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公开(公告)号：CN115697034A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211448231.X
申请日：2022-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种阻变选择器及其制备方法，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极，其中，底电极用于接地，阻变层作为介质层，在外加电场的作用下，薄膜材料能表现出两个不同的阻值，顶电极在电流作用下，通过氧化还原反应在薄膜内部形成导电细丝，从而使器件电阻发生跳变。本申请的制备方法简单，易操作，且所制备的器件具有循环次数高、开启电压低、散布性低、无电铸等优点。
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公开(公告)号：CN115684028A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211348266.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双金属和双偏振的多通道SPR光纤传感器。所述传感器对光纤四周进行抛磨，形成对称四通道，在所抛平面分别涂覆上金属膜(金膜或银膜)，并在所抛平面和金属膜之间加入TiO2层或Ta2O5层。本发明利用偏振控制器来控制产生双偏振(X偏振或Y偏振)光，偏振光与不同金属之间产生的SPR效应用来检测待测介质折射率，从而实现四通道传感检测。本发明的优点是：双偏振可以减少不同偏振下各通道间的检测干扰，双金属可以减少同一偏振下各通道之间的检测干扰，从而整体实现低干扰的多通道同时检测；TiO2层和Ta2O5层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，可同时检测多种待测介质，抗干扰性强，灵敏度高，具有良好传感特性。
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公开(公告)号：CN113913184A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110338689.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料技术领域，该荧光材料采用稀土Eu和Ce共掺杂氧化镓，利用水热法制得具有发光性能且发光性能良好的荧光材料。该方法制备工艺简单，成本低廉，对设备要求不高，反应条件温和、绿色环保，使用表面活性剂可避免纳米粒子团聚，制得的产物具有粒度分布均匀，分散性良好，形貌易于控制等优点。其中稀土作用分别是，铕作为发光中心，是激活剂，铈的作用是增强发光，是助激活剂。本发明制备的荧光材料具有发光特点，有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108550628B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810399461.9
申请日：2018-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN113483792A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752013.4
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了可见光到近红外双波段内嵌椭圆谐振腔传感器，该传感器由输入输出的波导，矩形腔和椭圆环形谐振腔组成，其中波导的宽度为w，矩形谐振腔与输入输出波导之间的耦合距离为g，矩形谐振腔的宽度和高度分别为q和h，矩形谐振腔和椭圆环形谐振腔的耦合距离为g1，椭圆环形谐振器的外椭圆长轴长度和短轴长度为A1，B1，内部椭圆长轴长度和短轴长度为a1，b1。光波在波导中传输时，通过矩形腔与椭圆环形谐振腔的耦合，产生Fano共振，改变结构中的几何参数和介质的折射率后，使Fano共振谱线偏移。本发明可以实现从可见光到近红外波段的双通道调控，并且可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM),计算的灵敏度和品质因数最高为1075nm/RIU和91914。该发明提供的结构易与其他光子器件集成，研究结果可以为这种结构的未来应用提供指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107257242B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710312585.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器动态信号的实时处理方法，首先，利用随机采样技术充分降低信号的采样数据；然后，通过对采样后的信号进行压缩测量，获得相应的测量值，进而利用重构算法完成对原始信号的准确重构，以提高惯性传感器动态信号输出精度。与传统方法相比，本发明能够在大大降低信号采样数据的同时，有效改善输出信号精度，从而实现惯性传感器动态信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN108821331B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111916558A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种以六方氮化硼(h-BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h-BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h-BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h-BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h-BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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公开(公告)号：CN111293397A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010217484.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋开槽Y型结构的人工磁局域表面等离激元功分器，包括至少三个螺旋形开槽结构的第一中心连线与介质基板水平线平行，至少三个螺旋形开槽结构的第二中心连线和第三中心连线与第一中心连线呈Y型。通过螺旋形开槽结构支持人工磁局域表面等离激元的传输。由于磁模式具有角向均匀性，人工局域表面等离激元能在螺旋形开槽结构上发生大角度弯曲传输，解决了目前研究现状中，基于螺旋形开槽结构只能直线和直角传输的弊端；同时螺旋形开槽结构的直径为10.6mm，远远小于其工作波长，为深度亚波长器件的设计提供了思路；适当地对功分器进行比例缩减，还可以工作于不同的频段，从而提高了人工局域表面等离激元的应用。
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公开(公告)号：CN107942220B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths‑Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
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