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公开(公告)号：CN108462475B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711391172.6
申请日：2017-12-21
申请人： 波音公司
IPC分类号： H03F3/19 , H03F3/21 , H03F1/30 , H01L23/538
摘要： 本申请公开了3D低通量、高功率MMIC放大器。本公开涉及用于为功率放大器电路中的晶体管元件提供三维装置架构的系统和方法。即，示例系统(200)可以包括设置在第一基板(210)上的多个高电子迁移率晶体管(212)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第一部分经由设置在第一基板(210)上的相应第一层级互连件(214)电耦接。系统(200)还包括设置在第二基板(220)上的多个第二层级互连件(224)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第二部分经由相应的第二层级互连件(224)电耦接。第一基板(210)和第二基板(220)耦接为使得多个高电子迁移率晶体管(212)通过第一层级互连件(214)或第二层级互连件(224)中的至少一个提供放大的输出信号。
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公开(公告)号：CN109787569B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201711124966.6
申请日：2017-11-14
申请人： 锐迪科微电子科技(上海)有限公司
摘要： 本申请公开了一种多模多频射频功率放大器，包含放大器裸片、输出匹配网络、射频开关裸片和CMOS控制器。所述放大器裸片仅有一条放大通路，同时为各频段的信号实现放大。所述输出匹配网络在放大器裸片和射频开关裸片之间，对各频段信号进行阻抗匹配。所述射频开关裸片包含三条通路，将输出匹配网络输出的信号连接到其中一条通路后接入天线。第一通路是LTE频段信号的直连通路，第二通路是抑制GSM高频段信号的二次谐波的匹配网络，第三通路是抑制GSM低频段信号的二次谐波的匹配网络。所述CMOS控制器根据整个射频功率放大器的输入信号类型确射频开关裸片使用哪一条通路。本申请提高了芯片集成度，减少了芯片面积、外围器件数量和占用基板面积。
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公开(公告)号：CN116505890A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310379102.8
申请日：2023-04-11
申请人： 浙江树人学院
摘要： 本发明公开了一种自适应偏置电路，电阻R1的一端作为第一输入端与偏置电压相连接，电阻R1的另一端与晶体管V1的集电极相连接，晶体管V1的发射极与电阻R2的一端相连接，电阻R2的另一端作为输出端与射频放大电路相连接，晶体管V1的发射极电流即为输出电流I；晶体管V1的基极与电容C1的一端、晶体管V2的集电极、晶体管V2的基极、晶体管V3的基极、晶体管V3的集电极以及电阻R5的一端相连接，电阻R5的另一端作为第二输入端与第一控制电压相连接；晶体管V2的发射极与电阻R3的一端相连接，电阻R3的另一端与晶体管V4的基极相连接，晶体管V4的集电极与晶体管V3的发射极相连接，晶体管V4的发射极与电阻R4的一端相连接，电阻R4的另一端以及电容C1的另一端接地。
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公开(公告)号：CN110011621B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910242792.6
申请日：2019-03-28
申请人： 杭州电子科技大学温州研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种集成异向与多尔蒂结构的高回退范围射频功率放大器。该功率放大器两个子路构成Outphasing功率放大器，并且同时作为Doherty主功率放大器，第三个子路构成Doherty辅助功率放大器。模式切换电路，通过利用两个正反向连接的二极管分别导通或截止来实现针对Outphasing和Doherty模式的切换功能，并提供相应的电抗成分。经过前端信号调理电路得到辅助功放信号和两路输入等幅异向Outphasing信号，实现了高回退功率放大的功能。该发明思路独特，设计结构简单，回退范围大，具有很好的推广前景。
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公开(公告)号：CN116470865A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310056616.X
申请日：2023-01-18
申请人： 苹果公司
摘要： 本公开涉及“射频放大器的增益降低技术”。一种电子设备可以包括无线电路，该无线电路具有处理器、收发器、天线，以及耦合在该收发器与该天线之间的前端模块。该前端模块可以包括用于放大射频信号的一个或多个射频放大器。该射频放大器可以包括与电容中和晶体管交叉耦合和/或耦合到共源共栅晶体管的输入晶体管。一个或多个n型增益调节晶体管可以耦合到这些电容中和晶体管的源极端子。一个或多个p型增益调节晶体管可以耦合到这些共源共栅晶体管的源极端子。该电子设备中的一个或多个处理器可以选择性地激活这些增益调节晶体管中的一个或多个，以降低该射频放大器的增益而不降低噪声性能并且不改变该射频放大器的带内频率响应。
