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公开(公告)号：CN115432731B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211248904.7
申请日：2022-10-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域，具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法；本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构，由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构，晶型为面心立方结构，表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构；本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密，同时具有良好晶体学特性和光电性能，在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景；并且，其制备方法无需高温煅烧，生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能，适合大规模工业化制造。
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公开(公告)号：CN116317535A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310298516.8
申请日：2023-03-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于电子元器件领域，具体涉及一种内埋LC的LTCC多层DC‑DC变换器。本发明采用了LC同时内埋，辅以两层陶瓷层将LC分层集成进同一块LTCC多层基板中，LTCC基板内包括多层结构，其余器件表贴在基板上方，通过打孔的方式实现基板内部多层电路与表面电路的电气连接。本发明的结构使得内埋磁性器件间的相互干扰、以及对顶层电路产生干扰的问题得到解决；物理尺寸是一般PCB集成板的九分之一，达到了小型化的目的，相比于以往的单电感内埋与单电容内埋结构，采用了同时内埋，性能更佳，集成度更高，体积更小、外观更美观。
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公开(公告)号：CN114656261B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210310667.6
申请日：2022-03-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03C12/00 , H01P1/20 , H01P7/10
摘要： 一种中介电常数LTCC微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料包括97.5～99wt％的ZnZrNb2O8陶瓷和1～2.5wt％的LMZBS玻璃，LMZBS玻璃包括：10.62wt％的Li2O，14.32wt％的MgO，28.93wt％的ZnO，24.75wt％的B2O3，21.38wt％的SiO2。本发明微波介质陶瓷材料，烧结温度为875～950℃，介电常数为21～27，品质因数为19253～39729GHz，谐振频率温度系数为‑57～‑48ppm/℃，能够很好的满足当前移动通信技术领域小型化和集成化的发展需求。
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公开(公告)号：CN115947600A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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公开(公告)号：CN115694261A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211356512.2
申请日：2022-11-01
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H02N11/00
摘要： 本发明属于太阳能发电技术领域，涉及热电转换，具体提供一种基于热电效应的户外太阳能发电装置，用以解决现有太阳能发电装置存在的热‑电转换效率低、发电成本高等问题。本发明首次提出将经过Fe3O4吸热涂层修饰的黑色马氏体不锈钢板作为热端(吸热板)，黑色马氏体不锈钢板具有耐氧化、强吸热、低热容及快导热性能，使其能够尽可能吸收多个频段的红外线与可见光，并迅速升温至较高温度，即大大提升热端温度；同时，在冷端设置绝热、快蒸发降温的保温隔热箱，能够在户外有效降低冷端温度；最终，显著提高户外环境下太阳光热‑电转换两端的温度差，从而提高热‑电转换效率、降低发电成本。
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公开(公告)号：CN112875680B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110080774.X
申请日：2021-01-21
申请人： 电子科技大学 , 江西国创产业园发展有限公司
