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    一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法
    82.
    发明公开
    一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102694117A

    公开(公告)日：2012-09-26

    申请号：CN201210167983.9

    申请日：2012-05-25

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 尤立星 ,  刘登宽 ,  陈思井 ,  杨晓燕 ,  谢晓明 ,  江绵恒

    IPC分类号： H01L39/00 ,  H01L39/24

    摘要： 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法，该振荡器包括一共面波导，以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线，该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单，和超导约瑟夫逊振荡器相比，不需要使用多层超导薄膜，不需要制备结构复杂且制备难度较高的超导约瑟夫逊结。同时，其控制简单，不需要外加磁场，仅需控制器件的偏置电压即可实现高频振荡。该振荡器原理适用于所有类型超导材料，包括各种高温超导材料和低温超导材料。

    实现超导电性和超导热性的方法
    83.
    发明公开
    实现超导电性和超导热性的方法 失效

    公开(公告)号：CN102414853A

    公开(公告)日：2012-04-11

    申请号：CN200980158962.7

    申请日：2009-05-26

    申请人： “泰科诺普里泽”有限公司

    发明人： 弗亚切斯拉夫.A.弗多文科夫

    IPC分类号： H01L39/00

    CPC分类号： H01L39/005

    摘要： 本申请涉及材料的电学、电物理和导热，涉及材料在接近室温和更高温度的零电阻现象也就是超导电和零热阻也就是超导热。内容是：在非简并或弱简并的半导体材料在半绝缘或电介质的衬底上的这样的材料层的表面上或体内设置电极以形成到材料的整流接触。电极之间的距离(D)被选择为远小于由它们的接触电势差引起的电场穿透到材料中的深度(L)(D＜＜L)。电极之间的最小距离DMIN＝20纳米，电极之间的最大距离DMAX＝30微米。在电极之间形成具有宽度D的间隙之前、之后或期间，电子振动中心(EVC)被输入到材料中，且具有从2·1012cm-3到6·1017cm-3的浓度(N)。使材料的温度到超导电转变温度(Th)或更高。技术结果：可以在高于Th的温度实现超导电(超导)和零热阻也就是超导热的所述效果以及可以调整Th的值。

    限流设备
    84.
    发明公开
    限流设备 无效

    公开(公告)号：CN101840775A

    公开(公告)日：2010-09-22

    申请号：CN201010136528.3

    申请日：2010-03-12

    申请人： 尼克桑斯公司

    发明人： 马克·施泰默 ,  雷纳·索伊卡

    IPC分类号： H01F36/00 ,  H01F6/00 ,  H01F6/06 ,  H01L39/00 ,  H01L39/16 ,  H02H9/02

    CPC分类号： H01B12/06 ,  H01L39/16 ,  H02G15/34 ,  Y02E40/642 ,  Y02E40/648

    摘要： 一种利用超导材料构成的部件(4、5、6)限制电流的设备，所述部件布置在低温控制器(KR)中，该低温控制器包括两个金属管件(1、2)，所述金属管件相对于彼此同心布置，并且在它们之间配装真空绝缘(3)，所述低温控制器包围流经冷却剂的自由空间(FR)。所述部件(4、5、6)各自包括3个以稀土基超导材料(ReBCO)构成的阶段导体(7、8、9)，所述阶段导体布置成彼此绝缘并且相对于彼此同心。“n”个部件(4、5、6)布置在低温控制器(KR)中，并且它们的阶段导体周期性地彼此导电连接，以使每一个部件的内部阶段导体(7)连接到第二部件的中央阶段导体(8)，而该中央阶段导体(8)连接到第三部件的外部阶段导体(9)，n＝3或者3的整数倍。

