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公开(公告)号:CN105866710A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610192292.2
申请日:2016-03-30
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: G01R33/00 , G01R33/035
CPC分类号: G01R33/0029 , G01R33/007 , G01R33/0354
摘要: 本发明提供一种环境噪声抑制方法及设备,所述环境噪声抑制设备包括探测梯度组件,参考梯度组件,超导量子干涉器件三轴磁强计组件,读出电路,所述环境噪声抑制方法包括以下步骤:采集源于所述探测梯度组件的第一梯度输出信号和源于所述参考梯度组件的第二梯度输出信号;利用所述超导量子干涉器件三轴磁强计组件分别补偿所述探测梯度组件和所述参考梯度组件;令所述第一梯度输出信号与第二梯度输出信号相互补偿以合成二维梯度抑制环境噪声。本发明无需单独增加一阶梯度参考量,采用制备工艺之间的关联特性,在二个维度上进行梯度合成,从而在大大提高梯度计的噪声抑制性能,简化系统探测结构。
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公开(公告)号:CN103472414B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201310220602.3
申请日:2013-06-05
申请人: NXP股份有限公司
发明人: 法比奥·塞巴斯蒂亚诺 , 罗伯特·H·M·范费尔德温
IPC分类号: G01R33/09
CPC分类号: G01R33/06 , G01B7/023 , G01D5/145 , G01R33/0029
摘要: 提供一种用于确定用于对机械组件的特性加以表示的信息的磁传感器装置。磁传感器装置包括第一磁传感器、第二磁传感器和确定单元,第一磁传感器用于感测与周期性改变的磁场相关来呢的信号,所述磁场是由于机械组件相对于磁传感器装置的相对运动而产生的;第二磁传感器用于感测与周期性改变的磁场相关联的信号;其中第一磁传感器设置为相距第二磁次传感器的固定距离;确定单元耦合到第一磁传感器和第二磁传感器上,用于接收第一磁传感器的输出信号和第二磁传感器的输出信号,其中第一磁传感器的输出信号相对于第二磁传感器的输出信号相位偏移,以便对输出信号进行比较,用于确定与周期性改变的磁场相关联的信号的绝对相位,以及以便基于所确定的与周期性改变的磁场相关联的信号的绝对相位,来确定用于对机械组件的特性加以表示的信息。
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公开(公告)号:CN105203203A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201510564807.2
申请日:2015-09-07
申请人: 中国科学院地质与地球物理研究所
IPC分类号: G01H11/02
CPC分类号: G01H11/02 , G01D5/125 , G01R33/0029 , G01R33/0322 , G01R33/04
摘要: 本发明提出一种基于磁场的微振动测量装置及其测量方法,其应用于微振动测量的技术领域,包括:两个以上的磁通门传感器和控制处理电路,每个所述磁通门传感器中均设有相互对应的激励线圈和感应线圈;该控制处理电路包括:激励信号产生模块,选频放大模块、相敏整流模块、平滑滤波模块、环境磁场获取模块、振动数据统计模块激励线圈根据激励信号产生模块发送的激励信号,产生激励磁场信号;感应线圈用于根据接收到激励磁场信号和环境磁场信号产生感应电流信号,感应电流信号依次经过选频放大、整流、平滑滤波后,计算得到环境磁场数据,对两段环境磁场数据进行比较和计算,得到微振动角度;本发明测量得到的信号精准,噪声小,容易分析,数据质量好。
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公开(公告)号:CN104823068A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201380055983.2
申请日:2013-10-28
申请人: 皇家飞利浦有限公司
发明人: B·魏斯勒 , V·舒尔茨 , P·K·格布哈特 , P·M·J·迪彭贝克 , C·W·莱尔凯
CPC分类号: A61B5/0035 , A61B5/055 , A61B6/037 , A61B6/4258 , A61B6/4417 , A61B6/5205 , A61B6/5247 , A61B6/54 , A61B8/4416 , A61B2560/0204 , A61B2560/0214 , G01R33/0029 , G01R33/4808 , G01R33/481 , G01R33/4814 , G01T1/1603 , G01T1/2985
摘要: 本发明涉及用于减少诸如PET成像扫描器的非MR成像系统与MR成像系统之间的干扰的方法和系统。所述方法包括至少接收指示MR RF信号检测周期的信号,并且响应于接收到的信号,在MR RF信号检测周期的至少部分期间将非MR成像系统的至少部分的状态设定为非活动状态。
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公开(公告)号:CN102870013B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201180022828.1
申请日:2011-04-15
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: G01V3/10
