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公开(公告)号：CN109183146B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811213111.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN111235637A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010108245.1
申请日：2020-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种CVD金刚石表面非晶碳的去除方法，本发明属于晶体生长技术领域法。本发明要解决现有CVD金刚石表面非晶碳的去除方法存在成本低，效率低，且会对被处理材料和试件造成损伤甚至破裂，且无法去除结构和形貌特殊的金刚石表面的非晶碳问题。方法：一、紫外光照射；二、配制溶液；三、加热处理。本发明用于CVD金刚石表面非晶碳的去除。
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公开(公告)号：CN108154004B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201711432502.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN106835275B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN105223125B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510657869.8
申请日：2015-10-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法，涉及一种涂层寿命的预测方法。本发明为了解决目前还没有一种全面客观的涂层寿命预测方法的问题。本发明首先建立残余应力—时间变化关系和氧化层应力—时间变化关系；并建立涂层应力演变物理模型；然后进行热循环加速试样老化实验，根据涂层应力演变物理模型与试样应力值—时间关系得到人工加速老化的试样的加速倍数；再采用划痕仪对人工加速老化的试样进行结合强度测试，拟合出结合强度—老化时间的关系并绘制成变化曲线将变化曲线与时间轴的交点所对应的时间作为人工加速老化的试样寿命l；以L＝试样寿命l*最终加速倍数k作为的预测寿命。本发明适用于涂层寿命的预测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104988578B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
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公开(公告)号：CN106894081A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710101533.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/04 , C30B25/205
Abstract: 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、掩模板沉积；四、掩模板处理；五、单层反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、多掩模板沉积及金刚石生长；八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN105296966A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510786301.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 微波增强等离子体化学气相沉积中功率-气压-温度耦合方法，它涉及微波增强等离子体化学气相沉积技术的改进方法。本发明要解决现有的MPCVD技术制备金刚石薄膜过程中，由于基体温度、功率密度和沉积气压对于制备出的金刚石薄膜质量影响大的问题。本发明方法为：步骤一、实验数据采集步骤；二、检测试样质量；步骤三、制备工艺参数关系拟合。本发明的方法可以提高单晶金刚石的生长质量。
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公开(公告)号：CN105177533A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN104975343A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510304702.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
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