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公开(公告)号：CN108140458A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059630.3
申请日：2016-08-10
申请人： 卡尔斯鲁厄技术研究所
IPC分类号： H01B12/06
CPC分类号： H01B12/06 , B23K1/19 , H01B13/0036 , H01L39/143 , H01L39/2419 , H01R4/68 , H02G15/34 , Y02E40/642
摘要： 本发明涉及超导导体(100)、超导导体(100)的方法以及超导导体(100)的用途。超导导体(100)包括各自具有第一宽度的多个第一传导带(1)和各自具有第二宽度的多个第二传导带(2)，其中，第一宽度不同于所述第二宽度，多个第一传导带(1)和/或多个第二传导带(2)包括至少一个超导带，多个第一传导带(1)和多个第二传导带(2)布置成具有十字形截面的带堆(30)，以及，在不同情况下，带堆(30)中的两个连续的传导带彼此焊接使得由带堆(30)形成超导主体(40)。
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公开(公告)号：CN104795487B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510090484.8
申请日：2006-07-28
申请人： 美国超导公司
CPC分类号： H01L39/143 , H01L39/248 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702
摘要： 本发明涉及高温超导体导线的结构，尤其涉及层叠的超导体导线。该层叠的超导体导线包括超导体导线组件，其包含第一超导体插入物和第二超导体插入物，该第一超导体插入物包含覆盖在第一基片上的第一高温超导体层，该第二超导体插入物包含覆盖在第二基片上的第二高温超导体层。第一和第二超导体插入物在其各自的基片处结合在一起。导电结构体基本上围绕该超导体导线组件。
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公开(公告)号：CN105009228B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480012006.9
申请日：2014-02-05
申请人： 古河电气工业株式会社
发明人： 长洲义则
CPC分类号： H01B12/02 , H01B1/026 , H01F6/06 , H01L39/143 , H01L39/2441 , H01L39/2454 , H05K3/10 , H05K3/26
摘要： 将成型为规定的尺寸的成膜用基板并排嵌设于连结基材，进行连结而一体化，在成膜用基板的成膜面侧层叠中间层、超导层、保护层，接着通过下述方法等任一种方法来制造超导导体，即：在规定的芯材上卷绕1根以上一体化的超导导体；对一体化的超导导体进行分离而以每个超导线材为单位将1根以上卷绕在芯材上；以及交替地卷入一体化、非一体化的线材等，获得不存在局部的突起等形状问题且具有良好的超导特性的超导导体。
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公开(公告)号：CN103210455B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201180054572.2
申请日：2011-09-14
申请人： 美国超能公司
CPC分类号： H02G15/34 , H01L39/02 , H01L39/143 , H01L39/248 , H01R4/68 , Y02E40/648
摘要： 一种超导制品，包括第一和第二堆叠的超导段。第一堆叠的超导段包括第一和第二超导段且具有标称厚度tn1。第二堆叠的超导段包括第三和第四超导段且具有标称厚度tn2。该超导制品还包括将第一和第三超导段连接在一起的第一接头和将第二和第四超导段连接在一起的第二接头。第一接头沿接合区的至少一部分相邻于第一和第三超导段的部分并桥接第一和第三超导段的部分，且第二接头可沿接合区的至少一部分相邻于第二和第四超导段的部分并桥接第二和第四超导段的部分。接合区可具有厚度tjr，其中tjr不大于1.8tn1和1.8tn2中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103718256B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380002439.1
申请日：2013-02-06
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01B12/04 , C23C14/024 , C23C14/028 , C23C14/087 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/24 , H01L39/2454 , Y10T428/24488
摘要： 本发明公开了一种超导成膜用基材，其为带状的超导成膜用基材，其中，该基材具有：用于使包含超导层的层积体成膜的成膜面；作为上述成膜面相反一侧的面的背面；与上述成膜面和上述背面相连接的一对端面；以及与上述成膜面、上述背面和上述一对端面相连接的一对侧面，上述一对侧面分别包含从上述成膜面的边缘部向着上述背面侧在上述成膜面的面内方向上扩展至外侧的扩展面。另外还公开了超导线以及超导线的制造方法。
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公开(公告)号：CN105849924A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070509.1
申请日：2014-11-14
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/025 , C23C14/5806 , H01B12/02 , H01B13/0016 , H01B13/0036 , H01L39/143 , H01L39/2464
摘要： 一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。
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公开(公告)号：CN102484197B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201080038345.6
申请日：2010-07-27
申请人： 休斯敦大学体系
发明人： 文卡特·塞尔瓦马尼坎 , 戈兰·迈基奇 , 马克西姆·马尔切夫斯基
CPC分类号： H01L39/2461 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C28/322 , C23C28/345 , H01L39/143 , H01L39/2483 , Y10T428/25 , Y10T428/26
摘要： 公开了一种超导制品，其包括基材、上覆所述基材的缓冲层和上覆所述缓冲层的高温超导(HTS)层。HTS层包含多个纳米棒。还公开了一种形成超导制品的方法，其包括：提供基材；沉积上覆所述基材的缓冲层；形成上覆所述缓冲层的纳米点阵列；沉积在所述纳米点阵列上成核的纳米棒阵列；和在所述纳米棒阵列周围沉积上覆所述缓冲层的高温超导(HTS)层。
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公开(公告)号：CN102884594B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201080065852.9
申请日：2010-08-03
申请人： 株式会社瑞蓝
CPC分类号： H01L39/2451 , C04B35/4508 , C04B35/62231 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6584 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L39/143
摘要： 本发明提供了陶瓷线的形成方法。在该方法中，将陶瓷前体膜沉积在线基材上。然后，通过加热，对其上沉积有陶瓷前体膜的线基材进行处理。为了通过加热以对线基材进行处理，控制线基材的温度和/或线基材的氧气分压，使得陶瓷前体膜处于液态并且由在线基材上的液态陶瓷前体膜形成外延陶瓷膜。
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公开(公告)号：CN103069595B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180040575.0
申请日：2011-06-22
申请人： 休斯敦大学体系
发明人： 文卡特·塞尔瓦玛尼卡姆 , 森希尔·萨姆班达姆
IPC分类号： H01L39/02
CPC分类号： H01L39/143 , H01L39/2461 , H01L39/248
摘要： 本发明涉及一种高温超导体结构，其包括：其上沉积有至少一个缓冲层的基片，所述缓冲层上的超导体层，超导层由超导体材料构成，所述超导体材料形成至少两个基本上平行并沿着所述基片的长度连续延伸的超导体细丝，其中至少两个超导体细丝彼此之间被至少一个绝缘条带隔开，其中所述绝缘条带沿着所述基片的长度连续延伸，并由电阻率高于约1mΩcm的绝缘材料构成。还公开了生产高温超导体的方法。
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