公开(公告)号：CN104810349A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410035674.5

申请日：2014-01-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 刘凌 ,  程仁豪 ,  王西宁

IPC: H01L23/522 ,  H01F17/00 ,  H01F27/28

Abstract: 本发明提供一种差分电感器，至少包括：第一端口、第二端口及底层线圈；所述底层线圈的内外圈金属线圈之间通过若干第一斜线连接件以交叉方式连接；所述底层线圈的最外圈金属线圈正上方形成有一圈顶层金属线圈；所述顶层金属线圈通过所述第一端口、第二端口、及若干触点与所述底层线圈以并联方式连接；所述顶层金属线圈与所述底层线圈之间仅最外圈金属线圈堆叠并共用所述底层线圈中除最外圈金属线圈以外的所有的金属线圈。本发明的电感器中顶层线圈与底层线圈之间并联且仅最外层金属线圈堆叠，减少了耦合电容；同时连接处厚度增加，提高了线圈通电能力并降低损耗；二者共同作用，可以整体提升电感器Q值超过15%。

公开(公告)号：CN103794592A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210425591.8

申请日：2012-10-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 程仁豪 ,  王西宁 ,  刘凌

IPC: H01L23/522 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有接地屏蔽结构的半导体器件。所述接地屏蔽结构包括：衬底；位于衬底表面的接地环；位于衬底表面、被接地环包围的接地屏蔽结构，其中，所述接地屏蔽结构包括：多个同轴的导电环及沿导电环的半径方向贯穿多个导电环的金属线，且金属线与接地环电连接；位于所述接地屏蔽结构和电子器件之间的；位于绝缘层上的电子器件。所述接地屏蔽结构能够有效降低电子器件的衬底损耗。

公开(公告)号：CN103474415A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210184958.1

申请日：2012-06-06

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 程仁豪 ,  王西宁 ,  刘凌

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，电感包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方重叠设置的第一平面螺旋线圈、第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈，包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线连接的内圈金属线，其中，内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，子金属线的一端分别与最外圈金属线连接，最外圈金属线的另一端与第一接触层连接；第一导电栓塞两端分别连接第一平面螺旋线圈和第二平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第二导电栓塞两端分别连接第二平面螺旋线圈和第三平面螺旋线圈内圈的子金属线的一端连接；第一导电栓塞与第二导电栓塞连接；第一平面螺旋线圈和和第三平面螺旋线圈的最外圈金属线的一端连接。所述电感的品质因数Q提高。