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公开(公告)号：CN117447739A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311561827.5
申请日：2023-11-22
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种X射线辐射剂量延时探测薄膜制备方法及其应用，属于辐射检测技术领域，本发明末通，再将过制NaYF备Na4：YFHo43+：粉末Ho3+粉与环氧树脂复合制备得到NaYFNaYF44：：HoHo3+3+环氧树脂探测薄探测薄膜，利用膜在X射线作用下会产生光响应特性，通过对NaYF4：Ho3+环氧树脂探测薄膜施加机械力，储存的辐射能量以可见光的形式表现出来，再根据发光强度对辐射剂量进行定量判断，实现辐射剂量的长期、稳定储存，提高探测结果准确性，有效避免高剂量辐射对探测人员造成伤害。
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公开(公告)号：CN113717711B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111031469.8
申请日：2021-09-03
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种基于KCl:Pr3+的X射线诱导光致变色材料的制备方法，属于光致变色材料技术领域。本发明将高纯的K2CO3、NaCl和Pr6O11研磨混匀得到混合粉料A；将混合粉料A置于温度为1200～1250℃、氧化气氛中高温烧结6～10h，研磨得到混合粉料B；混合粉料B置于X射线下辐照诱导变色，再加热处理使材料恢复原本颜色即得基于KCl:Pr3+的X射线诱导光致变色材料。该基于KCl:Pr3+的X射线诱导光致变色材料具有较明显的颜色变化，可长期重复调节样品颜色，且可在X射线诱导下快速产生颜色响应，具有高颜色区分度、高稳定性、快速颜色响应等特点。
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公开(公告)号：CN116699624A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310824378.2
申请日：2023-07-06
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G01S17/08
摘要： 本发明公开了一种激光测距装置及测距方法，属于距离检测技术领域。所述激光测距装置包括激光器、感应装置、处理器和显示装置；所述激光器发射光源至感应装置上，处理器处理感应装置的光学信息，传输给显示装置；所述激光器为980nm的激光器，所述感应装置为涂覆NaYF4:Yb3+,Er3+@NaYF4材料的光敏二极管芯片。本发明将NaYF4:Yb3+,Er3+@NaYF4材料封装在光敏二极管中作为距离探测的光学感应装置，利用NaYF4:Yb3+,Er3+@NaYF4材料中的Yb3+作为敏化剂吸收激光，Er3+作为激活剂发射可调谐的可见光使人眼能够识别实现实时初步判断目标距离，又可以根据NaYF4:Yb3+,Er3+@NaYF4材料产生的光谱信息获得准确的目标物具体距离。因此所述激光测距装置具有良好的探测精度和实时响应特征，可对测量目标进行精确识别，实现高精度的动态穿透障碍物测距。
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公开(公告)号：CN115717072A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211581324.X
申请日：2022-12-07
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种无铅钙钛矿微米晶体的制备方法与应用，属于LED照明材料技术领域。本发明将高纯原料CsCl、HfCl4和TeCl4加入到反应釜中，加入HCl溶液，混合均匀得到反应体系；反应体系置于温度为170～190℃下反应9～12h，冷却至室温，采用无水乙醇洗涤，固液分离，固体干燥即得无铅钙钛矿微米晶体Cs2HfCl6:Te4+。将无铅钙钛矿微米晶体Cs2HfCl6:Te4+经环氧树脂封装在蓝光LED芯片上形成白光LED二极管，通过调节无铅钙钛矿微米晶体Cs2HfCl6:Te4+与环氧树脂的比例可实现冷白光至暖白光的色温调控。本发明制备的白光LED二极管显色指数为61.8，并在驱动电压和电流分别为2.6V和40mA的情况下，点亮的LED材料在12个小时内具有优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN112048302B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010979083.9
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种Cs2TeCl6无铅钙钛矿薄膜的制备方法及应用，属于无铅钙钛矿薄膜技术领域。本发明采用溶液法制备了全无机Cs2TeCl6无铅钙钛矿颗粒，再采用全无机Cs2TeCl6无铅钙钛矿颗粒制备出Cs2TeCl6无铅钙钛矿薄膜，Cs2TeCl6无铅钙钛矿薄膜在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的黄色发光，使得在X射线下呈现出清晰的物像；并且经1mGy·s‑1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后，仍可保持长期的光学稳定性，进而保持成像的清晰度；Cs2TeCl6无铅钙钛矿薄膜闪烁体应用于X射线成像或X射线探测中。
