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公开(公告)号：CN1463022A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03121551.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 东南大学
IPC: H01J9/22
Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示器的三色荧光粉喷涂方法，适用于导电栅网板结构等离子体显示器和障壁型等离子体显示器的荧光粉的制作。该方法利用压力喷枪喷涂或静电喷枪喷涂的原理，通过喷枪平面xy方向的二维运动或喷枪阵列的一维运动，同时采用特别设计制作的镂空掩膜，通过掩膜与导电性栅网板或障壁型等离子体显示器的后板的精确对位，分别将配制的红、绿、蓝三色荧光粉浆料依次喷涂在导电性栅网板的网孔内壁上或障壁的内壁表面，形成三色荧光粉的精确套色喷涂。本发明相对现有等离子体显示器中荧光粉层的制作方法而言，具有设备简单、制作效率高、色纯好、白场性能好、利于荧光粉发光性能的维持等优点。
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公开(公告)号：CN1108599C
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN99114358.2
申请日：1999-08-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示板。它主要包括前、后基板及夹在前、后基板中用于支撑前、后基板的包含网格孔阵列的导电栅网板，其每一栅网孔的几何轴线垂直通过寻址电极和扫描电极形成放电单元。本发明相对现有的等离子体显示板而言，具有更高的分辨率和发光亮度，更高的光透过率，更低的工作电压，更高的成品率，更低的制造成本。
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公开(公告)号：CN1402301A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131144.7
申请日：2002-10-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种三极管型场致发射显示板及其驱动方法。它的主要特征在于通过阳极的高压使阴极产生场致电子发射，而条型栅极位于阴极的下方，通过调制其电压阻止阴极产生场致电子发射以控制每一显示单元的电子发射来显示图像。本发明相对现有的场致发射显示板而言，具有更高的分辨率和发光亮度，更均匀的显示，更高的成品率，更低的制造成本。
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公开(公告)号：CN1337827A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN01131494.X
申请日：2001-09-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明激光显示视频图像的方法及显示器采用半导体激光二极管阵列通过单方向扫描显示视频图象。使得该显示器与现有大屏幕显示器相比具有成本低、亮度高、重量轻、功耗低、效率高等优点。本发明显示器主要由半导体激光二极管阵列、扫描机构和图象接收屏构成。半导体激光二极管阵列包含相应显示列数的半导体激光二极管。由于采用了单方向扫描机构,省去了相对较困难的快速行扫描机构,降低了制造难度,提高了显示质量。
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公开(公告)号：CN119206667A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411253734.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AR技术的文字与交通灯识别系统及工作方法，具体涉及深度学习目标检测算法应用与AR眼镜应用技术领域。本系统包括图像采集模块(1)、中央处理模块(2)、图像显示模块(3)部分组成；其中，由AR设备摄像头组成的图像采集模块采集实时视频流，图像采集模块连接中央处理模块对视频流进行处理。本发明通过将文字识别以及交通灯识别的深度学习目标检测模型植入中央处理模块中的目标检测模块实现对实时视频流中文字及交通灯的检测识别。中央处理模块的输出连接图像显示模块，经过中央处理模块处理的视频流信息传输到图像显示模块即AR设备显示终端显示，帮助老年人等视力缺陷群体辨认目标检测物‑文字或交通灯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108962984B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810595808.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管。由下至上依次包括：漏极、P+衬底、N型缓冲层、N型量子点层、N‑基区、P+阱、P基区、N+接触区、栅极、栅介质层和源极。由于量子点(零维材料)相较于高维材料具有更大的禁带宽度，而量子点的禁带宽度又强烈地依赖于其尺寸，且量子点尺寸不一，会天然地形成势能波动，产生大量的载流子局域区域。当器件关断时，剩余载流子被局域在量子点层中，可有效减小绝缘栅双极型晶体管器件的拖尾电流和缓冲层厚度，进而可以减小器件的开关时间和导通压降。
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公开(公告)号：CN110164996A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910411172.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，由下至上依次设置衬底、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、AlN/AlxGa1-xN超晶格结构、n型掺杂n-AlyGa1-yN层、n型掺杂n-AlzGa1-zN吸收层、AlN势垒增强层、金属薄膜层，在n-AlyGa1-yN层引出欧姆电极，其中0
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公开(公告)号：CN110148648A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910414019.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，包括由下至上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂i-Alx1Ga1-x1N缓冲层、n型n-Alx2Ga1-x2N层、非掺杂i-Alx3Ga1-x3N吸收层、双掺杂Al组分渐变p-Alx4Ga1-x4N/i-Alx5Ga1-x5N/n-Alx6Ga1-x6N分离层、非掺杂i-Alx7Ga1-x7N倍增层、p型p-Alx8Ga1-x8N层以及p型GaN层；在n型n-Alx1Ga1-x1N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其中x1>x2=x3=x4>x5>x6=x7>x8，通过对分离层两端的Al组分渐变区域分别进行p型掺杂和n型掺杂，可利用组分渐变伴随的极化诱导效应，增加载流子浓度，进一步增强极化电场。
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公开(公告)号：CN110137279A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910411504.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种具有金属和石墨烯插入层的紫外探测器。该紫外探测器的结构自下而上包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN中间层、石墨烯薄膜层、金属纳米结构层、n型n-AlxGa1-xN层、非掺杂i-AlyGa1-yN倍增层、p型p-AlzGa1-zN层、p型p-GaN层，在n-AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p-GaN层上引出p型欧姆电极，其中0
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公开(公告)号：CN109446950A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811200740.4
申请日：2018-10-16
Applicant: 东南大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明提供了一种基于热像仪摄像头的静态手势识别方法，包括以下步骤：将热像仪摄像头获取的热像温度数据，通过对数转换成为图像像素值；图像预处理；特征提取；手势识别。由于将热像温度数据转化为图像像素值后再行处理和识别，本发明提供的基于热像仪摄像头的静态手势识别方法在无光、弱光以及复杂颜色背景等的各种环境下均能够有效准确地分割出人手区域，并进行准确的手势分类识别，输出正确的期望结果，且算法鲁棒性好。
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