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公开(公告)号：CN112269034B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202011311384.0
申请日：2020-11-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本申请提供了一种加速度传感器及电子设备，该加速度传感器包括：衬底；质量块，其中，质量块包括第一区域和第二区域，质量块与衬底可动连接，以使得在第一区域和第二区域围绕垂直于质量块所在平面的Z轴扭转时，加速度传感器检测X方向上的加速度，X方向位于平面内。本申请实施例提供的加速度传感器能够显著减小质量块的尺寸以及芯片面积，进而实现加速度传感器的小型化。
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公开(公告)号：CN117430080B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311727841.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器，其中，所述方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧设有导电互联结构；在导电互联结构上形成覆盖导电互联结构的第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一通孔；在第一通孔内填充导电材料形成第一导电结构；提供晶片，在晶片的一侧表面刻蚀形成第一凹槽，并在第一凹槽内填充导电材料以形成第二导电结构；将晶片与第一基板通过第一介质层键合，并将第一导电结构与第二导电结构键合；刻蚀晶片以形成MEMS器件结构；提供顶盖体，顶盖体与晶片键合以得到MEMS传感器。本申请的混合键合方式实现第一基板和晶片间的连接和电导通的同时，降低了生产成本，提高了产品的可制造性与可监测性，有利于提升产品良率。
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公开(公告)号：CN113993028B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202111284562.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R1/10
Abstract: 本说明书实施方式提供了一种信号处理电路、方法及骨传导耳机。信号处理电路能够与三轴振动传感器耦合；信号处理电路包括：输入模块、模数转换模块、数字信号处理模块和输出模块；输入模块，用于接收三轴振动传感器的第一轴输入、第二轴输入和第三轴输入，并相应分别转换成第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号；模数转换模块，用于分别将第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号，转换成相应的第一数字信号、第二数字信号和第三数字信号；数字信号处理模块，用于比较第一数字信号、第二数字信号和第三数字信号，根据比较结果控制输出模块，将第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号中的一个输出。
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公开(公告)号：CN117069054B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311324623.X
申请日：2023-10-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及其制作方法，包括：通过在MEMS器件结构上先沉积第一氧化层，使MEMS器件结构位于所述衬底基板和所述第一氧化层之间，然后在第一氧化层背离MEMS器件结构的一侧形成金属支撑层，对金属支撑层进行光刻处理，以得到贯穿所述金属支撑层的释放孔，再以释放的方式形成可供MEMS器件结构活动的空腔结构，最后通过第一密封层实现最后的密封，简化了工艺难度，实现了活动结构的有效保护。从而完美的解决了传统密封封装工艺导致的连接紧密度不佳，以及由此所导致的崩边、裂片等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117263139A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311536586.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。压阻式压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧，第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层，沿第一衬底的厚度方向，空腔的正投影覆盖压敏电阻的正投影；第二衬底，第二衬底朝向第一衬底的一侧设有用于引线键合的多个引线键合区，引线键合区与压敏电阻电连接；第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧贴合；第一衬底的正投影位于第二衬底的正投影内，引线键合区位于第一衬底的正投影之外。本申请通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，制作工序简单。
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公开(公告)号：CN112822615B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011631835.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 该发明公开了一种骨传导MEMS芯片以及其制备方法和骨传导拾音器件，所述骨传导MEMS芯片包括：第一基底、第二基底和多晶硅结构层，所述多晶硅结构层设有用于通过振动来检测声音的振动电容结构和用于传输所述振动电容结构电容变化信息的金属连接部；所述第二基底和所述第一基底之间密封以限定出密封腔，所述振动电容结构设在所述密封腔内。根据本发明的骨传导MEMS芯片，能够实现对振动电容结构的密封以通过机械振动传导声音，避免了空气传导声音的干扰，而且不需要依靠外部外壳封装来实现密封环境，提高了产品的一致性和可靠性。
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公开(公告)号：CN112499576A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011295919.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。
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公开(公告)号：CN108760100B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810314543.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种差压压力传感器的制备方法，解决了感压薄膜较薄时线性度和可靠性较差的问题。该制备方法包括：制备带有腔体的绝缘体晶圆，该带有腔体的绝缘体晶圆包括依次叠置的器件层、氧化层和衬底层，衬底层和氧化层之间包括位于衬底层内的环形腔体；在器件层的表面制备压敏电阻；刻蚀掉环形腔体的正投影范围内的部分衬底层至露出环形腔体。
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公开(公告)号：CN110526199A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910851641.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 一种硅麦克风封装结构及其封装方法，所述硅麦克风封装结构包括：电路板，具有相对的第一表面和第二表面；第一金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，与所述电路板之间形成第一腔体；第二金属壳体，设置于所述电路板的第一表面上，且套设于所述第一金属壳体外部，与所述第一金属壳体、电路板之间形成第二腔体；麦克风芯片，设置于所述第一腔体内；通道，位于所述电路板内，所述通道一端连通至所述麦克风芯片的背腔；声孔，开设于所述电路板内，连通至所述第一腔体。上述硅麦克风封装结构的电磁屏蔽能力提高。
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