一种新型双向双极性直流变换器

    公开(公告)号:CN203734529U

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201320656102.X

    申请日:2013-10-23

    IPC分类号: H02M3/155

    摘要: 本实用新型提供了一种新型双向双极性直流变换器,所述变流器的输入端正端和输出端负端之间、输入端负端和输出端正端之间均串联连接两个电力电子器件;输入端正端和输入端负端分别通过输入电容与公共地端相连;输出端负端和输出端正端分别通过输出电容与公共地端相连;两个电力电子器件的连接端通过电感与公共地端相连;数字控制板件将采集到的电压值和电流值通过比较器分别与电压给定值和电流给定值进行比较,PI控制器依据比较结果控制PWM发生器输出驱动信号调整电力电子器件的通和断。和现有技术相比,本实用新型提供的一种新型双向双极性直流变换器能够转换电压等级、调整电网潮流方向以及保护故障电网。

    一种MOSFET的有源驱动电路和方法
    87.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112054793A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010756981.8

    申请日:2020-07-31

    IPC分类号: H03K17/567

    摘要: 本发明提供一种MOSFET的有源驱动电路和方法,包括推挽模块、电阻模块和脉冲产生模块;推挽模块通过电阻模块连接被驱动MOSFET的栅极,所述脉冲产生模块一端连接被驱动MOSFET的栅极,另一端连接电阻模块;基于推挽模块产生的被驱动MOSFET的驱动电压以及脉冲产生模块基于采集的被驱动MOSFET的栅源极电压产生的脉冲信号为被驱动MOSFET提供可变的驱动电阻。本发明不需要增加驱动电阻,通过电阻模块为提供可变的驱动电阻,缩短了MOSFET的开关时间,降低了开关损耗和成本,且抑制效果好;本发明结构简单,能够在牺牲较小MOSFET开关损耗的基础上,有效抑制器件开关过程中的电流、电压过冲和振荡。

    一种储能变流器过流过压硬件保护系统及方法

    公开(公告)号:CN115764810A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211333955.X

    申请日:2022-10-28

    摘要: 本发明涉及电力电子变流器技术领域,具体提供了一种储能变流器过流过压硬件保护系统及方法,包括:ARM单元、DSP单元和FPGA单元;ARM单元,用于将上位机下发的遥调遥控数据转发至DSP单元;DSP单元,用于基于遥调遥控数据和接收的电压电流采样值生成调制波,并将调制波和遥调遥控数据中的过流过压保护参考值转发至FPGA单元;FPGA单元,用于将调制波与三角波进行比较,生成用于驱动储能变流器的IGBT的PWM脉冲信号,并基于电压电流采样值和过流过压保护参考值,利用PWM脉冲信号驱动储能变流器的IGBT。本发明提供的技术方案采用ARM+DSP+FPGA的三核设计,采用基于FPGA的过流过压保护方案替代电路板上过电流、过电压检测和保护电路,能够简化硬件设计,节约成本。