具有高品质因子的电感
    81.
    实用新型

    公开(公告)号:CN2741192Y

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200420084338.1

    申请日:2004-07-21

    Abstract: 本实用新型揭露一种具有高品质因子的电感。该电感包括:一基底、一内层电感层、一保护层、一顶部电感层以及一焊接区电感层。其中,介电层覆盖于基底表面,且具有至少一介电层开口,另外,内层电感层设置于介电层内。顶部电感层填满介电层开口,且与内层电感层电性连接。还有,保护层设置于介电层表面,且具有一保护层开口,以露出顶部电感层。此外,焊接区电感层填满保护层开口,且与顶部电感层电性连接。将一部分电感制作于介电层内部,另一部分的电感于制作组件区的焊接区的同时以铜铝合金材质制作于保护层表面,如此一来,可以大幅增加介电层内的电感部分,又可降低阻值(Rs)。因此可增高品质因子,又可扩大其适用的频率范围。

    半导体装置
    82.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219917163U

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202321313457.9

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 一种半导体装置,包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片。第一裸片封装部件还包括一双面半导体裸片,其第一侧电性耦接至第二中介层,以及其第二侧电性耦接至第三中介层。第一裸片封装部件还包括一模制材料以及形成在模制材料中的一封装体穿孔,使得封装体穿孔提供了第二中介层和第三中介层之间且绕过双面半导体裸片的一电性连接。

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