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公开(公告)号：CN118574295A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410838907.9
申请日：2024-06-26
申请人： 四川大学
摘要： 本申请涉及材料高温处理技术领域，尤其涉及一种等离子体发生器和温度分布可控的等离子体球化装置。本申请提供的等离子体发生器，包括：阴极模组，包括水冷阴极；阳极模组，至少包括三个阳极，三个所述阳极环绕所述水冷阴极的阴极轴线设置；引弧模组，具有送粉通道，用于产生启动电弧；其中，所述送粉通道的送粉方向与所述阴极轴线相交的位置形成送粉汇聚点，所述送粉汇聚点位于所述水冷阴极的阴极头与至少三个所述阳极的阳极轴线所在的平面之间，同时，所述送粉汇聚点还位于所述阴极头与所述阳极的阳极头产生的电弧之上。本申请通过上述设置，简化了电弧能量传递流程，提高了能量利用效率。
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公开(公告)号：CN118571809A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411054293.1
申请日：2024-08-02
申请人： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 , 江苏邑文微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频去胶技术领域，公开了一种用于半导体材质的射频去胶机，包括机器本体，安装于机器本体上的进气装置与真空泵，机器本体内设置有真空仓，并转动安装有仓门，真空仓内滑动安装有若干个电极板，真空仓的两侧内壁上对称固定安装有若干个用于对电极板进行限位的滑轨，每个所述滑轨内均滑动安装有磁块，此射频去胶机，利用电极片插入滑轨时推动磁块运动，磁块带动滑块以及其上第一挡板运动，使第一挡板上的第一气孔运动至进气管与进气口之间，对应电极片两侧的进气口同步打开，第一楔形块推动第二楔形块以及第二挡板运动，使第二挡板上的第二气孔运动至抽气管与抽气口之间，真空泵通过对应抽气口能够及时将对应电极板上产生的废弃抽走。
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公开(公告)号：CN118571741A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410708095.6
申请日：2021-08-23
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司 , 玛特森技术公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开提供一种用于处理工件的等离子体处理设备。在一个示例性实施例中，用于处理工件的等离子体处理设备包括处理腔室、与处理腔室分开的等离子体腔室、以及配置为在等离子体腔室中生成等离子体的感应耦合等离子体源。该设备包括设置在处理腔室内的基座，该基座配置为支撑工件。该设备包括设置在等离子体腔室中的插入件，该插入件可移动到等离子体腔室内的一个或多个竖直位置。该设备包括控制系统，该控制系统通信地耦合到插入件，以将插入件移动到等离子体腔室内的一个或多个竖直位置。本公开还提供了用于处理工件的方法。
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公开(公告)号：CN118571737A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311022677.0
申请日：2023-08-14
申请人： 日新离子机器株式会社
摘要： 本发明提供离子束引出用电极、离子源和引出电极系统，能够抑制堆积物向引出电极系统的堆积，并且能够消除伴随于此的各种问题。离子束引出用电极具备：第一构件，形成有供离子束通过的离子束通过孔(20h)；第二构件，与第一构件对置配置，并且形成有离子束通过孔(20h)；加热器(50)，至少一部分配置在第一构件与第二构件之间；以及气体阻断构件(60)，阻断气体从离子束通过孔(20h)流动到第一构件与第二构件之间。
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公开(公告)号：CN118092547B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN112786427B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202110190223.9
申请日：2017-07-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 石泽繁
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理系统和处理系统。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、搬送装置以及控制装置，所述等离子体处理装置具有：处理室；载置台，其设置于所述处理室的内部，用于载置基板；以及聚焦环，其以包围所述基板的周围的方式载置于所述载置台，所述搬送装置构成为能够搬送所述聚焦环，所述控制装置进行控制以执行以下步骤：搬出步骤，不将所述处理室向大气开放地由所述搬送装置将所述聚焦环从所述处理室内搬出；清洁步骤，在所述搬出步骤之后，对所述载置台的载置所述聚焦环的表面进行清洁处理；以及搬入步骤，在所述清洁步骤之后，不将所述处理室向大气开放地由所述搬送装置将聚焦环搬入到所述处理室内并载置于所述载置台。
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公开(公告)号：CN112185790B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010584866.7
申请日：2020-06-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 山﨑政宏
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置。清洁方法包括：用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X(X≥1)。根据本发明，能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素。
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公开(公告)号：CN118553592A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410853678.8
申请日：2024-06-28
申请人： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 , 江苏邑文微电子科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了灭弧供气管路及刻蚀设备。灭弧供气管路，用于为刻蚀设备输的反应腔室送工艺气体，包括第一输送管、灭弧组件以及第二输送管路。第一输送管与气源连通；灭弧组件具有灭弧通道，灭弧通道与第一输送管连通，灭弧通道包括多个导气流道，多个导气流道依次连通，多个导气流道的延伸方向各不相同以形成具有多个拐点的所述灭弧通道；第二输送管一端与灭弧通道连通，另一端与刻蚀设备的反应腔室连通。以此该供气管路在使用时，工艺气体从气源送出后，在途径灭弧组件时，能够有效减少电弧产生的可能性，且能够抑制已产生的电弧，从而有效减少工艺气体在输送过程中被电离启辉的可能性，确保工艺气体对晶圆的刻蚀效果稳定。
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公开(公告)号：CN118553589A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410605984.X
申请日：2024-05-15
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 乔理扬
摘要： 本申请提供了一种腔室清洁控制方法及半导体工艺设备，所述腔室清洁控制方法在当前清洁模式为第一清洁模式时获取第一数据，以基于第一数据确定当前射频开启时段的等效时长并与上一腔室清洁操作结束后的各历史射频开启时段的总等效时长求和，得到上一腔室清洁操作结束后的等效射频时长，等效时长是基于紧接于当前射频开启时段之前的空闲时长对当前射频开启时段的指定时长进行修正得到的，以在上一腔室清洁操作结束后的等效射频时长达到预设射频时长时控制腔室执行腔室清洁，由此实现了腔室状态的自动监测以及腔室的自动清洁，降低了人力和物料成本的耗费，且保证了对腔室的有效清洁，降低了腔室环境对设备在线时长的影响。
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