝缘支撑层；g、在基板淀积振膜；h、得到安装槽内的振膜；i、将背极板与基板键合固定；j、刻蚀基板上方的连接板与氧化层；k、在背极板上得到下电极孔；l、在上述背极板上淀积电极层；m、得到位于背极板与振膜上的电极；n、得到位于背极板上的若干声孔；o、刻蚀上述基板对应于设有背极板的另一端，得到位于振膜下方的声腔。本发明灵敏度高、噪声低、频带宽、成品率高，制备工艺简单。
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