公开(公告)号：CN113800939A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111000881.3

申请日：2021-08-30

申请人： 华中科技大学

发明人： 谭划 ,  袁绮 ,  张海波 ,  南博 ,  任勇飞

IPC分类号： C04B38/00 ,  C04B35/80 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622 ,  C04B35/14

摘要： 本发明提供了一种纳米纤维SiO2多孔陶瓷材料及其制备方法。本发明以二氧化硅粉体为原料，通过放电等离子体烧结法，没有添加任何烧结助剂，成功制备出比表面积大、强度高和吸附效率高的纳米纤维SiO2多孔陶瓷材料，还具有使用寿命长和安全性高特点，该纳米纤维SiO2多孔陶瓷材料在过滤器、膜/催化剂载体和反应器床等方面的有着巨大的应用前景。而且本发明方法还具有制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化生产等优点。

公开(公告)号：CN110233047A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910594198.3

申请日：2019-07-03

申请人： 华中科技大学 ,  东莞市普隆电子有限公司

发明人： 张海波 ,  叶宝华 ,  范鹏元 ,  姜礼 ,  朱义为

IPC分类号： H01G4/06

摘要： 本发明提供一种高储能密度电介质材料的制备方法，涉及薄膜材料生产技术领域。包括以下步骤：超声混合分散、混合离心洗涤、干燥煅烧、混合离心洗涤、分散混合、刮平干燥热处理、淬火烘干。本发明采用SrTiO3作为电介质材料的填充物，并且通过SiO2和多巴胺依次对其进行包覆和修饰，有效提高了电介质材料的储能密度、储能效率和击穿场强，使制得的电介质材料在350MV/m的电场强度下最高达到11.42J/cm3的储能性能，且储能效率最高达到55.04％。

公开(公告)号：CN100503515C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710052746.7

申请日：2007-07-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 谢甜甜 ,  姜胜林 ,  曾亦可 ,  张海波

IPC分类号： C04B35/632

摘要： 本发明公开了一种制备功能陶瓷材料的方法，包括：①配置好含有有机单体、交联剂、引发剂、分散剂和陶瓷粉料的悬浮液；②加入催化剂，将浆料注入到环状金属模具中原位固化，即得到大尺寸陶瓷的湿坯；③将坯体脱模后，放入网状夹具中，再将夹具放入恒温恒湿箱中干燥，若干天后放入烘箱中干燥；④将干燥好的坯体在一定升温制度下排胶，并在高温烧结成瓷。本发明制备出大尺寸高性能铌锌酸铅—锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸锶钡系热释电陶瓷、铌锰酸铅—锑锰酸铅—锆钛酸铅系热释电陶瓷。

公开(公告)号：CN101260217A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810047179.0

申请日：2008-03-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  张海波 ,  钟南海 ,  曾亦可 ,  张光祖

IPC分类号： C08L27/16 ,  C08K3/22 ,  H01L35/00 ,  H01L37/00

CPC分类号： Y02P20/125

摘要： 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜；⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。

公开(公告)号：CN101217180A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810046660.8

申请日：2008-01-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 张海波 ,  姜胜林 ,  曾亦可 ,  钟南海 ,  张洋洋

IPC分类号： H01L41/22

摘要： 本发明公开了一种无铅压电厚膜的丝网印刷制备方法，包括：①固相法制备无铅压电陶瓷粉体；②将粘合剂按质量比为3∶100～9∶100溶解到松油醇中得到有机混合物；③将无铅压电陶瓷粉料与有机混合物按质量比15∶10～90∶10混合，加入分散剂，增塑剂混合碾磨后再球磨，得到待印刷浆料；④将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复得到所需厚度的厚膜素坯；⑤将素坯在1050～1300℃下烧结，保温15～45分钟即可。本发明工艺简单，环保，成膜效率高，可重复性好，成膜较致密，电性能优异，厚度可在10～100μm内随意控制，可无需光刻工艺得到各种印刷厚膜图形，与MEMS技术兼容，适合于制备压电微马达、微流体泵、超声换能器及微执行器。

公开(公告)号：CN100361933C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200610019451.5

申请日：2006-06-23

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  张洋洋 ,  邓传益 ,  张海波 ,  胡勇

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/624 ,  C04B33/28

摘要： 本发明公开了一种热释电陶瓷材料的制备方法，包括①将Pb3O4、La2O3、CaCO3和TiO2混合，再进行球磨，烘干，过筛，预烧，球磨，烘干和过筛制备成粉料；②将硅酸乙脂溶于去离子水和酒精的混合液中，再加入盐酸，混合搅拌，制备成水解液；③将粉料与水解液混合搅拌均匀制成浆料；④将浆料通过真空除泡，在模具内浇注；调节pH值，再将浆料快速凝固，干燥形成坯体；⑤将坯体进行高温烧结，烧结温度为1100～1200℃，保温制得所需的热释电陶瓷材料。采用本发明方法所制备的陶瓷材料具有低的相对介电常数、很高的热释电系数、高探测率优值，其性能能够满足制备高灵敏度单元热释电红外传感器和非致冷焦平面红外传感器对材料性能上的要求。

