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公开(公告)号：CN114076197A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202210057591.0
申请日：2022-01-19
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种真空密封旋转升降系统及半导体设备，涉及半导体领域。真空密封旋转升降系统包括磁流体密封组件、运动轴、伸缩组件及第一密封圈。磁流体密封组件与真空箱固定连接，运动轴的一端用于伸入真空箱内，另一端可活动地与磁流体密封组件连接并伸出真空箱外。伸缩组件套设于运动轴位于真空箱内的部分上，伸缩组件的一端与运动轴固定连接，另一端与磁流体密封组件固定连接，伸缩组件用于在运动轴相对磁流体密封组件伸缩的情况下跟随运动轴进行伸缩运动，第一密封圈设置于伸缩组件和运动轴之间。本发明避免了磨损第一密封圈，延长了第一密封圈的使用寿命，且无需频繁地维护或更换，同时也保持有效的密封性能。
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公开(公告)号：CN112813422A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011629421.2
申请日：2020-12-30
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
发明人： 廖海涛
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/40
摘要： 本发明公开了一种基于腔体互联的沉积设备，包括真空调配平台(1)、至少二个反应腔室组(2)、加载腔体(3)、至少一个热型原子层沉积室(4)、至少一个预清洗腔室(5)、至少一个热处理腔室(6)和调配管理器(7)；所述反应腔室组(2)、加载腔体(3)、热型原子层沉积室(4)预清洗腔室(5)和热处理腔室(6)以环绕所述真空调配平台(1)的方式布置；所述自动输送机器人(8)和所述调配管理器(7)数据通信连接，所述自动输送机器人(8)用于在所述反应腔室组(2)、加载腔体(3)、热型原子层沉积室(4)、预清洗腔室(5)和热处理腔室(6)之间调配传输晶圆基体。本发明的采用磁悬浮制程扫描传感系统，实现上下浮动，从而更好的扫描到全面反应腔室，更好的监视相应的反应腔室。
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公开(公告)号：CN112563169A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011446213.9
申请日：2020-12-11
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
发明人： 廖海涛
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及等离子去胶机技术领域，具体公开了一种等离子干法去胶的热盘装置；包括工艺腔体，工艺腔体中固定设置有加热盘体，加热盘体的前后侧面开设有T形插入槽位于每个T形插入槽内侧的加热盘体中均开设有电阻加热棒贯穿槽；位于T形插入槽上下方的加热盘体侧面上均匀开设有若干第一螺纹孔，T形插入槽中设置有与T形插入槽相配合的T形电阻棒固定块，T形电阻棒固定块的外端上下两侧均开设有与每个第一螺纹孔相对应的第一通孔，第一通孔中设置有与第一螺纹孔相螺接的固定螺栓；本发明公开的加热盘中的加热器固定采用可拆卸设计，损坏后可单独更换，大大降低了维护和生产成本，同时其双工位的设计可同时满足两片产品片的工艺温度需求。
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公开(公告)号：CN116721915B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310973991.0
申请日：2023-08-04
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种SiC刻蚀方法和设备，SiC刻蚀方法包括：去除预设沟槽的底部的硬壳层、以及单步刻蚀或多步刻蚀；去除预设沟槽的底部的硬壳层的步骤，包括：利用CF4气体去除预设沟槽的底部的硬壳层；单步刻蚀或多步刻蚀的步骤，包括：利用主刻蚀气体SF6和辅助刻蚀气体，对SiC衬底进行刻蚀，其中，辅助刻蚀气体包括CBr4气体，以生成SiBr4附着在SiC衬底上刻蚀得到的沟槽的侧壁，以增强侧壁保护，降低侧壁的粗糙度。该刻蚀方法能够在转移图形的过程中降低SiC衬底刻蚀出的沟槽的侧壁的粗糙度，同时降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116428745A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310403178.X
申请日：2023-04-14
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： F24H9/1818 , F16L59/02
摘要： 本发明涉及去胶技术领域，具体而言，涉及一种去胶设备保温结构和腔体保温方法。去胶设备保温结构包括主体、加热器以及保温加热单元；主体具备去胶腔，加热器与主体连接，且用于加热去胶腔；保温加热单元与主体连接，并用于加热主体。该去胶设备保温结构能够缩短设备的加热时间，提高设备的工作效率。
