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公开(公告)号：CN209442655U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201920038866.X
申请日：2019-01-09
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本实用新型提供了一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底。石墨烯薄膜转移装置包括壳体、刻蚀与清洗组件以及蠕动组件。壳体包括第一进水口和第一出水口，壳体内部形成真空腔体。刻蚀与清洗组件设于真空腔体内，包括腔室以及限位框。腔室包括第二进水口和第二出水口，分别连通于第一进水口和第一出水口。限位框悬浮于腔室内的液体，限位框形成一限域，石墨烯薄膜设于限域内，目标基底设于腔室的底部。蠕动组件用于控制液体进出的流速。其中，随着液面下移，石墨烯薄膜转移至目标基底。
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公开(公告)号：CN210710764U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201921342662.1
申请日：2019-08-19
申请人： 北京石墨烯研究院
IPC分类号： C01B32/184
摘要： 本实用新型一实施方式提供了一种用于制备石墨烯的立式炉，包括炉体、晶舟和隔热屏；所述炉体为一端开口的圆筒，所述圆筒包括筒体部以及分别设置于所述筒体部两端的顶端部和底端部，所述开口设置于所述底端部，在所述顶端部设置有匀气盘，在所述匀气盘上开设有多个通气孔，在所述炉体内设置有导气管，所述导气管的出气口设置于所述顶端部并位于所述圆筒的筒顶与所述匀气盘之间；所述晶舟设置于所述隔热屏上，所述晶舟和所述隔热屏能够通过所述开口进出所述炉体。本实用新型一实施方式的用于制备石墨烯的立式炉，可制得品质高、均匀性好的石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN115165933A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210741389.X
申请日：2022-06-28
申请人： 北京大学
IPC分类号： G01N23/04 , G01N23/20025 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , C01B32/194
摘要： 本发明公开了一种石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构及其制备方法和应用，属于材料领域。本发明的制备方法包括将厚度、尺寸可控的多孔膜与石墨烯贴合后得到石墨烯‑多孔膜复合结构，随后将其转移至金属微栅上，得到金属微栅‑石墨烯‑多孔膜复合结构；在所述金属微栅‑石墨烯‑多孔膜复合结构上再转移一片自支撑的石墨烯膜构成石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构，其中，液体被封装在多孔膜的圆柱形的孔洞中，同时上、下表面分别被石墨烯封装。本发明的石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构可进行液相电镜成像或冷冻电镜成像。
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公开(公告)号：CN109422260B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B32/196 , C01B32/30
摘要： 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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公开(公告)号：CN108732187B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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公开(公告)号：CN107354506B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710522321.1
申请日：2017-06-30
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种制备超平整铜单晶薄膜的方法。本发明提供的制备铜单晶薄膜的方法，包括如下步骤：以蓝宝石单晶作为生长基底，磁控溅射铜靶，退火，得到所述铜单晶薄膜。本发明采用蓝宝石作为铜的外延生长基底，采用磁控溅射的方法，在c面蓝宝石基底表面沉积了取向一致的铜薄膜，并且在随后的退火过程中，取向一致的铜熟化长大成为取向一致的无面内孪晶的单晶铜(111)薄膜。这种方法制备得到的单晶铜(111)薄膜，表面及其平整，直径可控，重复性高，在通讯、电子、石墨烯制备等领域具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107190315B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710523050.1
申请日：2017-06-30
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种制备超平整无褶皱石墨烯单晶的方法。该方法包括：将铜(111)单晶薄膜/蓝宝石对叠，使蓝宝石面在外，铜(111)单晶薄膜面在内，先退火再进行常压化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜(111)单晶薄膜表面得到所述石墨烯单晶薄膜。本发明采用超平整铜(111)单晶以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯单晶。超平整石墨烯单晶的平整度达到0.5nm，表面无褶皱，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。超平石墨烯具有远优于粗糙石墨烯的性能，包括抗氧化性能和导电性能。
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公开(公告)号：CN106629685B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201611232796.9
申请日：2016-12-28
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194
摘要： 本发明公开了一种具有多级结构的三维石墨烯泡沫及其制备方法。所述多级结构的三维石墨烯泡沫是泡沫金属骨架的三维石墨烯基体表面生长有石墨烯纳米片；去除金属骨架后得自支撑的具有多级结构的三维石墨烯泡沫，在三维石墨烯基体表面生长有石墨烯纳米片；所述石墨烯纳米片的长度为50nm‑500nm，密度为1012‑1014个/m2。本发明还提供多级结构的三维石墨烯泡沫的制备方法，可用于大规模生产，制得多级结构的三维石墨烯泡沫的尺寸可达300平方厘米，该石墨烯泡沫质量高，吸光率高，比表面积大，适用于储能与太阳能转化的应用。
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公开(公告)号：CN109437176A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811381142.1
申请日：2018-11-20
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明公开了一种选择性刻蚀生长基底制备悬空石墨烯支撑膜的方法。该制作方法避免了石墨烯的转移过程，效率高、成本低，一步刻蚀即可得到高质量的石墨烯支撑膜。所得的石墨烯支撑膜无需任何高分子膜及高分子纤维辅助支撑，石墨烯支撑膜层数可控，完整度高(90％-97％)、悬空面积大(直径10-50μm)、洁净区域广(＞100nm)，并可实现批量制备。此外，该石墨烯支撑膜可直接用于透射电镜支撑膜，并能实现所纳米颗粒的高分辨成像。
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