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公开(公告)号：CN103513454A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310384877.0
申请日：2013-08-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G09G3/006 , G01R31/28 , G02F1/1309 , G02F1/136286 , G02F2001/136254 , G02F2001/136272 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板以及该阵列基板的检测方法和制备方法。该阵列基板包括第一检测线、第二检测线以及相间设置的第一数据线和第二数据线；所述第一数据线直接连接至第一检测线，第二数据线通过开关元件连接至第二检测线；或者，所述第二数据线直接连接至第二检测线，第一数据线通过开关元件连接至第一检测线。本发明避免了由于第一检测线与第二检测线短路不良造成合格产品被误判为不合格产品的问题；并且，在测试过程之外，由于开关元件处于关断状态，即和开关元件的连接测试线与对应数据线之间是断开的，这样避免了显示区域电荷传递到测试线上，减少了静电积累，提升了shorting bar区域的可靠性。
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公开(公告)号：CN102981332A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210475414.0
申请日：2012-11-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/13 , H01L27/02 , H01L21/77 , G01B21/02
摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置、线宽测量方法和装置，涉及液晶显示器领域，可以测量获得准确的条状电极的线宽。所述阵列基板包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；还包括：设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。
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公开(公告)号：CN102945854A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210454642.X
申请日：2012-11-13
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56 , G02F1/1333 , G03F7/00
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/66765
摘要： 本发明实施例提供阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减小阵列基板的扇出线路的线间距，制备出满足窄边框技术要求的阵列基板。本发明的阵列基板包括：基板；设置于基板上的栅绝缘层；设置于栅绝缘层上的扇出线路，扇出线路包括多条扇出导线，扇出导线包括设置于栅绝缘层上的非晶硅层、欧姆接触层以及源漏极层，扇出导线是通过在源漏极层上形成第一光刻胶，并对第一光刻胶进行半曝光显影工艺后，对非晶硅层、欧姆接触层、源漏极层、第一光刻胶采用刻蚀工艺，然后剥离第一光刻胶，形成第二光刻胶，对第二光刻胶进行全曝光显影工艺，以及对非晶硅层采用刻蚀工艺所形成的。
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公开(公告)号：CN106941093B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710335389.9
申请日：2017-05-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362
摘要： 本公开提供一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括：形成薄膜晶体管和外围电路；形成至少覆盖薄膜晶体管以及外围电路的钝化层；形成贯穿钝化层且暴露出部分薄膜晶体管的漏极的第一过孔，以及贯穿钝化层且暴露出部分外围电路的第二过孔；在钝化层上形成包括第一导电层的图形，第一导电层覆盖第一过孔和第二过孔；在第一导电层上形成包括反射金属层的图形和包括第二导电层的图形，第二导电层覆盖第二过孔。
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公开(公告)号：CN106409840B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610916022.1
申请日：2016-10-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L21/84
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示面板，在薄膜晶体管中设置由碳纳米管半导体层和非掺杂非晶硅层组成的有源层，并且将非掺杂非晶硅层设置于碳纳米管半导体层与源极和漏极之间。这样，在薄膜晶体管打开时，主要通过有源层中的碳纳米管半导体层导电，碳纳米管半导体层具有较高的电子迁移率，并形成较大的开态电流，在薄膜晶体管关闭时，漏电流主要通过有源层中的非掺杂非晶硅层进行释放，具有较小的漏电流，从而使薄膜晶体管具有较高的开关电流比。
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公开(公告)号：CN108836352A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810731128.3
申请日：2018-07-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC分类号： A61B5/1117 , A41D13/00 , A41D2400/44 , A61B5/6801
摘要： 本发明公开了一种防摔倒装置和智能穿戴设备，包括夹持主体、支撑件、第一弹性件和固定件；所述夹持主体用于固定在人体上，在夹持主体的至少一侧通过第一弹性件连接有所述支撑件；在该装置处于收缩状态下，所述固定件将所述支撑件固定在靠近夹持主体位置，所述第一弹性件处于压缩状态；在该装置被触发为释放状态下，所述固定件解除对所述支撑件的固定，所述支撑件在所述第一弹性件弹性回复力的作用下，远离所述夹持主体。本发明实施例可以有效地减少支撑瞬间支撑件对人体造成的冲击力，能够更好地保护人体，在人体摔倒时及时地提供有效的保护，极大地降低老年人由于摔倒而导致的死伤问题。
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公开(公告)号：CN108563098A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810043444.1
申请日：2018-01-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G03F1/62
摘要： 本发明公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括：基板，以及位于所述基板上的至少一个第一曝光结构和至少一个第二曝光结构；其中，所述第一曝光结构包括第一遮光膜层和滤光膜层，所述滤光膜层至少紧邻所述第一遮光膜层的相对两侧；所述第二曝光结构仅包括第二遮光膜层。通过在至少紧邻第一遮光膜层的相对两侧设置滤光膜层，可以使第一遮光膜层的相对两侧的曝光量减少，避免通过第一曝光结构形成的图形出现过曝光现象，从而使对曝光量要求不同的待形成图形可以通过设置有第一曝光结构和第二曝光结构的一道掩膜版来形成，以简化制备工艺。
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公开(公告)号：CN108428346A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810246066.7
申请日：2018-03-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种识别服务车辆与注册车辆是否一致的方法及系统，用以保证服务车辆与注册车辆一致，从而提高网络约车的服务质量。所述识别服务车辆与注册车辆是否一致的方法，包括：确定当前司机手机的配置信息或定位信息；根据所述司机手机的配置信息或定位信息，确定与所述司机手机匹配的服务车辆，并获取所述服务车辆的配置信息；根据预先注册的与所述司机手机匹配的注册车辆的配置信息、所述服务车辆的配置信息，判断所述服务车辆与所述注册车辆是否一致。
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公开(公告)号：CN104850266B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510303645.7
申请日：2015-06-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107 , G06F2203/04111 , G06F2203/04112
摘要： 本发明提供一种触摸显示面板及其制造方法和显示装置，所述触摸显示面板包括：显示基板，形成在所述显示基板上的透明导电层，形成在所述透明导电层上的透明绝缘层，以及形成在所述透明绝缘层上的触摸电极。本发明通过在显示基板与触摸电极之间增加透明导电层和透明绝缘层，可以减少在显示基板的制程中的静电积累，并能够防止成盒检测时的电磁干扰。
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公开(公告)号：CN108010924A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711277247.8
申请日：2017-12-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板，用以在避免铜离子污染TFT的导电沟道时，避免源漏极与像素电极的搭接处Cu金属表面氧化，该方法包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层膜层、欧姆接触层膜层和铜金属膜层；在铜金属膜层上涂光刻胶，并对该光刻胶进行曝光、显影；根据显影后的光刻胶，对铜金属膜层、欧姆接触层膜层和有源层膜层进行刻蚀，在对铜金属膜层进行第二道湿法刻蚀，形成源漏极后，对所述源漏极上的光刻胶进行湿法剥离，并在所述剥离光刻胶的源漏极上形成与所述源漏极部分接触的像素电极；以所述源漏极为掩膜版，对所述欧姆接触层膜层和有源层膜层进行第二道干法刻蚀，以形成欧姆接触层和有源层。
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