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公开(公告)号：CN106208969B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610574311.8
申请日：2016-07-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03D7/16
摘要： 本发明公开了一种低电压自偏置电流复用无源混频器，包括自偏置互补输入跨导级、无源本振开关和低电压跨阻放大器；所述自偏置互补输入跨导级为CMOS结构，通过NMOS管和PMOS管共同向无源本振开关注入射频电流；低电压跨阻放大器为采用跨导自举电路的共栅放大器，且该跨导自举电路采用了NMOS管输入的共源放大器结构；自偏置互补输入跨导级通过无源本振开关与低电压跨阻放大器构成电流复用。本发明同时降低了电源电压和偏置电流，实现了较高的转换增益，显著降低了混频器的功耗水平，具有转换增益高、工作稳定、总体功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN108679602A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810485859.4
申请日：2018-05-18
申请人： 东南大学
IPC分类号： F23C10/22
CPC分类号： F23C10/22
摘要： 本发明公开了一种增压流化床二次风协同进料装置，包括储料罐、星型给料器、下料管、气固分离器、螺旋进料器、压差控制器、补气管和二次风管，储料罐、星型给料器、下料管、气固分离器和螺旋进料器从上到下依次相连，储料罐上部设有补压入口，储料罐和下料管分别通过压力管与压差调节器相连，补气管与下料管上部相连，下料管通过气固分离器分别与二次风管和螺旋进料器相连，二次风管和螺旋进料器分别连接增压流化床。本发明还公开了该装置对增压流化床进料的方法。本发明可解决增压流化床进料口堵塞、增压运行工况下进料不稳定等问题，实现物料在不同压力条件下连续稳定地投入增压流化床。
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公开(公告)号：CN108667432A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810541124.9
申请日：2018-05-30
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种高效率高线性度包络调制器，包括依次连接的包络整形单元、偏置跟踪单元、线性放大级、电流感应单元、迟滞比较器、开关驱动单元和开关放大级。包络整形单元对输入包络进行直流移位和削峰处理后输入到线性放大级和偏置跟踪单元。偏置跟踪单元将线性放大级的AB类输出NMOS晶体管的栅极电压反馈给包络整形单元后输出正的移位电压。线性放大级的电阻反馈网络对包络信号线性放大整形，并补偿开关放大级的纹波电流。电流感应单元检测线性放大级的输出电流，并在传感电阻上产生压降。开关驱动单元加强迟滞比较器输出信号以驱动后级开关放大级工作。本发明包络调制器的线性度高，功耗低。
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公开(公告)号：CN106301233B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610631673.6
申请日：2016-08-03
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03D7/16
摘要： 本发明公开了一种电流倍增型低电压电流复用无源混频器，包括互补输入跨导级、无源本振开关和电流倍增型低电压跨阻放大器；电流倍增型低电压跨阻放大器包括NMOS管共源放大器、PMOS管共栅管和差分对，通过NMOS管共源放大器为PMOS管共栅管提升跨导，差分对的跨导管与PMOS管共栅管尺寸相同，并偏置在相同的直流电流下，差分对的栅极与PMOS共栅管的漏极相连，在跨导增强结构电路的作用下，PMOS管共栅管的源极相当于虚地，差分对中的跨导管复制PMOS管共栅管的电流并注入到负载，将下变频后的电流进行了倍增，从而进一步提高了转换增益并改善了噪声性能。
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公开(公告)号：CN108415502A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810263298.3
申请日：2018-03-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种无有限周期震荡的数字线性稳压电源，包括主环路、阈值检测模块、逻辑控制模块、移位寄存器、PMOS阵列和负载，其中，主环路用于比较输出电压与参考电压的差，并将比较结果送入逻辑控制模块；阈值检测模块用于检测输出电压是否落入阈值窗口，并将检测结果送入逻辑控制模块；当输出电压超出上下阈值时，主环路控制PMOS阵列快速切换，输出电压稳定到参考电压附近；当输出电压落入上下阈值之间时，阈值检测模块通过逻辑控制模块输出标志位，使得移位寄存器进入保持状态，电路输出稳定。此种结构可消除经典数字线性稳压电源中存在的有限周期震荡问题。本发明还公开一种无有限周期震荡的数字线性稳压方法。
