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公开(公告)号：CN112351227B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010206107.7
申请日：2020-03-23
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 郭坪水
摘要： 一种图像感测装置，该图像感测装置包括：第一单元像素组，其包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件形成第一共享像素并被配置为响应于入射光而生成光电荷，该第一单元像素组还包括多个第一晶体管元件以及被配置为存储所生成的光电荷的多个第一浮置扩散区域；以及第二单元像素组，其与第一单元像素组相邻设置并且包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件形成第二共享像素并被配置为响应于入射光而生成光电荷，该第二单元像素组还包括多个第二晶体管元件以及被配置为存储光电荷的多个第二浮置扩散区域。第一共享像素包括多个第一晶体管元件中的一些和多个第二晶体管元件中的一些。
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公开(公告)号：CN115802189A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211215872.0
申请日：2022-09-30
申请人： 北京空间机电研究所
摘要： 一种双向读出图像传感器的片上列开窗数据提取方法，包括步骤：1、定义起始位置寄存器Start_Column和结束位置寄存器End_Column，2、确定列开窗操作的开窗范围，将起始列位置信息写入Start_Column，结束列位置信息写入End_Column。针对每个列控制电路，执行步骤3～6的操作；3、将Start_Column、End_Column中的位置标号信息分别和当前列控制电路位置寄存器中的位置标号信息进行对比，判断列开窗指令是否对当前列控制电路有效；4、确定当前列控制电路参与开窗的开始列号和结束列号；5、确定当前列控制电路为开窗范围中开始列号所在的列控制电路及其开始列号；6、确定当前列控制电路为开窗范围中结束列号所在的列控制电路及其停止列号；7、提取出外部输入的开窗范围对应的列像素数据。
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公开(公告)号：CN115714924A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210686473.6
申请日：2022-06-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N25/616 , H04N25/75
摘要： 在示例实施例中，一种斜坡生成器包括：斜坡电路，所述斜坡电路在第一斜坡时段期间从控制电路接收第一斜坡使能信号，所述第一斜坡时段包括第一重置时段和第一感测时段，并且所述斜坡电路被配置为向相关双采样电路输出第一斜坡信号；加重电路，所述加重电路基于从所述控制电路接收到的第一使能信号在所述第一重置时段期间增加所述第一斜坡信号的电压电平；以及预加重电路，所述预加重电路基于从所述控制电路接收到的第二使能信号在所述第一重置时段中的第一预加重时段期间进一步增加所述第一斜坡信号的电压电平。
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公开(公告)号：CN115668971A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180037463.3
申请日：2021-05-20
申请人： 元平台技术有限公司
发明人： 安德鲁·塞缪尔·贝尔科维奇 , 什洛莫·阿尔卡雷 , 汉斯·雷瑟霍夫
IPC分类号： H04N25/709 , H04N25/771 , H04N25/40 , H04N25/772 , H04N25/50 , H04N25/75
摘要： 在一些示例中，一种装置包括像素单元阵列以及与该像素单元阵列中的多个像素单元块相关联且与第一分级电源域相关联的多个处理电路。该装置还包括多个存储器器件组，每个存储器器件组与像素单元块相关联，以存储相关联的像素单元块的量化结果，该多个存储器器件组还与第二分级电源域相关联。该装置还包括处理电路电源状态控制电路和存储器电源状态控制电路，该处理电路电源状态控制电路被配置为基于针对每个像素单元块的编程数据、以及多个全局处理电路电源状态控制信号，控制多个处理电路的电源状态，该存储器电源状态控制电路被配置为基于该编程数据和多个全局存储器电源状态控制信号，控制多个存储器器件组的电源状态。
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公开(公告)号：CN118975261A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380029711.9
申请日：2023-03-01
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 克里斯蒂安·彼得·布伦德利
IPC分类号： H04N23/11 , H04N23/12 , H04N23/21 , H04N13/271 , H04N25/79 , H04N25/705 , H04N25/131 , H04B10/112 , H04N25/77 , H04N25/616 , H04N25/75 , H04N25/11 , H04N25/47 , H04N25/20 , H04N25/707 , H04N5/33
摘要： 一种用于观察场景(S)的传感器设备(10)包括：多个像素(51)，每个像素被配置为接收来自场景的光5并执行光电转换以生成电信号；事件检测电路系统(20)，其被配置为在事件数据强度改变超过由第一子集(S1)的像素(51)中的每一个接收的红外光的预定阈值时进行检测；像素信号生成电路系统(30)，其被配置为生成像素信号，该像素信号指示由第二子集(S2)的像素(51)中的每个像素(51)接收的可见光的强度值；以及控制单元(40)，其被配置为从在所接收红外光内检测到的事件数据中提取额外的信息，该额外的信息不同于关于所观察场景(S)的二维强度信息。
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公开(公告)号：CN113170065B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201980077001.7
申请日：2019-10-25
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/443 , H04N25/50 , H04N25/77 , H04N25/75 , H04N25/78
摘要： 本发明减小了检测地址事件的固态成像元件中的电路尺寸。该固态成像元件配备有像素阵列单元和驱动电路。在固态成像元件中，均输出与入射光量的对数值成比例的模拟信号的对数响应像素以及均检测入射光量的变化量是否超过预定阈值并输出指示检测结果的检测信号的检测像素被设置在像素阵列单元中。此外，在固态成像元件中，驱动电路驱动对数响应像素和检测像素，以分别从其输出模拟信号和检测信号。
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公开(公告)号：CN113167656B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201980076885.4
申请日：2019-12-09
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本公开的成像装置(1)包括：具有像素的像素阵列单元(10)、模拟信号产生单元、A/D转换单元(23)和开关。模拟信号产生单元基于像素阵列单元(10)周围的温度产生模拟信号。A/D转换单元(23)将模拟信号转换为数字信号。开关切断将要供给到A/D转换单元的模拟信号。
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公开(公告)号：CN118574030A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410215417.3
申请日：2024-02-27
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H04N25/773 , H04N25/766 , H04N25/706 , H04N25/709 , H04N25/75
摘要： 本发明公开了一种光电转换装置、光电转换装置的控制方法和存储介质。该光电转换装置包括：光电转换元件，其具有由雪崩光电二极管构成的像素；至少一个处理器；以及存储器，其耦合到所述至少一个处理器，所述存储器存储指令，所述指令在由所述至少一个处理器执行时使得所述至少一个处理器：对施加到所述雪崩光电二极管的反向偏置电压进行控制，设置所述光电转换元件的曝光时间，以及根据所设置的曝光时间来对所述反向偏置电压进行控制。
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