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公开(公告)号：CN115611272B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110788224.3
申请日：2021-07-13
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成有机胶层，得到有机胶层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在有机胶层表面粘附聚合物膜/硅树脂层复合膜；除去金属基底，得到聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体；将聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热除去聚合物膜/硅树脂层复合膜；及用有机溶剂除去有机胶层。本发明的转移方法，利用有机胶层隔离石墨烯薄膜与聚合物膜/硅树脂复合层直接接触，避免加热揭去聚合物膜/硅树脂复合层时应力作用导致石墨烯破损；并且有机胶与石墨烯表面相互作用较弱，不易残留，可提高石墨烯薄膜的完整度和洁净度。
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公开(公告)号：CN116856050A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210315664.1
申请日：2022-03-28
摘要： 本发明公开了一种适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底。单晶石墨烯晶圆的制备包括以下步骤：1)构筑铜钴(111)合金晶圆，其中将磁控溅射制备的铜钴合金/蓝宝石晶圆置于化学气相沉积系统中进行退火处理，得到铜钴(111)合金晶圆；2)通入气态碳源，在所述铜钴(111)合金晶圆表面外延生长单晶石墨烯。本方法一方面有利于解决现有铜晶圆高温退火单晶化时表面的热沟壑问题，从而提高合金晶圆的表面平整度和均匀性。另一方面，本方法利用钴元素自身的高催化活性和溶碳量，可以实现石墨烯单晶晶圆畴区尺寸、生长速率和层数的有效调控。
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公开(公告)号：CN114956062A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110213872.6
申请日：2021-02-25
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带，得到复合层；采用鼓泡剥离法将生长基底分离；待复合层干燥后，将其贴合到目标衬底；以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构，基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离，可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏；并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底，生长基底可重复使用，可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
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公开(公告)号：CN108950683B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710372584.9
申请日：2017-05-24
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得。本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
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公开(公告)号：CN107539976B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110607517A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC分类号： C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
摘要： 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
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公开(公告)号：CN107782709A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
申请人： 北京大学
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
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公开(公告)号：CN115611272A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110788224.3
申请日：2021-07-13
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成有机胶层，得到有机胶层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在有机胶层表面粘附聚合物膜/硅树脂层复合膜；除去金属基底，得到聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体；将聚合物膜/硅树脂层/有机胶层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热除去聚合物膜/硅树脂层复合膜；及用有机溶剂除去有机胶层。本发明的转移方法，利用有机胶层隔离石墨烯薄膜与聚合物膜/硅树脂复合层直接接触，避免加热揭去聚合物膜/硅树脂复合层时应力作用导致石墨烯破损；并且有机胶与石墨烯表面相互作用较弱，不易残留，可提高石墨烯薄膜的完整度和洁净度。
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公开(公告)号：CN115420653A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC分类号： G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
摘要： 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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公开(公告)号：CN114804079A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/194
摘要： 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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