IPC分类号： C01B32/16 , B01J23/745 , B01J23/755 , B01J23/86 , B01J23/889 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法，属于新材料技术、锂离子二次电池领域。包括以下步骤：1)片状Fe基合金置于CVD旋转炉内，通入氮气或者惰性气体；2)启动CVD旋转炉，炉内温度升至450～550℃，向炉内通入乙炔气体，反应30min后，停止乙炔气体的通入，得到长有碳纳米管阵列的Fe基合金；3)酸洗处理去除Fe基合金，得碳纳米管阵列。本发明通过控制工艺条件有效的调控碳纳米管阵列的生长，成功的实现了基底、缓冲层、催化剂层三合一制备出碳纳米管阵列；制备工艺条件温和，方法简单，有利于大规模的制备，具有很好的商业价值；制得的碳纳米管应用于锂离子电池负极，有良好的稳定性、较高的可逆比容量。
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公开(公告)号：CN110724960B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201911043813.8
申请日：2019-10-30
申请人： 电子科技大学 , 东莞成启瓷创新材料有限公司
摘要： 本发明属于铁基材除锈酸洗/微蚀处理领域，具体提供一种铁基缓蚀剂及其在铁基材酸洗液中的应用。本发明采用罗丹明衍生物(罗丹明B化合物、罗丹明6G化合物)作为缓蚀剂，应用于铁基材酸洗液中，酸洗液中酸液为硫酸或盐酸的一种或两种的组合，配制得具有缓蚀效果的铁基材酸洗液；该酸洗液中作为缓蚀剂的罗丹明衍生物用量少，且缓蚀效率高、可达到80‑99％，缓蚀性能稳定，在不同的温度和浓度下均具有良好的缓蚀性能；同时，由于罗丹明衍生物作为荧光探针的一种，具有特殊的内酰胺结构和优良的荧光性能，成为了理想的荧光探针母体，使得本发明适合酸液中铁基体材料的保护的同时便于探测电子电器封装表面微纳米级缺陷或酸液输送管道的泄漏微孔检测。
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公开(公告)号：CN111270218B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010076426.0
申请日：2020-01-23
申请人： 电子科技大学 , 江西国创产业园发展有限公司
摘要： 一种化学气相沉积碳修饰片状FeSiAl合金的制备方法，属于新型复合材料技术领域。包括以下步骤：1)将片状FeSiAl颗粒置于CVD炉内，在氮气或惰性气体气氛下升温至500～700℃，并保温2h，完成后，自然冷却至室温，取出；2)将上步得到的退火后的片状FeSiAl颗粒置于CVD炉内，在氮气或惰性气体气氛下升温至300～600℃；保持氮气或惰性气体持续通入的同时，向炉内通入乙炔气体作为反应气体，反应5～30min，完成后，停止乙炔气体的通入，自然冷却至室温，得到碳修饰片状FeSiAl合金材料。本发明制备的碳修饰片状FeSiAl合金具有更优的吸波性能和抗腐蚀性能，有利于材料在实际工程中的应用。
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公开(公告)号：CN112875680A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110080774.X
申请日：2021-01-21
申请人： 电子科技大学 , 江西国创产业园发展有限公司
IPC分类号： C01B32/16 , B01J23/745 , B01J23/755 , B01J23/86 , B01J23/889 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法，属于新材料技术、锂离子二次电池领域。包括以下步骤：1)片状Fe基合金置于CVD旋转炉内，通入氮气或者惰性气体；2)启动CVD旋转炉，炉内温度升至450～550℃，向炉内通入乙炔气体，反应30min后，停止乙炔气体的通入，得到长有碳纳米管阵列的Fe基合金；3)酸洗处理去除Fe基合金，得碳纳米管阵列。本发明通过控制工艺条件有效的调控碳纳米管阵列的生长，成功的实现了基底、缓冲层、催化剂层三合一制备出碳纳米管阵列；制备工艺条件温和，方法简单，有利于大规模的制备，具有很好的商业价值；制得的碳纳米管应用于锂离子电池负极，有良好的稳定性、较高的可逆比容量。
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公开(公告)号：CN107857581B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201710968240.4
申请日：2017-10-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域，具体涉及一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni0.29‑x‑yZn0.53+xCu0.18+yFe1.95O4(x＝0～0.02；y＝0～0.02)，同时采用BBSZ玻璃、Co2O3、TiO2和CaCO3作为掺杂剂。通过以上材料配方、工艺的优化设计并结合4种掺杂剂的组合改性，以实现900℃的低温烧结，并兼顾起始磁导率μi在80～96之间；抗直流偏置磁场H70％在950～800A/m，比温度系数≤2×10‑6/℃(20℃～80℃)。本发明很好地兼顾了高起始磁导率、高抗直流偏置磁场以及高温度稳定性的综合要求，其生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低，可广泛应用于研发生产高可靠性的LTCC片式电感/磁珠产品。
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