CPC分类号: G01R33/091 , G01R33/0029 , G01V3/104 , G01V3/107
摘要: 用于检测金属对象的测量设备包括两个产生叠加的磁场的发送线圈、在两个磁场的范围中的接收线圈和控制装置,所述控制装置用于这样操控发送线圈,使得使在接收线圈中所感生的与交变电压时钟同步的电压在数值上最小化。在此,控制装置被设立用于当交变电压的比例不对应于接收线圈与发送线圈的间距的比例时,检测到对象。
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公开(公告)号:CN101907691B
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201010206167.5
申请日:2010-06-08
申请人: 精工电子有限公司
IPC分类号: G01R33/07
CPC分类号: G01R33/0029
摘要: 本发明的磁性传感器装置包括:对被施加磁电转换元件的电源电压的端子对和输出磁场强度的检测电压的端子对进行切换控制的开关切换电路;将检测电压差动放大的差动放大器;与差动放大器的第一输出端子连接的第一电容;与差动放大器的第二输出端子连接的第二开关;第一输入端子与第一电容连接且第二输入端子与第二开关连接的比较器;在比较器的第一输入端子与输出端子之间连接的第一开关;与比较器的第二输入端子连接的第二电容;以及与第二电容连接的检测电压设定电路。由此,可以抑制磁性传感器装置中磁电转换元件、放大器、比较器的各偏置电压的影响,且可以设定任意的检测磁场强度,并可进行正确的磁读取。
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公开(公告)号:CN103874904A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201380003470.7
申请日:2013-02-22
申请人: 旭化成株式会社
CPC分类号: G01C25/00 , G01C17/38 , G01R33/0029
摘要: 提供一种迅速地估计由地磁传感器输出的磁数据的偏移的偏移估计装置等。偏移估计装置(40)对由磁传感器(20)输出的磁数据的偏移进行估计,包括:旋转轴计算部,其获取由磁传感器(20)检测出的多个磁数据以及与偏移估计装置(40)的旋转量相应的多个角速度数据,在配置多个磁数据的三维坐标空间上,根据多个磁数据中的任意的磁数据群和与该磁数据群对应的各磁数据,来确定表示通过经由磁数据群的平面中心且与平面垂直的直线的多个旋转轴;以及偏移估计部,其根据多个旋转轴,对由磁传感器(20)输出的磁数据的偏移进行估计。
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公开(公告)号:CN102192703B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201110035118.4
申请日:2011-01-30
申请人: NXP股份有限公司
发明人: 维克托·泽尔恩 , 罗伯特·H·M·范费尔德温
IPC分类号: G01B7/30
CPC分类号: G01B7/30 , G01D5/147 , G01R33/0029 , G01R33/0082
摘要: 提出了一种磁阻传感器和感测方法,其中将外部磁场发生器用于提供第一模式,在所述第一模式中沿预定方向提供dc外部磁场,并且所述dc外部磁场相对于输入装置产生的待感测磁场是主导的。在第二模式中,所述外部磁场较小。对来自两种模式的角度传感器装置输出进行组合,并且这使得能够利用偏移电压补偿来确定输入装置的角度取向。
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公开(公告)号:CN101988956B
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201010243163.4
申请日:2010-07-28
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: G01R33/09
CPC分类号: G01R33/091 , G01R33/0023 , G01R33/0029
摘要: 一种用于检测外部磁场的方向的磁传感器,包括:桥接电路,被配置为提供根据外部磁场的方向而改变的输出,桥接电路包括四个电阻元件部分,每个电阻元件部分包括至少一个磁阻效应元件;以及两个电阻器,连接至桥接电路的相应输出端子。当每个电阻元件部分的电阻对应于磁阻的改变而处于最小值时,每个电阻器的电阻与桥接电路的电阻之比至少是2。
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公开(公告)号:CN101738589B
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN200910222431.1
申请日:2009-11-13
申请人: 精工电子有限公司
发明人: 有山稔
IPC分类号: G01R33/07
CPC分类号: G01R33/0029 , G01R33/07
摘要: 传感器电路。本发明的目的是提供即使电路规模较小也能够进行温度补偿的传感器电路。作为解决手段,进行温度补偿的基准电压电路(BL1)只具有分压电路,因此传感器电路的电路规模变小。霍尔元件(HAL1)的输出信号发生温度变化而使放大电路(AMP1)的输出信号(OUTA)发生温度变化,相应地,基准电压(VTH11~VTH12)以及基准电压(VTH21~VTH22)也发生温度变化,因此传感器电路能进行温度补偿。
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