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公开(公告)号：CN116455338A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310487883.2
申请日：2023-04-28
申请人： 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种功率放大器电路及射频功率放大器模组，其中，所述功率放大器电路包括信号输入端、输入匹配网络、第一功率放大器、第一偏置电路、第二功率放大器、第二偏置电路、级间匹配网络、第三功率放大器、第三偏置电路、第四功率放大器、第四偏置电路、输出匹配网络以及信号输出端。本发明中的功率放大器电路可以使其处于高功率模式下增益达到最高，另外还可以使其处于低功率模式下增益达到最低，同时提升功率放大器电路的整体效率，并增加控制的灵活性。
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公开(公告)号：CN110808720B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201810884004.9
申请日：2018-08-06
申请人： 锐迪科创微电子(北京)有限公司
摘要： 本申请公开了一种抗饱和的射频功率放大器，包括预放大器、功率输出级、电压电流转换电路、电源电压补偿电路和抗饱和电路。所述电压电流转换电路进一步包括运算放大器、一个低压差稳压器、环路稳定辅助电路和反馈电路。所述电压电流转换电路用于将控制电压转换为参考电流，并通过运算放大器与功率输出级的采样电流进行比较，比较结果接入低压差稳压器，该低压差稳压器为当前工作频段的预放大器提供电源电压。本申请通过在电压电流转换电路中引入环路稳定辅助电路和反馈电路，用来提供额外的负反馈支路，以确保在射频功率放大器的整个PVT工作区间内的负反馈电流控制环路能够稳定可靠工作。
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公开(公告)号：CN116388716A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310648433.7
申请日：2023-06-02
申请人： 睿思芯科(深圳)技术有限公司
发明人： 赵玮
摘要： 本发明涉及通讯技术领域，本发明公开了一种射频低噪声放大器及射频芯片，射频低噪声放大器包括信号输入端、控制模块、低噪声放大电路、旁路电路以及信号输出端；低噪声放大电路的输出端和旁路电路的输出端分别连接至信号输出端；控制模块用于根据低噪声放大电路的工作状态分别控制低噪声放大电路和旁路电路的通断；控制模块的第一开关连接至低噪声放大电路的输入端与信号输入端之间，第二开关连接至低噪声放大电路的输出端与信号输出端之间，第三开关连接至旁路电路的输入端与信号输入端之间，第四开关连接至旁路电路的输出端与信号输出端之间。本发明射频低噪声放大器的旁路增益调整方便，整体电路结构简单，器件少，成本低，易于实现和调试。
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公开(公告)号：CN110034736B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811519727.5
申请日：2018-12-12
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 罗伯·马蒂兹·赫里斯 , 弗雷尔克·范瑞哲
摘要： 本发明涉及封装式射频RF功率放大器。本发明还涉及用于该功率放大器中的半导体芯片，以及包括该半导体芯片和/或功率放大器的电子设备或电子系统。根据本发明，半导体芯片包括与第一漏极接合组件间隔开设置并且电连接至第一漏极接合组件的第二漏极接合组件。其中，相比于第一漏极接合组件，第二漏极接合组件更靠近半导体芯片的输入侧。RF功率放大器包括在第一漏极接合组件与输出引线之间延伸的第一组多个接合线以及从第二漏极接合组件延伸至接地电容器的第一端的第二组多个接合线。
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公开(公告)号：CN109981062B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811523617.6
申请日：2018-12-13
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本公开提供一种具有非对称放大结构和线性的功率放大设备。所述功率放大设备包括：第一偏置电路，产生具有第一幅值的第一偏置电流；第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；第二偏置电路，产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，其中，所述第二放大电路可具有与所述第一放大电路的尺寸不同的尺寸。
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