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公开(公告)号：CN104112651A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410315792.1
申请日：2014-07-03
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/223
CPC分类号： H01L21/02096 , H01L21/02052 , H01L21/2225
摘要： 本发明涉及一种整流器芯片制作工艺，包括以下步骤：(1)将硅片放入混酸中进行减薄；(2)将(1)中的硅片依次进行清洗、附磷、磷源预沉积、磷分片和喷砂；(3)将喷砂后的硅片依次进行清洗、涂硼、磷源再推进和去氧化层；(4)将去氧化层后的硅片依次进行清洗、涂硼、硼扩散和硼分片；(5)最后结合玻璃钝化的方式，经过化学镀镍，制作完成芯片，本发明制作的产品稳定性好，且可靠性高。
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公开(公告)号：CN118545317A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410874137.3
申请日：2024-07-02
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及芯片包装技术领域，具体公开了一种筛盘及采用该筛盘辅助晶粒装tray的方法，筛盘包括筛盘本体，筛盘本体的其中一面开设有若干凹槽，凹槽的底面设有可供气体流通的气孔，筛盘表面设有气嘴，所有气孔均与气嘴连通。装tray方法包括：保持筛盘设有凹槽的一面朝上，将过量晶粒持续倒在筛盘设有凹槽的一面，同时通过气嘴抽负压，振动筛盘，至筛盘的每个凹槽内均有晶粒且方向相同，停止晶粒倾倒，振动筛掉多余晶粒；用另一筛盘进行方向调整，然后将tray盘设有凹槽的一面盖在上一道次筛盘设有凹槽的一面上，停止对气嘴抽负压，同时翻转使筛盘内的晶粒落入tray盘的凹槽内，且方向相同。本发明的方法具有高效率且结构简单成本低的优势，应用前进良好。
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公开(公告)号：CN113066722B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110291965.0
申请日：2021-03-18
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司 , 英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/304
摘要： 本发明提供了一种高压元件非等向性制造方法，包括如下步骤：S1：将半导体芯片表面清洗干净，备用；S2：将半导体芯片进行磷硼扩散，形成PN结的半导体芯片；S3：利用S2所得的半导体芯片P极表面朝上放在激光切割机载片台上，利用激光对半导体芯片进行垂直切割，形成垂直沟槽；然后将半导体芯片进行蚀刻步骤，获得所需的半导体芯片厚度；S4:蚀刻完毕后，在垂直沟槽里涂布玻璃浆料，经高温烧制形成绝缘层；S5:在半导体芯片P极和N极表面分别镀两层金属镍层，然后再镀一层抗氧化金属层。本发明可以有效改善传统二极管终端区晶粒反偏下电场过度集中现象。
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公开(公告)号：CN115062575B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210657396.1
申请日：2022-06-10
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398 , G06V30/422 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种三相整流桥塑封模注胶口位置优化方法及系统，应用于电子元件塑封技术领域，该方法包括：通过获得三相整流桥的电路设计图，根据获取的电路设计图，获取各电路图中各元件位置信息和导线位置信息。根据各元件位置信息和导线位置信息进行位置标定，得到标定信息。获得塑封模的结构信息，根据获取标定信息对塑封模的结构信息进行标定，得到初始标记结构信息，对所述各元件位置信息和导线位置信息进行密集度分析，得到低密度区域，根据所述初始标记结构信息和所述低密度区域，确定注胶口位置信息实现了对注胶口位置的调整。解决了现有技术中三相整流桥塑封模注胶口位置不合理，导致形成的塑封膜存在塑封本体露白及气孔的技术问题。
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公开(公告)号：CN107958859B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201711233983.3
申请日：2017-11-30
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明公开一种摆动装置，包括底座和支撑板，底座内部设置有平面摇摆机构和偏转摇摆机构，偏转摇摆机构位于平面摇摆机构上方，支撑板安装在偏转摇摆机构上方，且支撑板的四周安装有限位柱，限位柱的内侧开设有安装槽，本发明解决了现有技术中摆动效率差，只能在单方向摆动的技术问题。
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公开(公告)号：CN116122047A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310173747.6
申请日：2023-02-28
申请人： 南昌航空大学 , 扬州虹扬科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种超疏水光热导电涂层、其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：将碳纳米管分散在N，N‑二甲基乙酰胺中得到悬浮液，将悬浮液和聚氨酸溶液混合，得到电热层浇铸液；将制得的电热层浇铸液浇铸于纺织布上，干燥后制得PAA/CNTs复合膜；将胶粘剂与乙酸乙酯混合均匀，之后加入微米二氧化硅和纳米光热材料，制得超疏水光热电绝缘层混合液；将上述制得的PAA/CNTs复合膜浸泡于超疏水光热电绝缘层混合液中，制得超疏水光热导电涂层。本发明制备的涂层具有防结冰和除冰功能，能够在通电和自然光热情况下达到快速除冰的效果，解决了传统超疏水表面多次结冰循环后表面微纳结构被破坏带来的难题，且表层具有用电安全节能等优点。
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公开(公告)号：CN115985759A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211680410.6
申请日：2022-12-26
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司
发明人： 薛明峰
摘要： 本发明属于半导体生产的技术领域，具体涉及一种Cell返工工艺。本发明包括以下步骤：S1、将Cell置于丙酮原液中浸泡9～11分钟；S2、将Cell置于体积比为5％～15％的硝酸溶液中浸泡19～21分钟；S3、将Cell置于硫酸溶液中浸泡110～130分钟；S4、将Cell浸入第一混合酸；S5、将Cell置于溢流池内溢流水洗30秒；S6、将置于温度为40～60℃的热水池内浸泡30秒；S7、将Cell置于第二混合酸中浸泡50～70秒。S8、将Cell置于溢流池内溢流水洗30秒；S9、将Cell置于体积比为5％～10％的硝酸溶液中浸泡50～70秒；S10、对Cell的铜粒表面进行10～20分钟的电镀锡。本发明用于解决现有技术生产的Cell不良品过多，大幅降低Cell生产良品率的技术问题。
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公开(公告)号：CN113066722A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110291965.0
申请日：2021-03-18
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司 , 英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/304
摘要： 本发明提供了一种高压元件非等向性制造方法，包括如下步骤：S1：将半导体芯片表面清洗干净，备用；S2：将半导体芯片进行磷硼扩散，形成PN结的半导体芯片；S3：利用S2所得的半导体芯片P极表面朝上放在激光切割机载片台上，利用激光对半导体芯片进行垂直切割，形成垂直沟槽；然后将半导体芯片进行蚀刻步骤，获得所需的半导体芯片厚度；S4:蚀刻完毕后，在垂直沟槽里涂布玻璃浆料，经高温烧制形成绝缘层；S5:在半导体芯片P极和N极表面分别镀两层金属镍层，然后再镀一层抗氧化金属层。本发明可以有效改善传统二极管终端区晶粒反偏下电场过度集中现象。
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公开(公告)号：CN112951816A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110435781.7
申请日：2021-04-22
申请人： 扬州虹扬科技发展有限公司
发明人： 丁忠军
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/861 , H01L31/044
摘要： 本发明公开一种二极管、二极管的设计方法和光伏组件，二极管包括：底板；连接件，安装在底板上；两个晶粒，其中一个晶粒安装在连接件上，另一个晶粒安装在底板上；跳线，一端与位于连接件上的晶粒上方连接，另一端与底板连接。二极管的设计方法，包括：总面积设定步骤，单个晶粒规格设定步骤。光伏组件，包括上述的二极管，本发明解决了现有技术中二极管在大功率光伏组件下散热效果差和封装工艺要求较高的技术问题。
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