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公开(公告)号:CN108462475A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201711391172.6
申请日:2017-12-21
申请人: 波音公司
IPC分类号: H03F3/19 , H03F3/21 , H03F1/30 , H01L23/538
CPC分类号: H03F1/30 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6661 , H01L2223/6683 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/602 , H03F3/605 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/543 , H03F3/19 , H01L23/5389 , H03F3/21
摘要: 本申请公开了3D低通量、高功率MMIC放大器。本公开涉及用于为功率放大器电路中的晶体管元件提供三维装置架构的系统和方法。即,示例系统(200)可以包括设置在第一基板(210)上的多个高电子迁移率晶体管(212)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第一部分经由设置在第一基板(210)上的相应第一层级互连件(214)电耦接。系统(200)还包括设置在第二基板(220)上的多个第二层级互连件(224)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第二部分经由相应的第二层级互连件(224)电耦接。第一基板(210)和第二基板(220)耦接为使得多个高电子迁移率晶体管(212)通过第一层级互连件(214)或第二层级互连件(224)中的至少一个提供放大的输出信号。
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公开(公告)号:CN108462475B
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN201711391172.6
申请日:2017-12-21
申请人: 波音公司
IPC分类号: H03F3/19 , H03F3/21 , H03F1/30 , H01L23/538
摘要: 本申请公开了3D低通量、高功率MMIC放大器。本公开涉及用于为功率放大器电路中的晶体管元件提供三维装置架构的系统和方法。即,示例系统(200)可以包括设置在第一基板(210)上的多个高电子迁移率晶体管(212)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第一部分经由设置在第一基板(210)上的相应第一层级互连件(214)电耦接。系统(200)还包括设置在第二基板(220)上的多个第二层级互连件(224)。多个高电子迁移率晶体管(212)的第二部分经由相应的第二层级互连件(224)电耦接。第一基板(210)和第二基板(220)耦接为使得多个高电子迁移率晶体管(212)通过第一层级互连件(214)或第二层级互连件(224)中的至少一个提供放大的输出信号。
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