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公开(公告)号：CN113060762B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110320082.8
申请日：2021-03-25
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿X射线闪烁体及其制备方法，属于钙钛矿闪烁体材料技术领域。本发明钙钛矿X射线闪烁体，化学式为Cs2Zr1‑xPbxCl6，其中0＜x≤0.2。本发明通过溶剂热法合成微米级的钙钛矿闪烁体Cs2Zr1‑xPbxCl6，通过控制Pb的掺杂量得到超高亮度闪烁体，发光主峰在460nm左右，其X射线吸收性能强，稳定性高，可以应用于生物医学等领域。
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公开(公告)号：CN112047636B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010982402.1
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种可修复全无机钙钛矿量子点玻璃闪烁体的制备方法及应用，属于光学玻璃制备技术领域。本发明高纯B2O3、SiO2、ZnO、Cs2CO3、PbBr2、NaBr和Lu2O3的混合粉置于温度为1100～1350℃、空气氛围中高温熔融8～40min，浇注、冷却成型得到前驱体玻璃，将前驱体玻璃依次进行高温去应力处理和高温热处理即得全无机钙钛矿CsPbBr3:Lu3+量子点玻璃。本发明CsPbBr3:Lu3+在玻璃基质上的均匀分布使其在可见光波长范围内的透过率超过92％，使用CsPbBr3:Lu3+量子点玻璃作为闪烁体，可以实现良好的光产率和14.0lp/mm的高空间分辨率，优于商用CsI(TI)闪烁体的7.0pl/mm。
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公开(公告)号：CN112028117B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010981225.5
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用，属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶，在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶，将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合，涂覆在PVC板(100mm×200mm)上，在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光，使得在X射线下呈现出清晰的物像；并且经1mGy·s‑1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后，仍可保持长期的光学稳定性，进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。
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公开(公告)号：CN110437828B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910763272.X
申请日：2019-08-19
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种绿色长余辉发光材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明的绿色长余辉发光材料，化学式为Na2Ca1‑xGe6O14:xTb3+，其中0.005≤x≤0.035；本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Tb4O7进行湿磨得到混合粉料；将混合粉料置于温度为1050‑1150℃、空气氛围中焙烧6~8h，冷却至室温，研磨即得绿色长余辉发光材料。本发明Tb3+掺杂Na2CaGe6O14长余辉发光材料，通过稀土掺杂调整其缺陷态结构，实现绿色长余辉发光，在室温下撤去激发光源后达到218 s的绿色长余辉发光。
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公开(公告)号：CN113061362A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110371624.4
申请日：2021-04-07
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09D5/22 , C09D183/04 , C09K11/62 , C09K11/02
摘要： 本发明涉及一种高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层的制备方法，属于应力发光材料技术领域。本发明将高纯的SrCO3、Ga2O3和Tb4O7进行研磨混匀得到混合粉料A；混合粉料A置于温度为1300～1350℃、还原气氛中高温烧结6～8h，研磨得到SrGa2O4:Tb3+应力发光粉；SrGa2O4:Tb3+应力发光粉与PDMS胶体混合均匀得到混合液体，混合液体均匀涂覆在球体表面，保鲜膜包覆后加热固化涂覆层的胶体，得到高灵敏机械刺激响应球体的应力发光涂层。本发明SrGa2O4:Tb3+应力发光材料在紫外激发下具有优异的应力发光性能，其作为涂覆球体表面后可产生高灵敏机械刺激响应的应力发光。
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