公开(公告)号：CN1884194A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610019451.5

申请日：2006-06-23

申请人： 华中科技大学

发明人： 姜胜林 ,  曾亦可 ,  张洋洋 ,  邓传益 ,  张海波 ,  胡勇

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/624 ,  C04B33/28

摘要： 本发明公开了一种热释电陶瓷材料，结构式为Pb1－x－yLaxCayTi1－x/4O3，x，y＝0.1－0.2。上述材料的凝胶注模成型方法，包括①将Pb3O4、La2O3、CaCO3和TiO2混合，再进行球磨，烘干，过筛，预烧，球磨，烘干和过筛制备成粉料；②将硅酸乙酯溶于去离子水和酒精的混合液中，再加入盐酸，混合搅拌，制备成水解液；③将粉料与水解液混合搅拌均匀制成浆料；④将浆料通过真空除泡，在模具内浇注；调节pH值，再将浆料快速凝固，干燥形成坯体；⑤将坯体进行高温烧结，烧结温度为1100～1200℃，保温制得所需的热释电陶瓷材料。本发明陶瓷材料具有低的相对介电常数、很高的热释电系数、高探测率优值，其性能能够满足制备高灵敏度单元热释电红外传感器和非致冷焦平面红外传感器对材料性能上的要求。

公开(公告)号：CN118450785A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410559390.X

申请日：2024-05-08

申请人： 华中科技大学 ,  湖北大学

发明人： 张海波 ,  王士骥 ,  谭划 ,  胡永明 ,  马伟刚 ,  王传民 ,  周鑫翊

IPC分类号： H10N30/85 ,  H10N30/87 ,  H10N30/01 ,  H10N30/06 ,  H10N30/092

摘要： 本发明公开了一种直接印刷电极的陶瓷纤维‑聚合物复合压电器件及其制备方法，涉及电子材料与器件技术领域。本发明的陶瓷纤维‑聚合物复合压电器件包括由压电陶瓷纤维和聚合物复合而成的复合材料层，其中，压电陶瓷纤维在复合材料层表面形成暴露面，该暴露面直接与陶瓷纤维‑聚合物复合压电器件的电极接触。本发明制备工艺简单，相较于传统MFC封装工艺，消除了聚合物在电极组装过程中的影响，不存在粘结剂存在于电极和压电陶瓷纤维之间进而影响压电陶瓷器件性能的问题，显著提高了电极与复合材料的接触性能，从而增强了压电陶瓷器件的性能表现。

公开(公告)号：CN118280647A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410418840.3

申请日：2024-04-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 张海波 ,  王欣然 ,  谭划 ,  周东桓 ,  吴天琼 ,  周瑜 ,  陈骏 ,  祁核

IPC分类号： H01B7/29 ,  H01B7/02 ,  H01B3/02 ,  H01B3/28 ,  H01B13/06 ,  H01B13/22 ,  C09D183/04 ,  C09D5/25 ,  C09D7/61

摘要： 本发明公开了一种耐高温铠装电缆，属于电缆技术领域。本发明所述耐高温铠装电缆的结构包括耐高温铠装电缆芯、第一绝缘层、金属网屏蔽层、第二绝缘层和耐高温铠装电缆外层护套。本发明通过改进电缆结构，实现了铠装电缆在高温环境下抗氧化性能与导电性能的提升。

公开(公告)号：CN117828715A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311613586.4

申请日：2023-11-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 吴贤国 ,  陈虹宇 ,  张海波 ,  林福龙 ,  胡耀峰 ,  朱海军 ,  钟启凯 ,  刘文 ,  刘文黎 ,  覃亚伟 ,  李培振 ,  周鸣亮 ,  刘俊 ,  冯宗宝

IPC分类号： G06F30/13 ,  G06F30/27 ,  G06F111/06 ,  G06F111/04 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F111/08

摘要： 本发明公开了一种基于NGBoost结合遗传算法(NSGA)‑Ⅲ的盾构隧道绿色智能设计方法及设备，方法包括：获取引起隧道变形和成本变化的敏感因素，并建立影响因素指标体系，搜集实际监测数据以构建样本数据集；基于样本数据集，建立包括拱顶沉降、道床沉降、道床水平位移、截面收敛、单位长度造价的NGBoost预测模型并检验；引入NSGA‑Ⅲ函数作为目标优化函数，由此构建基于NGBoost‑NSGA‑Ⅲ的多目标优化模型，在盾构管片参数的约束条件范围内，经过运算获得最优解。本发明将NGBoost和NSGA‑Ⅲ结合，通过对拱顶沉降、道床沉降、道床水平位移、截面收敛、单位长度造价等参数的高精度预测，实现多目标优化，使优化结果更符合实际工程需求。