公开(公告)号：CN118102137A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311145960.2

申请日：2023-09-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金秀勇 ,  裵宰永 ,  郑演焕

IPC分类号： H04N25/771 ,  H04N25/779 ,  H04N25/766

摘要： 一种图像传感器设备包括第一像素和第二像素，所述第一像素位于第一行和第一列以及包括第一选择晶体管，并被配置为通过第一列线输出第一像素信号，所述第二像素位于不同于所述第一行的第二行和所述第一列以及包括第二选择晶体管，并且被配置为通过第二列线输出第二像素信号。在第一时间段期间，第一选择晶体管导通并且所述第一像素信号被输出，以及在第二时间段期间，第二选择晶体管导通并且通过第二选择晶体管向所述第二列线施加第一电压，所述第二时间段包括所述第一时间段。

公开(公告)号：CN118057834A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311530505.4

申请日：2023-11-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 若岛骏一 ,  福田浩一

IPC分类号： H04N25/704 ,  H04N25/766 ,  H04N25/77

摘要： 本发明涉及图像传感器和摄像设备。该图像传感器包括多个像素，并且各个像素包括：微透镜；多个光电转换单元，用于将入射光转换成电荷并累积所述电荷；多个保持单元，用于保持与电荷相对应的信号；控制器，用于对用以累积所述多个光电转换单元所转换的电荷的定时以及用以使所述多个保持单元保持与电荷相对应的信号的定时进行控制；以及输出单元，用于以一行为单位输出所述多个保持单元中所保持的信号。所述多个像素包括具有配置在第一方向上的所述多个光电转换单元的多个第一像素和具有配置在与所述第一方向垂直的第二方向上的所述多个光电转换单元的多个第二像素。

公开(公告)号：CN110650303B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910514682.0

申请日：2019-06-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑演焕 ,  姜旋律 ,  金敬珉 ,  蔡熙成 ,  韩在胜

IPC分类号： H04N25/766 ,  H04N25/628

摘要： 一种图像传感器包括：包括连接到第一列线的第一像素和第二像素的像素阵列，和被配置为控制第二像素的读取操作的行驱动器。在第二像素的读取操作期间，基于第一像素的浮置扩散节点的电压和第二像素的浮置扩散节点的电压当中的较高电压来确定第一列线的电压。

公开(公告)号：CN117999469A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062393.1

申请日：2022-08-10

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 岩科进也 ,  永野辉昌 ,  冈田真昇 ,  足立俊介 ,  藤田卓也

IPC分类号： G01J1/42 ,  G01J1/02 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N25/766

摘要： 在光检测装置中，开关(21、22、23)相互并联连接。各开关(21、22、23)与APD(11)连接。读出线(10)电连接开关(21)和信号处理部(9)。开关(21)以第二端子(24b)与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(22)以第二端子(24b)不与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(23)以第二端子(24b)不与读出线连接，并且在导通状态下将小于击穿电压的电压提供到APD(11)的方式构成。

公开(公告)号：CN117412195A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310848090.9

申请日：2023-07-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 沈殷燮

IPC分类号： H04N25/77 ,  H04N25/766 ,  H04N25/76

摘要： 一种图像传感器，包括：像素阵列，包括自动聚焦(AF)像素和AF邻近像素，AF邻近像素与AF像素邻近并且被配置为与AF像素共享浮动扩散区；以及行驱动器，被配置为控制像素阵列，其中，包括在AF像素中的光电二极管的第一端连接到第一传输晶体管，并且包括在AF像素中的光电二极管的第二端通过第一信号线连接到地，以及其中，包括在AF邻近像素中的光电二极管的第一端连接到第二传输晶体管，并且包括在AF邻近像素中的光电二极管的第二端通过第二信号线连接到行驱动器。

公开(公告)号：CN117378213A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280036672.0