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公开(公告)号：CN106059604B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610347830.0
申请日：2016-05-24
申请人： 东南大学
IPC分类号： H04B1/12
摘要： 本发明公开了一种基于信号分离的抗阻塞接收射频前端结构，包括高线性度的低噪声跨导放大器、电流开关无源混频器和具有频率邻近信号分离功能的中频电路，以电流模的方式工作，所述低噪声跨导放大器具有高线性度的跨导特性，减小输出电流信号中的非线性产物，中频电路在宽带范围内提供低输入阻抗，配合电流开关无源混频器，可防止阻塞信号在电路节点引发大电压摆幅并破坏工作点，中频电路还具有高频率选择性，能够有效滤除频率上接近有用信号的阻塞信号，分离出有用信号并向后级输出。本发明可用于无片外射频滤波器的接收机中，实现提取有用信号并抑制阻塞信号的功能。
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公开(公告)号：CN105553479B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610056385.2
申请日：2016-01-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明公开了一种应用于近阈值SAR ADC的二进制电容阵列及其低功耗开关方法，通过对其核心模块DAC电容阵列的特殊构建并结合所提出的新的开关算法，能够大大降低SAR ADC转换过程中DAC部分的功耗。该算法只采用两个参考电平，适用于近阈值电压下的SAR ADC设计。通过灵活运用联合、分裂和浮置的电容开关技术，电容阵列的总面积与普通两电平电容开关技术所需要的电容阵列面积相比，减少50％。
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公开(公告)号：CN106026930B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610574994.7
申请日：2016-07-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03D7/16
摘要： 本发明公开了一种低功耗高转换增益无源混频器，包括巴伦跨导级、无源本振开关及跨阻放大器；其中，巴伦跨导级采用电流复用结构，包括射频跨导级和射频预放大器，且射频预放大器采用共源放大器结构，射频跨导级采用CMOS跨导结构；跨阻放大器包括跨导增强的共栅放大器。相比与传统的无源混频器结构，本发明同时降低了跨导级和跨阻放大器的工作电流，具有转换增益高、工作稳定、功耗低的特点，且实现了更高阶的频率选择特性及对带外干扰信号的有效抑制。
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公开(公告)号：CN104539241B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510041273.5
申请日：2015-01-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03D7/16
摘要： 本发明公开了一种低电压高线性度上变频器及上变频信号输出方法,由跨导电路、本振开关以及负载电路构成，利用负反馈电路构造基于超级源跟随结构的跨导电路，使得流过本振开关的中频电流与输入电压呈现高度线性关系；并利用电流镜将转换电流复制并注入到本振开关，经本振开关的变频作用产生上变频信号以及谐波混频产物，再经负载电路滤除谐波混频产物，输出纯净的上变频信号。本发明可显著提升整个上变频器的线性度。同时本发明的上变频器将电源地之间层叠的晶体管数目控制在三个以内，可有效适应低电源电压的应用场合。
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公开(公告)号：CN105207626B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510706256.9
申请日：2015-10-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03D7/16
摘要： 本发明涉及一种折叠式线性跨导上变频器，包含高线性度中频跨导电路、双平衡本振开关以及负载电路；本发明为折叠结构，将跨导级产生的电流经电流镜复制到本振开关，从而将本振开关所在支路层叠的晶体管数目从四个减少到三个，缓和了电压裕度。跨导级通过基于运放的负反馈电路，实现了具有高线性度的电压—电流转换功能。同时为了保证跨导级的电压裕度，该线性跨导电路将跨导电阻两端的偏置电压相比输入电压上移了一个栅源电压。所述上混频电路可工作在较低电源电压下，并具有高线性度的特点。
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