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公开(公告)号：CN112514091A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050633.4
申请日：2019-07-29
申请人： 艾沃思宾技术公司
摘要： 所公开的磁阻设备(200)包括位于隧道势垒区域(230)的相对侧的磁性固定区域(214、240)和磁性自由区域(250)。至少第一过渡区域(220)和第二过渡区域(221)位于磁性固定区域和隧道势垒区域之间。第一过渡区域包括非铁磁过渡金属，优选为纯Ta，并且第二过渡区域包括包含铁和硼的合金，优选为具有50at％的硼的FeB。
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公开(公告)号：CN112490356A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011432991.2
申请日：2020-12-10
申请人： 重庆邮电大学
摘要： 本发明公开了一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法，属于功能复合材料制备技术领域。柔性聚酰亚胺衬底、多层石墨烯薄膜、P(VDF‑TrFE)铁电层、金属铁磁层和钽保护层从下至上依次设置；本发明的CO2红外激光器碳化聚酰亚胺衬底，在聚酰亚胺衬底上制备磁电异质结可以得到石墨烯掺杂的全柔性磁电薄膜，克服了目前磁电复合结构大多受到衬底夹持效应束缚的问题，并且制备过程简单，可在大气氛围下制备和测试，解决了离子胶制备柔性磁电异质结制备过程复杂的问题。
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公开(公告)号：CN112349834A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011106849.9
申请日：2020-10-16
申请人： 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种三明治结构巨磁阻抗效应复合材料及制备方法，其制备方法是在巨磁阻抗传感器敏感元件纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13B9.5条带上，通过一步化学镀合成还原氧化石墨烯(rGO)内层，磁控溅射法获得FeCo外层，得到FeCo/rGO/FINEMET/rGO/FeCo三明治结构的巨磁阻抗(GMI)效应复合材料。其有益效果在于一方面还原氧化石墨烯层作为高导电层，提供了一个有利于高频电流流动的通道，大大降低了趋肤效应；另一方面FeCo层增加了磁导率，提供了一个封闭的磁路。最终FeCo/rGO/FINEMET/rGO/FeCo三明治结构的巨磁阻抗(GMI)效应复合材料获得了显著增强的GMI效应，也提高了GMI传感器的灵敏度，工艺简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN112349322A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910722857.7
申请日：2019-08-06
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
发明人： 戴瑾
摘要： 本申请提供一种磁性随机存储器架构及其制造方法，所述磁性随机存储器架构的每一存储单元设置于字线与位线相交部位，包括垂直场效晶体管与磁性隧道结，垂直场效晶体管由栅极、鳍状结构与N++半导体区组成。栅极延着鳍状结构两侧而成型，栅极对应位线的部位通过导电组件连接磁性隧道结。本申请通过栅极顺着鳍状结构形成，使得垂直场效晶体管在兼容使用于鳍状设计的同时，提升存储器的存储单元成型密度，有助于存储器记忆容量的提升。
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公开(公告)号：CN107369759B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201610311090.5
申请日：2016-05-11
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种使用拓扑绝缘体作为电子自旋滤波器的垂直型磁性随机存储器，包括参考层、记忆层、势垒层，以及由重复交替设置的拓扑绝缘体层和电介质层构成的自旋滤波层；所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；所述势垒层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻；所述自旋滤波层包括间隔开的第一极性部和第二极性部，所述第一极性部和所述第二极性部分别与所述记忆层电连接并形成完整的写电路。本发明还提供了上述磁性随机存储器的读写方法。
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公开(公告)号：CN112310271A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910677949.8
申请日：2019-07-25
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
摘要： 本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的反铁磁层设置两铁磁超晶格层及其之间的垂直各向异性增强层，实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。
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公开(公告)号：CN112289924A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011222661.0
申请日：2020-11-05
申请人： 歌尔微电子有限公司
摘要： 本发明公开一种磁传感器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露，提高了所述有效磁阻复合层成型精度，进而提高了产品质量，具有较好的效果。
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公开(公告)号：CN112271251A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011147245.9
申请日：2020-10-23
摘要： 本发明提供一种控制低维磁性的铁电异质结，包括两层二维材料：In2Se3铁电基底材料和磁性材料石墨烷。本发明还提供一种控制低维磁性的铁电异质结构建模型的方法，包括以下步骤：一、选取石墨烷和In2Se3单胞，分别对其进行结构优化。二、选取步骤一结构优化之后的石墨烷的晶格，将其置于In2Se3两侧，分别进行结构优化，并计算其电子性质。本发明提供了一种通过第一性原理计算的方法来实现磁性能的非易失性调控。In2Se3由于中间Se原子层处于不等价的环境中，通过移动Se原子层可以实现极化翻转的目的。通过本发明提出的异质结，当基底处于极化向上时，为无磁，当基底处于极化向下时，保持铁磁的状态，从而通过控制In2Se3极化方向实现磁性调控的目的。
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公开(公告)号：CN107683507B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201680029604.6
申请日：2016-07-08
申请人： 美光科技公司
摘要： 一些实施例包含磁隧道结，其包括磁参考材料，所述磁参考材料具有位于多层堆叠与极化器区之间的含铱区。一些实施例包含磁隧道结，其具有：导电第一磁电极，其含有磁记录材料；导电第二磁电极，其与所述第一电极间隔开且含有磁参考材料；及非磁绝缘体材料，其位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二电极的所述磁参考材料包含含有由钴与铂、钯及镍中的一或多者交替而成的堆叠的第一区，包含位于所述第一区上方的含铱第二区，且包含位于所述第二区上方的含钴第三区。所述第三区直接抵靠所述非磁绝缘体材料。
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公开(公告)号：CN109560193B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811271339.X
申请日：2018-10-29
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于人工反铁磁固定层的磁性结构及自旋轨道矩‑随机磁存储器(Spin‑Orbit Torque Magnetic Random Access Memory，SOT‑MRAM)，其包含一个电场调控的基于人工反铁磁装置的固定层的磁性隧道结和一个自旋轨道矩材料层；其中基于人工反铁磁装置的固定层可以通过电场调控，实现其反铁磁耦合增强。所述装置可以在电场和电流的共同作用下实现数据的稳定写入，结构简单，具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
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