申请日：2022-05-25

申请人： 株式会社尼康

发明人： 小仓大辉

IPC分类号： H04N25/76 ,  H04N25/766 ,  H04N25/779

摘要： 摄像元件具备：多个第1像素，其分别包含于多个区域，具有对光进行光电转换而生成电荷的第1光电转换部，基于由上述第1光电转换部生成的电荷而输出在图像生成中使用的信号，并在第1方向及与上述第1方向交叉的第2方向上设置；第2像素，其具有对光进行光电转换而生成电荷的第2光电转换部，并基于由上述第2光电转换部生成的电荷而输出在焦点检测中使用的信号；第1控制线，其用于控制上述第1像素；以及第2控制线，其用于控制上述第2像素。

公开(公告)号：CN117294965A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210675257.1

申请日：2022-06-15

申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司

发明人： 徐辰 ,  王锋奇 ,  侯金剑 ,  任冠京 ,  莫要武

IPC分类号： H04N25/76 ,  H04N25/766 ,  H04N25/78 ,  H04N25/77

摘要： 本申请提供一种基于背照式工艺的图像传感器，包括：像素阵列、模拟处理电路、数字处理电路和帧缓存电路；所述模拟处理电路与所述像素阵列连接，用于将所述像素单元逐行曝光后的像素信号量化读取，以获取行量化信号；所述帧缓存电路与所述模拟处理电路连接，用于将所述行量化信号逐行缓存为行缓存信号；所述数字处理电路与所述帧缓存电路连接，用于处理所述行缓存信号。本申请提供的基于背照式工艺的图像传感器本申请提供的基于背照式工艺的图像传感器，通过增加帧缓存电路用于临时缓存模拟处理电路逐行量化后的信号，可以提高模拟处理电路量化的速度，进而大大缩短整帧图像的量化窗口，实现高帧率量化，达到类似全局快门的图像效果。

公开(公告)号：CN117081549A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311055186.6

申请日：2023-08-21

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 朱樟明 ,  唐元昊 ,  陈铄 ,  党一臣

IPC分类号： H03K4/50 ,  H03K6/04 ,  H04N25/766

摘要： 本发明公开了一种应用于图像传感器的斜坡发生器，该斜坡发生器包括带隙基准电压源、电压‑电流转换电路和开关电容阵列；开关电容阵列包括充电电容阵列和非充电电容阵列，充电电容阵列和非充电电容阵列相连；带隙基准电压源的输出端与电压‑电流转换电路的输入端连接，电压‑电流转换电路的输出端与充电电容阵列连接，充电电容阵列和非充电电容阵列的输出端输出同一斜坡信号。本发明的斜坡发生器能够获得一个稳定的斜率精准度高的斜坡信号，应用于不同位数的模数转换器中，拓展斜坡发生器的应用范围。

公开(公告)号：CN116939386A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210334736.7

申请日：2022-03-31

申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司

发明人： 郭同辉 ,  石文杰 ,  邵泽旭

IPC分类号： H04N25/76 ,  H04N25/78 ,  H04N25/766

摘要： 本发明涉及像素阵列、图像传感器及其控制方法，通过六像素共享结构布局的单元排列组成，结构工整、对称，相对现有技术的像素非共享结构和其他像素共享结构，可以有效提高像素中光电二极管面积的占有率，从而提升像素的光电转换量子效率。并且六像素共享结构单元中寄生电容，低于现有技术像素共享结构布局中的漂浮有源区的寄生电容，具有较高的光电转换增益，可有效降低信号噪声，进而提升图像传感器采集的图像品质，提升产品竞争力。

公开(公告)号：CN116647769A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202210132353.1

申请日：2022-02-14

申请人： 上海虹感微电子科技有限公司

发明人： 倪扬

IPC分类号： H04N25/766 ,  H04N25/767 ,  H04N25/771

摘要： 本申请题为“改进的CMOS图像传感器”。一种CMOS图像传感器包括像素矩阵和像素控制电路(VS)，每个像素具有包括光电检测器(PD)和存储单元(MEM)的像素结构，该像素控制电路能够顺序写入代表曝光之后的光电检测值到所述像素的存储单元(MEM)。根据本发明，图像传感器进一步包括比较电路(DMU、RB、CE)，该比较电路用于：存储至少部分所述像素的顺序光电检测值；比较所述顺序光电检测值；根据所述像素的顺序光电检测值生成比较信号(NUL、POS、NEG)；生成从所述比较信号反映图像变化的比较矩阵。