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公开(公告)号：CN115874167B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310147056.9
申请日：2023-02-22
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
摘要： 本申请提供一种多工序PECVD设备的喷淋组件自动调平方法与装置，涉及半导体加工技术领域，多工序PECVD设备包括由多个喷淋头构成的喷淋组件、加热盘、与多个喷淋头一一对应的多个调平组件，各调平组件包括至少三个与对应喷淋头连接的调节件，加热盘包括与喷淋头数量相同的多个晶圆放置区域；所述方法包括：基于预设测量节点对应的水平度信息，确定匹配的喷淋头需要调平的目标晶圆放置区域以及对应的喷淋头调平参数；基于实时工艺进度确定不同工序目标喷淋头匹配的晶圆放置区域是否为目标晶圆放置区域，若是，基于目标喷淋头匹配的晶圆放置区域对应的喷淋头调平参数对目标喷淋头对应的调节件进行调节，能避免晶圆薄膜质量不达标的问题。
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公开(公告)号：CN115863223B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310051377.9
申请日：2023-02-02
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置，所述方法包括：基于当前晶圆的实时工艺进度，获取预设温度采样节点对应的晶圆目标温度和晶圆实际温度，并生成目标温度曲线和实际温度曲线，基于目标温度曲线和实际温度曲线的斜率确定实际温度曲线的目标区段，在目标区段中不包括设备故障区段的情况下，基于目标区段对应的工艺阶段以及目标区段中目标点对应的斜率和温度差值确定控温参数异常区段，并对控温参数异常区段对应的目标控温参数进行调节，基于调节后的控温参数对后续晶圆快速热处理工艺的工艺温度进行自动控制，能够在快速热处理工艺过程中自动进行温度误差校正，提高工艺温度的控制精度，保证晶圆的工艺质量和工艺效率。
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公开(公告)号：CN115877675B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310214214.8
申请日：2023-03-08
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种SiC晶片的光刻胶固化和曝光系统及其工艺控制方法，所述系统包括：通信连接的控制模块和工艺模块；工艺模块包括反应腔和反应腔上方的UV光源；反应腔中包括加热盘，用于放置SiC晶片并对SiC晶片进行加热；UV光源包括自上而下设置的发光单元和控光单元，发光单元包括发光电源、磁控管和汞灯，磁控管用于在发光电源的激发下产生微波点亮汞灯，控光单元包括多个可切换的滤光片，汞灯发射的紫外光经不同滤光片滤光后得到不同波长的紫外光并进入反应腔对SiC晶片进行照射；控制模块用于控制加热盘的加热温度、汞灯的光强及进入反应腔的紫外光波长，以对光刻胶进行固化和曝光，能避免塌胶并提高SiC的刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN115863223A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310051377.9
申请日：2023-02-02
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种晶圆快速热处理工艺的工艺温度控制方法和装置，所述方法包括：基于当前晶圆的实时工艺进度，获取预设温度采样节点对应的晶圆目标温度和晶圆实际温度，并生成目标温度曲线和实际温度曲线，基于目标温度曲线和实际温度曲线的斜率确定实际温度曲线的目标区段，在目标区段中不包括设备故障区段的情况下，基于目标区段对应的工艺阶段以及目标区段中目标点对应的斜率和温度差值确定控温参数异常区段，并对控温参数异常区段对应的目标控温参数进行调节，基于调节后的控温参数对后续晶圆快速热处理工艺的工艺温度进行自动控制，能够在快速热处理工艺过程中自动进行温度误差校正，提高工艺温度的控制精度，保证晶圆的工艺质量和工艺效率。
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公开(公告)号：CN115786884A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310051374.5
申请日：2023-02-02
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/40 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种增压加速型半导体薄膜沉积装置，涉及半导体技术领域。该增压加速型半导体薄膜沉积装置包括沉积腔室、混气腔室、等离子体发生器和至少两个进气管。混气腔室包括依次连接的预混提速室、增压管和混气室，至少两个进气管均与预混提速室连接，混气室与沉积腔室连接，预混提速室用于对至少两种工艺气体进行预混，以形成混合气体，预混提速室还用于对混合气体进行增压提速，并使其通过增压管进入混气室，混气室用于对混合气体进行充分混合，并将其送入沉积腔室，等离子体发生器与沉积腔室连接。本发明提供的增压加速型半导体薄膜沉积装置能够有效提高工艺气体的流速和气压，保证混合充分且均匀，成膜均匀性好，成膜效率高，沉积效果好。
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