公开(公告)号：CN108701964A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680083246.7

申请日：2016-09-02

申请人： 株式会社东芝

发明人： 山根统 ,  斋藤真司 ,  角野努 ,  金子桂 ,  桥本玲

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/12

摘要： 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。

公开(公告)号：CN107710529A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201580081271.7

申请日：2015-09-16

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 陈健 ,  胡菁 ,  徐之光

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/183

摘要： 一种半导体激光器(100)及其加工方法，能够提高调制带宽。该半导体激光器(100)包括：谐振腔(110)和有源层(120)，该谐振腔(110)包括上反射镜层(111)和下反射镜层(112)，在该半导体激光器(100)的上反射镜层(111)或该下反射镜层(112)中的至少一层设置有至少两个凹部(114)，该至少两个凹部(114)在该水平面的投影位于第一轴线上，该解理面(113)与该第一轴线的两个交点之间的距离LV是根据该有源层(120)发射的光束的波长λ和自由光谱宽度FSR确定的，该至少两个凹部(114)中的任意一个凹部(114)与该解理面(113)的最短距离L1是根据距离LV和氧化孔(130)的半径Ro确定的，以使该有源层(120)在平行于第一轴线方向发射的、到达该解理面(113)后反射的第一光束与该有源层(120)在平行于该第一轴线方向发射的第二光束产生光子共振。

公开(公告)号：CN105191029B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201480013121.8

申请日：2014-02-25

申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构

发明人： 野田進 ,  冲野刚士 ,  北村恭子 ,  田中良典 ,  梁永

IPC分类号： H01S5/18

CPC分类号： H01S5/18 ,  H01S3/0085 ,  H01S3/10 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1215 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明提供能增大倾斜角、光的损失少、射出倾斜光束的二维光子晶体面发光激光器。其具有层叠有二维光子晶体(2DPC)层(11)和活性层(12)的结构，所述二维光子晶体(2DPC)层(11)通过在板状的母材(114)上二维地配置空位(111)而形成有折射率分布，活性层(12)通过电流的注入而产生波长λL的光，所述激光器沿着与2DPC层(11)的法线成倾斜角θ的方向使激光束振荡，2DPC层(11)中，各空位(111)经调制地配置于具有周期性的简单二维点格的各晶格点，所述简单二维点格通过形成二维驻波而形成波长λL的光的共振状态且固定该光以使其不会射出至外部，该调制的相位Ψ使用倒易矢量G’↑和各晶格点的位置矢量r↑、由Ψ＝r↑·G’↑表示，所述倒易矢量G’↑使用2DPC层(11)内的波长λL的光的波数矢量k↑＝(kx,ky)、2DPC层(11)的有效折射率neff、及与简单二维点格的规定的基准线所成的方位角来表示，倒易矢量。

公开(公告)号：CN104285344B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201480001196.4

申请日：2014-03-25

申请人： 光速株式会社

发明人： 金定洙

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S3/10 ,  H01S3/0941

CPC分类号： H01S5/0612 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76898 ,  H01S3/0815 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/141

摘要： 本发明涉及小型的可制作可变波长激光装置，其可变化振动的激光波长，包括：激光二极管晶片(100)，其散发激光；用于反馈光的部分反射镜(500)，其反射在所述激光二极管晶片(100)散发的光的一部分，重新反馈到激光二极管晶片(100)；准直透镜(200)，其设置在所述激光二极管晶片(100)与用于反馈光的部分反射镜(500)之间的光路上，准直从激光二极管晶片(100)散发的光；可变波长选择性滤波器(300)，其根据温度而变化透射的波长；45度角反射镜(400)，其转换激光照射的方向，将平行于封装件底面的激光变换为垂直于封装件底面。所述激光二极管晶片(100)或可变波长选择性滤波器(300)配置在热电元件(900)上，根据热电元件(900)的温度变化，变化振动的波长。

公开(公告)号：CN107257086A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710532448.1

申请日：2008-09-16

申请人： 奥斯坦多科技公司

发明人： H.S.艾尔-古鲁里 ,  R.G.W.布朗 ,  D.A.麦克奈尔 ,  H.登贝尔 ,  A.J.兰佐内

IPC分类号： H01S5/40 ,  B82Y20/00 ,  H04N9/31 ,  H01S5/022 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G09G3/2018 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2340/06 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3161 ,  H01S5/105

摘要： 由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠，每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内，从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射，该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的，使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。

公开(公告)号：CN101874330B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN200880118773.2

申请日：2008-09-16

申请人： 奥斯坦多科技公司

发明人： H·S·艾尔-古鲁里 ,  R·G·W·布朗 ,  D·A·麦克奈尔 ,  H·登贝尔 ,  A·J·兰佐内

IPC分类号： H01S5/42 ,  H04N9/31 ,  H01S5/18 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G09G3/2018 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2340/06 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3161

摘要： 由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠，每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内，从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射，该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的，使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。

公开(公告)号：CN106848836A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710187551.7

申请日：2017-03-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 张敏明 ,  敖应权 ,  刘德明

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/12

CPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/1228

摘要： 本发明公开了一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在光栅层分布有一阶光栅；在一阶光栅上方且在谐振腔中央分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅。位于光栅层上方，激光器谐振腔中央的长度为(9‑100)微米的高阶表面光栅。高阶表面光栅将激光器谐振腔中的行波模耦合成为辐射模，实现激光的表面输出。激光器表面输出光与标准单模光纤纤芯进行直接耦合。并在高阶表面光栅中央引入一段中央相移，可以使高阶表面光栅面发射激光器与标准单模光纤具有超过50％的耦合效率。

公开(公告)号：CN106451075A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610928707.8

申请日：2016-10-31

申请人： 苏州长光华芯光电技术有限公司

发明人： 周立 ,  潘之炜 ,  郭栓银 ,  谭少阳 ,  吴涛

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/18 ,  H01S5/24

CPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/18 ,  H01S5/24

摘要： 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本发明制作的半导体激光器芯片从器件工艺结构角度出发，通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。

公开(公告)号：CN104734005A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410797511.0

申请日：2014-12-18

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 金子刚 ,  西田哲朗 ,  仓知祐司

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01S5/183

摘要： 本发明提供能够使激光的偏振方向稳定的面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器(100)包含基板、被设置在基板上方的层叠体(2)、以及至少被设置在层叠体(2)的侧面的树脂层(70)，层叠体(2)至少包含被设置在基板上方的第一反射镜层、被设置在第一反射镜层上方的活性层、以及被设置在上述活性层上方的第二反射镜层，在俯视时，Y轴方向上的层叠体(2)的长度比与Y轴方向正交的X轴方向上的层叠体(2)的长度长，在俯视时，Y轴方向上的树脂层(70)的长度比X轴方向上的树脂层(70)的长度长。

公开(公告)号：CN102769252B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210140060.4

申请日：2012-05-03

申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司

发明人： 方瑞雨 ,  盖德·艾伯特·罗格若 ,  路易吉·塔隆

IPC分类号： H01S5/18

摘要： 本申请涉及表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法。提供了一种表面发射半导体激光器装置，其包括与各种反射器和衍射透镜集成在半导体材料中的边缘发射激光器。边缘发射激光器具有包括有源MQW区域的第一区段、包括无源区域的第二区段和包括半绝缘或未掺杂的半导体体层的第三区段。该配置确保注入电流将会流经有源区域的所有层，从而防止由于MQW有源区域的未注入区域而发生光学损失。另外，包括无源区域确保了没有电流流经有源MQW区域与再生长的半导体体层之间的界面。后一特征提高了性能和装置可靠性。