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公开(公告)号:CN102576799A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080032270.0
申请日:2010-06-23
申请人: 瓦里安半导体设备公司
发明人: 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 罗杰·B·费许 , 保罗·J·墨菲
摘要: 一种新型的超导故障电流限制器,此超导故障电流限制器有助于运用在高压传输网络。上述电路与连接到传输网络的两个端子(144,146)电性连接。上述超导电路(120)位于与地电性隔离的外壳或箱体(112)内。因此,外壳与超导电路之间的电压差以及外壳与端子之间的电压差明显小于电流部署所存在的电压差。在某些实施例中,外壳与端子之一电性连接,而在其他的实施例中,外壳则与端子电性隔离。上述电路可与其他的类似电路组合以满足广泛的电流传输网络组态。
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公开(公告)号:CN1973382B
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN200580020982.X
申请日:2005-06-13
申请人: 西门子公司
发明人: 厄休斯·克鲁格 , 拉尔夫-赖纳·沃尔克默
CPC分类号: H01L39/16
摘要: 本发明涉及一种具有超导开关元件的电流限流装置。与按照现有技术的其开关机制基于开关元件淬冷的超导限流器不同,按照本发明的超导开关元件设计成,使得该开关元件在限流情况下在达到限流装置所要求的短路电流时处于Shubnikov相(23)。由此开关元件可以在这样一种运行状态下工作,其中将放热限制到使围绕超导体的冷却介质可以完全将热量排出的程度并因此在TS下达到稳定状态。因此可以有效地防止发生对超导体的超越TC的淬冷(曲线26),使得在限流情况之后不必将超导体从电网中取出以及重新冷却。
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公开(公告)号:CN101840775A
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN201010136528.3
申请日:2010-03-12
申请人: 尼克桑斯公司
CPC分类号: H01B12/06 , H01L39/16 , H02G15/34 , Y02E40/642 , Y02E40/648
摘要: 一种利用超导材料构成的部件(4、5、6)限制电流的设备,所述部件布置在低温控制器(KR)中,该低温控制器包括两个金属管件(1、2),所述金属管件相对于彼此同心布置,并且在它们之间配装真空绝缘(3),所述低温控制器包围流经冷却剂的自由空间(FR)。所述部件(4、5、6)各自包括3个以稀土基超导材料(ReBCO)构成的阶段导体(7、8、9),所述阶段导体布置成彼此绝缘并且相对于彼此同心。“n”个部件(4、5、6)布置在低温控制器(KR)中,并且它们的阶段导体周期性地彼此导电连接,以使每一个部件的内部阶段导体(7)连接到第二部件的中央阶段导体(8),而该中央阶段导体(8)连接到第三部件的外部阶段导体(9),n=3或者3的整数倍。
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公开(公告)号:CN1973381A
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200580020931.7
申请日:2005-06-17
申请人: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号: H01L39/16
CPC分类号: H01L39/16 , Y10S420/901
摘要: 以低成本制备具有高共享电场的超导故障-限流元件。一种超导故障-限流元件,包括:绝缘体衬底;在该绝缘体衬底上形成的超导薄膜3;以及在该超导薄膜3上形成的合金层4,所述合金层具有比纯金属的室温电阻率高两倍或以上的室温电阻率,其中,当通过过电流,使该超导薄膜3进入正常的导电状态时,流过该超导薄膜3的过电流被仅仅传送到合金层4。
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公开(公告)号:CN1728289A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200510078829.4
申请日:2005-05-08
申请人: 尼克桑斯公司
发明人: 马丁·沃尔特
CPC分类号: H01R4/68 , H01L39/04 , H01L39/143 , H01L39/16 , Y10S505/706 , Y10S505/917 , Y10T29/49014
摘要: 本发明涉及一种超导复合件的机械稳固方法,该超导复合件包含管状超导陶瓷和增强管,它们之间彼此插入,通过对管的一端施加压力对管状超导陶瓷预先施加应力;并且涉及一种可施加预应力的超导复合件。
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公开(公告)号:CN1138389A
公开(公告)日:1996-12-18
申请号:CN95191180.5
申请日:1995-09-25
申请人: ABB研究有限公司
CPC分类号: H01L39/16 , H01L39/20 , H02H9/023 , Y02E40/69 , Y10S505/881
摘要: 为了限制在电路中、例如由短路产生的过电流,在电路中接入一个限流器,该限流器可把过电流限制在预先设定的额定电流的若干倍以内。本发明的结构简单而紧凑的限流器在一个片状绝缘体(1)的两侧各有一个由高温超导体(3、3′)和普通导体(4、4′)组成的、并用导电良好的平面接触相互连接在一起的导体复合体。在此导体复合体与绝缘体(1)之间具有一个起化学隔离作用的、2μm厚的银缓冲层。该导体复合体可以用超导体一侧或用普通导体一侧与绝缘体实现平面接触。分路电阻(4、4′)的电阻值不应大于与其相连接的超导体(3、3′)的电阻值。每个导体复合体都制成回形纹状,并且相互如此电气连接,即位置直接相对的导体复合体各分段中电流反向平行流动。
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公开(公告)号:CN109449278A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811480187.4
申请日:2018-12-05
申请人: 湖南迈太科医疗科技有限公司
摘要: 本发明涉及一种超导开关结构及超导开关组合,所述超导开关结构包括:具有容纳腔的骨架,绕设于所述骨架外部的开关线圈,以及用于对所述开关线圈加热的加热器;所述骨架上还设有与所述容纳腔连通的入口部和出口部。本发明在超导开关的内部设置容纳腔,可达到液氦浸泡的效果,不仅满足超导开关的降温速度要求,同时可防止特殊情况下超导开关温度过高而损坏。
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公开(公告)号:CN108365082A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810151530.4
申请日:2014-08-12
申请人: 瓦里安半导体设备公司
发明人: 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC分类号: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
摘要: 本发明提供一种超导带及其形成方法。在一实施例中,超导带包括:基底,其包括多个层;定向超导层,位在基底上;以及合金涂层,位在超导层上,合金涂层包括一层或更多层的金属层,其中至少一层金属层包括金属合金。本发明的超导带性质优良,能够在故障条件期间抵抗烧毁。
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公开(公告)号:CN103840035B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201410106302.7
申请日:2014-03-20
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/101
CPC分类号: H01L39/16 , G01J1/0433 , G01J1/0488 , G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2005/208 , G02B5/28 , H01L27/144 , H01L31/02165 , H01L31/02327 , H01L31/09 , H01L39/02 , H01L39/10
摘要: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件,包括步骤:于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器;其中,所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。所述超导纳米线单光子探测器件包括:衬底,其上下表面分别结合上抗反射层和下抗反射层;光学腔体结构;超导纳米线;以及反射镜。本发明操作简单,仅需在超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)的衬底上集成多层薄膜滤波器,将非信号辐射过滤掉,该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时,有效降低非本征暗计数,从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率。
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