    绝热量子计算的方法
    87.
    发明公开
    绝热量子计算的方法 有权

    公开(公告)号：CN101375302A

    公开(公告)日：2009-02-25

    申请号：CN200780003666.0

    申请日：2007-01-22

    申请人： D-波系统公司

    发明人： 穆罕默德·H·阿明

    IPC分类号： G06N1/00 ,  H01L39/00

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G06N99/002

    摘要： 提供了使用包括多个量子位的一种量子系统进行量子计算的方法。该系统能够在任何给定的时间处于至少两个配置中的任一个，这些配置包括的一个配置的特征为一种初始化哈米尔顿算子HO而一个配置的特征为一个问题哈米尔顿算子HP。该问题哈米尔顿算子HP具有一个终末状态。在这些量子位中的每个对应的第一量子位都是相对这些量子位中的一个对应的第二量子位来安排，这样它们限定一个预定的耦连强度。在该多个量子位中的这些量子位之间的预定耦连强度集体地限定一个求解的计算问题。在该方法中，该系统被初始化到HO并且然后它被绝热地改变直到该系统由该问题哈米尔顿算子HP的终末状态说明。然后通过探测σXPauli矩阵算子的一个可观测项读出该系统的状态。

    中子检测装置和中子成像传感器
    88.
    发明公开
    中子检测装置和中子成像传感器 失效

    公开(公告)号：CN101171530A

    公开(公告)日：2008-04-30

    申请号：CN200680015600.9

    申请日：2006-03-03

    申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  公立大学法人大阪府立大学

    发明人： 佐藤和朗 ,  四谷任 ,  石田武和 ,  三木茂人

    IPC分类号： G01T3/04 ,  H01L39/00 ,  G01T1/26

    CPC分类号： G01T3/00 ,  G01T1/1606 ,  G01T3/08

    摘要： 本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件(20)，其具有至少一个表面由电介质材料(11)形成的基体材料(10)、在表面上形成的超导材料的带状线(2)、以及在带状线(2)的两端部分形成的电极部(1)；电阻测定单元，利用带状线(2)的电阻值的变化来测定因带状线(2)中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元(5)，在与形成有带状线(2)的表面相反一侧的基体材料的背面部，设定由核反应引起的发热的散热性，在中子检测元件部之间，使散热性互不相同。

    小体积低损耗超导CICC接头结构
    89.
    发明公开
    小体积低损耗超导CICC接头结构 失效

    公开(公告)号：CN1913231A

    公开(公告)日：2007-02-14

    申请号：CN200610085967.X

    申请日：2006-06-10

    申请人： 中国科学院等离子体物理研究所

    发明人： 武松涛 ,  薛沿河 ,  毕延芳 ,  刘保荣 ,  张勇 ,  张新玉 ,  姚伟民 ,  王学勒

    IPC分类号： H01R4/50 ,  H01L39/00

    摘要： 本发明公开了一种小体积低损耗超导CICC接头结构，其特征在于包括中间有冷质流通道的布线轴，布线轴外固定有超导线子缆，子缆外有内壳，内壳外有外壳，布线轴两端成锥形体，超导线子缆靠近和布线轴两端部位锥形体外套装有锥套，锥套和外壳、接头之间密封连接。由于采用了子缆全换位技术，交流损耗可以得到大幅度降低。采用的子缆穿插连接技术，即可有效地降低连接电阻。采用子缆的螺旋缠绕，使得连接长度得以大幅度减小。如采用一级子缆穿插连接，可将接头的长度将至全缆连接长度的1/4至1/8。采用中心冷质流通道一体化设计的结构，所以接头的体积得以减小至传统接头的1/4以下。

    细丝铌基超导复合体的制造方法
    90.
    发明授权
    细丝铌基超导复合体的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1249263C

    公开(公告)日：2006-04-05

    申请号：CN00806511.X

    申请日：2000-04-18

    申请人： 复合材料技术有限公司

    发明人： 詹姆斯·王

    IPC分类号： C23C2/00 ,  H01L39/00 ,  H01B12/00

    CPC分类号： G06Q10/02 ,  C23C2/02 ,  C23C2/08 ,  C23C2/28 ,  H01L39/2409 ,  Y10T29/49014

    摘要： 一种铌基超导体，是采用下述方法制造的：在一种易延展金属的坯料之中建立多种铌组分，经过一系列的扎制步骤加工所述复合体坯料以使所述铌组分为成型延长的元件，每个所述元件具有数量级为1-25微米的厚度，在最后的扎制步骤之前用一种耐酸金属的多孔约束层包裹所述坯料，将所述受约束的坯料浸没在酸中以便从所述铌元件中除去所述易延展金属，同时所述铌元件仍由所述多孔层所约束，将所述受约束的铌元件聚集体暴露在一种可与Nb反应的材料中，从而形成一种超导体。