双面研磨装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117300886B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202310755108.0

    申请日:2023-06-25

    发明人: 丸田将史

    摘要: 本发明提供双面研磨装置,将测定孔和厚度测定传感器设置于通过工件的中心附近(数据获取范围)的频率高的配设范围。双面研磨装置(10)将上平台(14)或下平台(13)的中心与用户事先设定的任意透孔(22)的中心的距离为最短或最长的透孔的中心位置作为第1基准位置(E),相对于作为透孔的半径的30%以内的规定的长度的第1距离(G),将从第1基准位置向托架的中心的方向分离第1距离的1/2的长度的位置作为第2基准位置(F),厚度测定传感器(34)设置在俯视时以第2基准位置为中心的第1距离的范围内,厚度测定传感器构成为经由配设有厚度测定传感器的一侧的上平台或下平台所设置的测定孔(35)来测定被保持于透孔的状态下的工件的厚度。

    对晶片涂布粘接剂的方法

    公开(公告)号:CN108573896B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201810067533.X

    申请日:2018-01-24

    发明人: 户谷哲朗

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 提供能够实现成本降低的对晶片涂布粘接剂的方法。本发明包含如下的工序:从喷嘴(16)向晶片(14)表面上滴落粘接剂(18)的工序;第一摄影工序,使用照相机(22)来拍摄延展后的粘接剂(18)的平面形状,取得图像数据;第一图像处理工序,根据图像数据来判定延展形状是否在设定形状的范围内;旋涂工序,旋涂粘接剂(18);第二摄影工序,使用照相机(22)来拍摄被旋涂的粘接剂(18)的平面形状;第二图像处理工序,根据图像数据来判定是否存在晶片(14)表面上的粘接剂的漏涂部分;以及烘烤处理工序,对在第一图像处理工序中判定为粘接剂(18)的延展形状在设定形状的范围内并且在第二图像处理工序中判定为不存在晶片(14)上的粘接剂的漏涂部分的晶片(14)进行烘烤。

    工件加工装置
    4.
    发明公开
    工件加工装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115116817A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210263158.2

    申请日:2022-03-17

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本发明提供工件加工装置,能够对使用难加工材料形成的工件实现高加工速率,在短时间内稳定地进行加工。本发明的工件加工装置(1)是使加工头(14)与保持于保持板(20)的上表面的工件(W)滑动接触而进行加工的工件加工装置,其中,加工头(14)具有产生等离子体而将等离子体照射到工件(W)的被加工面的等离子体电极(30),等离子体电极(30)的设置于径向中心的环状或圆柱状的中心电极(31)和相对于中心电极(31)设置于径向外侧的环状的外周电极(32)在边界位置隔着环状的缝部(36)而配设,并且缝部(36)构成为等离子体产生空间,在中心电极(31)和外周电极(32)的底面设置有加工垫(40)。

    金属氧化物单晶制造装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114808105A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210092056.9

    申请日:2022-01-26

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/16

    摘要: 本发明的课题在于提供一种金属氧化物单晶制造装置,其能够防止在氧化气氛的高温炉内生成的以氮氧化物为例的有害物质向炉周围的扩散。本发明的金属氧化物单晶制造装置(10)是在氧化气氛下以1500℃以上的温度将炉(14)内加热的金属氧化物单晶制造装置(10),其具备:对炉(14)内进行加热的发热体(34);设置在上述炉(14)中的下部侧、将上述炉(14)的内外连通的吸气管(24);设置在上述炉(14)中的上部侧、将上述炉(14)的内外连通的排气管(26);设置在比上述炉(14)靠上方的位置的管道(36);以及设置在上述管道(36)的中途的排气扇(38)和有害物质除去装置(40)。

    工件研磨装置和工件研磨装置中的加压盘用树脂垫体

    公开(公告)号:CN113664714B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111026678.3

    申请日:2021-09-02

    摘要: 本发明提供一种工件研磨装置和工件研磨装置中的加压盘用树脂垫体,其中,树脂垫对顶环(加压盘)的接合良好、能够获得适当的对载盘的压力分布。本发明的工件研磨装置具备:定盘;和顶环,其配置于定盘的上方,在与定盘之间夹着在下表面保持有工件的载盘,并将工件向定盘面按压。顶环具备:加压盘,其按压载盘的上表面;按压机构,其利用空气压按压加压盘;顶环主体,其具备围绕加压盘并按压载盘的周边部的环状部。加压盘形成为除了载盘的周边部以外对载盘的上表面整面进行按压的尺寸;按压机构具有对加压盘的上表面中央部进行局部按压的活塞;在加压盘的下表面整面粘贴有厚度为1~4mm、压缩率为1~8%、具有弹性的树脂垫。

    工件清洗装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113471109B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202110763537.3

    申请日:2021-07-06

    摘要: 提供工件清洗装置,能够缩短进行例示为晶片的平板状工件的清洗以及除水的工序中的处理时间,实现制造效率的提高。本发明的工件清洗装置(100)具备:载置部(60),收纳有工件(W)的多个料盒(62)呈圆弧状载置于载置部;第一手部(64),其配设于多个料盒(62)的中心位置,从多个料盒(62)依次取出工件(W)并交替载置于第一臂(10A)上、第二臂(10B)上;以及清洗机构(20),清洗机构(20)具有洒水部(21)和接触清洗部(22),接触清洗部(22)构成为,在被旋转驱动或振幅驱动的状态下,在相对于工件(W)的搬运方向以90度或规定角度相交的方向上往复移动,并行地进行工件(W)的搬运及清洗。

    金属氧化物单晶生长用坩埚
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113308735A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110135745.9

    申请日:2021-02-01

    IPC分类号: C30B29/16 C30B11/00 C22C5/04

    摘要: 本发明提供一种金属氧化物单晶生长用坩埚,容易获得坩埚的定径部的厚度和强度(硬度)的平衡,还能进行大径的晶体的生长。本发明的坩埚(10)为一种金属氧化物单晶生长用的坩埚,其特征在于,坩埚(10)的定径部(20)的外周面上设置有增强用的带材(22)。另外,可以采用坩埚(10)的上部(18)的厚度比坩埚(10)的下部(12)的厚度形成得薄、坩埚(10)的上部(18)为定径部(20)的坩埚(10)。

    工件研磨装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103506935B

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201310239057.2

    申请日:2013-06-17

    摘要: 一种工件研磨装置包括:具有顶面的研磨板,研磨布贴附于该顶面,并且研磨板能够在水平面转动;设置于研磨板上方并且能够上下移动和在水平面转动的顶环,顶环能够对位于研磨板和顶环之间的承载板施压,承载板将工件保持在底面,以将工件压在研磨板上;以及设置于顶环的止动件,止动件在研磨位置止挡并保持载置在研磨板上并且通过转动研磨板而移动到顶环的下侧的承载板。